【技术实现步骤摘要】
LDPC软译码方法、存储器及电子设备
本公开属于存储器的编码与译码
,涉及一种LDPC软译码方法、存储器及电子设备,特别是用于邻近存储单元对于当前存储单元的分布态具有影响的存储器的LDPC软译码方法、存储器及电子设备。
技术介绍
非易失性存储器具有多种类型,诸如:只读存储器(ROM)、可编程只读存储器(PROM),电可改写只读存储器(EAROM)、可擦除可编程只读存储器(EPROM)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)以及闪存(FlashMemory)等。非易失性存储器进行信息存储时需要对数据进行编码,并将编码之后的数据写入至存储器阵列中的存储单元,在读出时需要进行译码操作。现有的非易失性存储器采用LDPC软译码时,通常而言,对于单层单元(SLC)闪存存储器,沿着阈值电压分布有两个分布态,两个分布态之间具有交叠,每个交叠处读3次,将读出的数据沿着阈值电压的分布划分成4块区域。不同区域对应不同的LLR值,LLR的表达式为:LLR=Log(P0/P1),其中,P0表示为逻辑0的概率,P1表示为逻辑1的概率。不 ...
【技术保护点】
1.一种LDPC软译码方法,其特征在于,用于一存储器,该存储器包括多个存储单元,所述方法包括:/n步骤S13,对信息位已经编码过的存储单元进行读取,根据读取时当前存储单元对应的存储时间、阈值电压分区和综合分布态,并参照一预先建立的LLR表获得当前存储单元的LLR值;/n步骤S14,根据读取的当前存储单元的LLR值对信息位已经编码过的存储单元的码字进行软译码操作;/n其中,当前存储单元的综合分布态根据与该当前存储单元相邻的存储单元对于该当前存储单元分布态的影响确定;所述预先建立的LLR表的输入量为:存储时间、阈值电压分区和综合分布态,输出量为LLR值。/n
【技术特征摘要】
1.一种LDPC软译码方法,其特征在于,用于一存储器,该存储器包括多个存储单元,所述方法包括:
步骤S13,对信息位已经编码过的存储单元进行读取,根据读取时当前存储单元对应的存储时间、阈值电压分区和综合分布态,并参照一预先建立的LLR表获得当前存储单元的LLR值;
步骤S14,根据读取的当前存储单元的LLR值对信息位已经编码过的存储单元的码字进行软译码操作;
其中,当前存储单元的综合分布态根据与该当前存储单元相邻的存储单元对于该当前存储单元分布态的影响确定;所述预先建立的LLR表的输入量为:存储时间、阈值电压分区和综合分布态,输出量为LLR值。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述步骤S13之前还包括:
步骤S12,将信息位编码得到码字并写入至存储器的存储单元中。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,预先建立所述LLR表的方法为:
对存储器进行读取测试,在某一存储时间下,获取已经知道准确编码的当前存储单元以及该当前存储单元邻近的存储单元各自的阈值电压分布及分布态,根据与该当前存储单元相邻的存储单元对于该当前存储单元分布态的影响确定当前存储单元的综合分布态,根据综合分布态计算得到不同阈值电压分区的LLR值;获取不同的存储时间下对应的阈值电压分区和综合分布态,从而得到输入量为:存储时间、阈值电压分区和综合分布态,输出量为LLR值的LLR表。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述存储器为3DNAND闪存存储器,当前存储单元对应的坐标为(m,n,k),k≥1,选取与该存储单元邻近的存储单元的方式为:沿着z轴向上和/或向下依次选取若干与当前存储单元具有预定距离的存储单元。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,确定当前存储单元的综合分布态时,包含所述当前存储单元所在物理页在内至少有两...
【专利技术属性】
技术研发人员:王颀,姜一扬,李前辉,霍宗亮,
申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所,
类型:发明
国别省市:北京;11
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