【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有多平面混合子块编程的非易失性存储器
技术介绍
半导体存储器广泛用于各种电子装置中,诸如蜂窝电话、数字相机、个人数字助理、医疗电子设备、移动计算装置、服务器、固态驱动器、非移动计算装置和其它装置。半导体存储器可包括非易失性存储器或易失性存储器。非易失性存储器甚至在非易失性存储器未连接到电源(例如,电池)时允许存储和保存信息。非易失性存储器的实例包含快闪存储器(例如,NAND型和NOR型快闪存储器)。存储器系统可用于存储由主机装置(或其它客户端)提供的数据。重要的是,将数据编程到存储器系统中的过程较快,使得主机装置(或其它客户端)不必很长时间地等待存储器系统完成编程。附图说明编号相似的元件在不同图中指代共同组件。图1为描绘存储器系统的一个实施例的框图。图2为存储器裸片的一个实施例的框图。图3为单片三维存储器结构的一个实施例的一部分的透视图。图4A为具有两个平面的存储器结构的框图。图4B描绘存储器单元块的一部分的俯视图。图4C描绘存储器单元块的一部分的截面视图。图4D描绘选择栅极层和字线层的视图。图4E为存储器单元竖列的截面视图。图4F为多个NAND串的示意图。图5描绘阈值电压分布。图6为描述数据值到数据状态的分配的一个实例的表。图7为描述对非易失性存储器进行编程的过程的一个实施例的流程图。图8为描绘存储器单元竖列的框图。图9为描绘存储器系统的部分的框图,所述存储器系统同时对连接到位于裸片的不同平面中的不同 ...
【技术保护点】
1.一种非易失性存储设备,其包括:/n多个非易失性存储器单元,其布置于同一裸片上的多个平面中,每一平面包含所述存储器单元的多个块,所述块中的每一者包含多个存储器单元子块;/n字线,其连接到所述存储器单元;和/n控制电路,其连接到所述存储器单元和所述字线,所述控制电路被配置成同时对连接到位于裸片的不同平面中的不同块的不同子块中的不同字线的存储器单元进行编程。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180508 US 62/668,365;20180628 US 16/021,2901.一种非易失性存储设备,其包括:
多个非易失性存储器单元,其布置于同一裸片上的多个平面中,每一平面包含所述存储器单元的多个块,所述块中的每一者包含多个存储器单元子块;
字线,其连接到所述存储器单元;和
控制电路,其连接到所述存储器单元和所述字线,所述控制电路被配置成同时对连接到位于裸片的不同平面中的不同块的不同子块中的不同字线的存储器单元进行编程。
2.根据权利要求所述的非易失性存储设备1,其中:
所述控制电路被配置成针对所述不同字线使用不同起始电压来同时对连接到位于不同平面中的不同块的不同子块中的不同字线的存储器单元进行编程。
3.根据权利要求1或2所述的非易失性存储设备,其中:
所述控制电路被配置成独立地对同一块的子块进行编程和擦除。
4.根据权利要求1、2或3所述的非易失性存储设备,其中:
块的每一子块具有与所述块的其它子块不相交的字线集合。
5.根据权利要求1至4中任一权利要求所述的非易失性存储设备,其中:
位于不同块的不同子块中的所述不同字线在不同字线位置处。
6.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的非易失性存储设备,其中所述控制电路包括:
第一电压源;
第二电压源;
第一交换网络,其连接到所述第一电压源和用于所述多个平面中的第一平面的第一块的第一子块的所述字线的第一集合;和
第二交换网络,其连接到所述第二电压源和用于所述多个平面中的第二平面的第二块的第二子块的所述字线的第二集合。
7.根据权利要求6所述的非易失性存储设备,其中所述控制电路包括:
所述第一电压源产生用于编程的第一字线电压信号;且
所述第二电压源产生用于编程的第二字线电压信号,在同一时刻所述第二字线电压信号与所述第一字线电压信号的幅值不同,使得在以所述第二字线电压信号对连接到所述第二字线集合中的字线的存储器单元进行编程的同时可以所述第一字线电压信号对连接到所述第一字线集合中的字线的存储器单元进行编程。
8.根据权利要求6所述的非易失性存储设备,其中:
所述第一电压源为第一电荷泵;且
所述第二电压源为第二电荷泵。
9.根据权利要求6所述的非易失性存储设备,其中:
所述第一电压源为电荷泵;且
所述第二电压源为连接到所述电荷泵的电压调节器。
10.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员:H陈,Z周,
申请(专利权)人:桑迪士克科技有限责任公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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