存储装置制造方法及图纸

本发明专利技术的实施方式提高存储装置的特性。本发明专利技术的实施方式的存储装置包含：存储单元阵列；电压产生电路，产生供给到存储单元阵列的电压；输入输出电路，接收表示存储单元阵列内的区域的地址；及控制电路，控制存储单元阵列的动作；且电压产生电路在接收地址的过程中产生电压。

Storage device

【技术实现步骤摘要】
存储装置[相关申请]本申请享有以日本专利申请2018-241544号(申请日：2018年12月25日)作为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。
本专利技术的实施方式涉及一种存储装置。
技术介绍
关于如NAND(Not-And，与非)型闪速存储器那样的存储装置，动作的高速化及可靠性的提高等特性的提高不断推进。
技术实现思路
实施方式谋求提高存储装置的特性。实施方式的存储装置具备：存储单元阵列；电压产生电路，产生供给到所述存储单元阵列的1个以上的电压；输入输出电路，接收表示所述存储单元阵列内的区域的地址；及控制电路，控制所述存储单元阵列的动作；且所述电压产生电路是在接收所述地址的过程中，产生所述电压。附图说明图1是表示实施方式的存储器系统的一例的图。图2是表示第1实施方式的存储装置的构成例的图。图3是表示第1实施方式的存储装置的构成例的图。图4是表示第1实施方式的存储装置的构成例的图。>图5是表示第1实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储装置，具备：/n存储单元阵列；/n电压产生电路，产生供给到所述存储单元阵列的1个以上的电压；/n输入输出电路，接收表示所述存储单元阵列内的区域的地址；及/n控制电路，控制所述存储单元阵列的动作；/n所述电压产生电路在接收所述地址的过程中产生所述电压。/n

【技术特征摘要】
20181225 JP 2018-2415441.一种存储装置，具备：
存储单元阵列；
电压产生电路，产生供给到所述存储单元阵列的1个以上的电压；
输入输出电路，接收表示所述存储单元阵列内的区域的地址；及
控制电路，控制所述存储单元阵列的动作；
所述电压产生电路在接收所述地址的过程中产生所述电压。


2.根据权利要求1所述的存储装置，还具备设置于所述存储单元阵列内的多个块，且所述地址包含字线地址、及在所述字线地址之后被接收的块地址，
在接收所述字线地址时，对所述多个块供给所述电压，
在接收所述块地址时，基于所述块地址，停止对所述多个块中除与所述块地址对应的选择块以外的1个以上的非选择块供给所述电压。


3.根据权利要求1或2所述的存储装置，还具备通过...

【专利技术属性】
技术研发人员：菅原昭雄，半田贵也，矶村亮辅，上原一人，佐藤淳一，浅冈典央，山冈雅史，沙納德·布什納克，柴崎谦，熊崎规泰，寺田有里，
申请(专利权)人：东芝存储器株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP