一种磁性纳米晶片状吸收剂及其制备方法技术

本发明专利技术涉及吸波材料的技术领域，具体涉及一种磁性吸波剂及其制备方法。制备方法为采用真空镀膜法在均匀涂覆有牺牲层的基体上交替沉积一定厚度的磁性材料与介质材料得到多层薄膜，再去除牺牲层得到多层磁性薄膜，将多层磁性薄膜破碎得到磁性纳米晶片状吸收剂。制备工艺简便，易于调节，制备的磁性纳米晶片状吸收剂表面光洁、内部缺陷少、应力小、磁性成分可控、可具有多层结构及大宽厚比、表面绝缘性好的特点。可突破现有球磨法制备得到的磁性纳米晶吸收剂由于表面粗糙、内部缺陷和应力大、微结构控制能力差、宽厚比受限所导致的磁导率瓶颈，提高适用于不同频段的片状磁性吸收剂的微波磁导率，并抑制其介电常数。

【技术实现步骤摘要】
一种磁性纳米晶片状吸收剂及其制备方法
本专利技术涉及吸波材料的
，具体涉及一种磁性吸波剂及其制备方法。
技术介绍
吸波材料是一种重要的军民两用材料，它在武器装备雷达隐身和民用设备电磁兼容、防治电磁污染等领域有广泛而重要的应用。在多数场景中，都要求吸波材料具有尽可能小的厚度和更宽频、更强的吸收性能，这也是目前吸波材料领域的重点和难点所在。在较小的厚度条件下，提高吸波性能的关键是提高磁导率和磁损耗，因而这是本专利技术要达到的核心目标。吸收剂选用适当的成分是获得高磁导率和磁损耗的先决条件，常用的有铁氧体、磁性金属与合金等磁性材料。此外，吸收剂的微观形貌、内应力、内部晶粒尺寸等也是决定其磁性能的重要因素；而具有较强形状各向异性的吸收剂颗粒则能进一步大幅提高磁性能。根据Snoek限制表达式为：(μ′-1)fr2＝γ24πMs[Hk+4πMs(D⊥-De)]式中：D⊥，De为材料的退磁因子(其中片型粒子D⊥＝1，De＝0；球形粒子D⊥＝De＝1/3；纤维状材料D⊥＝1/2，De＝0)。从式可知，片状和纤维状的吸收剂粒子能获得更大的磁导本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁性纳米晶片状吸收剂的制备方法，其特征在于：采用真空镀膜法在均匀涂覆有牺牲层的基体上交替沉积一定厚度的磁性材料与介质材料得到多层薄膜，再去除牺牲层得到多层磁性薄膜，将多层磁性薄膜破碎得到磁性纳米晶片状吸收剂。/n

【技术特征摘要】
1.一种磁性纳米晶片状吸收剂的制备方法，其特征在于：采用真空镀膜法在均匀涂覆有牺牲层的基体上交替沉积一定厚度的磁性材料与介质材料得到多层薄膜，再去除牺牲层得到多层磁性薄膜，将多层磁性薄膜破碎得到磁性纳米晶片状吸收剂。


2.根据权利要求1所述的磁性纳米晶片状吸收剂的制备方法，其特征在于：所述真空镀膜法包括溅射镀膜法、离子镀中的一种或者它们与电子束蒸发、热蒸发工艺的联用。


3.根据权利要求1所述的磁性纳米晶片状吸收剂的制备方法，其特征在于：所述磁性材料的主要成分为磁性金属、磁性合金、铁氧体中的一种或几种；所述介质材料为氧化物、氮化物中的一种。


4.根据权利要求1所述的磁性纳米晶片状吸收剂的制备方法，其特征在于：所述磁性材料每层的厚度为20～60nm，介质材料每层的厚度为2～5nm。


5.根据权利要求1所述的磁性纳米晶片状吸收剂的制备方法，其特征在于：所述牺牲层的材料为PVP、PMMA、PVB、油墨中的一种。


6.根据权利要求5所述的磁性纳米晶片状吸收剂的制备方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：李维，鲍禹，官建国，刘星，陈志宏，
申请(专利权)人：武汉理工大学，
类型：发明
国别省市：湖北;42