传输闸电路制造技术

本发明专利技术公开了一种传输闸电路，其一实施例包含一控制电压产生电路、一高电压传输电路与一低电压传输电路，该高电压与低电压传输电路耦接于一输入端与一输出端之间。该控制电压产生电路依据该输入端的输入电压以及一使能信号产生第一群与第二群控制电压，以分别控制该高电压与低电压传输电路；当该使能信号为高时，上述两群电压的其中一群包含复数个相同电压，另一群的任一电压与该复数个相同电压的电压差不大于一预设电压；当该使能信号为低时，上述两群控制电压的每一群包含复数个递减电压。

【技术实现步骤摘要】
传输闸电路
本专利技术是关于传输闸电路，尤其是关于能够避免高电压对传输闸电路的元件造成损害的传输闸电路。
技术介绍
图1显示一传统的互补式金氧半导体(CMOS)传输闸电路。图1的传输闸电路100包含一反相器110以及一传输闸120。反相器110耦接于一高电源电压端与一低电源电压端之间，用来于一使能信号EN为高时(例如：使能信号EN等于高电源电压端的电压VDD)，输出一低电源电压VSS；反相器110另用来于该使能信号EN为低时(例如：使能信号EN等于低电源电压端的电压VSS)，输出一高电源电压VDD。传输闸120用来于使能信号EN为高时导通，以让一输出端的信号VOUT等于一输入端的信号VIN；传输闸120另用来于使能信号EN为低时不导通，以让该输出端的信号VOUT为一浮接信号。更详细地说，传输闸120包含一P型金氧半导体(PMOS)电晶体122与一N型金氧半导体(NMOS)电晶体124，PMOS电晶体122闸极接收反相器110的输出电压，NMOS电晶体124闸极接收使能信号EN，因此，当使能信号EN为高时，反相器110的输出电压为低(VSS)，从而当该输入电压VIN为一高准位电压(VDD)时，PMOS电晶体122依据闸极电压为低而导通，当该输入电压VIN为一低准位电压(VSS)时，NMOS电晶体124依据闸极电压为高而导通；当使能信号EN为低时，反相器110的输出电压为高(VDD)，从而PMOS电晶体122与NMOS电晶体124均不导通。基于上述特性，传输闸电路100可作为开关。随着CMOS技术的发展，电晶体的尺寸被缩小以减少晶片面积，从而增加操作速度以及节省功耗。然而，随着电晶体尺寸被缩小，闸极氧化层和电晶体通道也缩小，电晶体的任两电极(闸极、汲极、源极与基极的任两者)的最大可允许跨压(maximumallowablevoltagedrop)(亦即额定电压(nominalvoltage))也随之减少。若一电晶体的任两电极的电压差大于该额定电压，该电晶体可能会受损。由于先进CMOS制程的额定电压趋向下降(trendsdown)，传统的CMOS传输闸电路(例如：图1的传输闸电路100)面临高电源电压VDD高于电晶体额定电压而导致电晶体受损的问题。此外，图1的传输闸电路100有另一问题。当使能信号EN为低时，PMOS电晶体122与NMOS电晶体124均应不导通，换言之，传输闸120应关闭；然而，若是电源没电(即高电源电压VDD＝0)，PMOS电晶体122的闸极信号会是一浮接信号，PMOS电晶体122将无法关闭，此时传输闸120的输入端的信号VIN会经由PMOS电晶体122漏到传输闸120的输出端。
技术实现思路
本专利技术的一目的在于提供一种传输闸电路，以避免一高电源电压对该传输闸电路的元件造成损害。本专利技术的另一目的在于提供一种传输闸电路，以避免电源没电时，传输闸电路的输入端的信号泄漏到传输闸电路的输出端。本公开了包含一种传输闸电路，其一实施例包含一控制电压产生电路、一高电压传输电路(例如：PMOS电路)与一低电压传输电路(例如：NMOS电路)，其中该高电压传输电路与该低电压传输电路耦接于一输入端与一输出端之间。该控制电压产生电路用来依据该输入端的一输入电压以及一使能信号产生复数个控制电压，其中该复数个控制电压包含一第一群控制电压与一第二群控制电压；当该使能信号对应一使能准位时，该第一群控制电压与该第二群控制电压的其中一群包含复数个相同电压，且该第一群控制电压与该第二群控制电压的另一群的任一电压与该复数个相同电压的一电压差不大于一预设电压(例如：额定电压)；当该使能信号对应一禁能准位时，该第一群控制电压与该第二群控制电压的每一群包含复数个递减电压。该高电压传输电路用来于该使能信号对应该使能准位(例如：高电压准位)以及该输入电压为一高准位电压时，依据该第一群控制电压而导通，从而该输出端的一输出电压等于该输入端的该输入电压，此时该第一群控制电压包含该复数个相同电压；该高电压传输电路另用来于该使能信号对应该禁能准位(例如：低电压准位)时，依据该第一群控制电压而不导通。该低电压传输电路用来于该使能信号对应该使能准位以及该输入电压为一低准位电压时，依据该第二群控制电压而导通，从而该输出电压等于该输入电压，此时该第二群控制电压包含该复数个相同电压；该低电压传输电路另用来于该使能信号对应该禁能准位时，依据该第二群控制电压而不导通。前述传输闸电路的另一实施例包含一控制电压产生电路、一高电压传输电路(例如：PMOS电路)与一低电压传输电路(例如：NMOS电路)，其中该高电压传输电路与该低电压传输电路并联，且耦接于一输入端与一输出端之间。该控制电压产生电路用来依据该输入端的一输入电压以及一使能信号产生复数个控制电压，其中该复数个控制电压包含一第一群控制电压与一第二群控制电压。该高电压传输电路用来于该使能信号对应一使能准位(例如：高电压准位)以及该输入电压为一高准位电压时，依据该第一群控制电压而导通，从而该输出端的一输出电压等于该输入端的该输入电压，此时该低电压传输电路依据该第二群控制电压而不导通；该高电压传输电路另用来于该使能信号对应一禁能准位(例如：低电压准位)时，依据该第一群控制电压而不导通。该低电压传输电路用来于该使能信号对应该使能准位以及该输入电压为一低准位电压时，依据该第二群控制电压而导通，从而该输出电压等于该输入电压，此时该高电压传输电路依据该第一群控制电压而不导通；该低电压传输电路另用来于该使能信号对应该禁能准位时，依据该第二群控制电压而不导通。有关本专利技术的特征、实作与功效，兹配合图式作较佳实施例详细说明如下。附图说明[图1]显示一传统的传输闸电路；[图2]显示本专利技术的传输闸电路的一实施例；[图3]显示图2的一示范性的实施态样；[图4]显示图2的一示范性的实施态样；[图5]显示图2的一示范性的实施态样；[图6]显示图2的控制电压产生电路的一实施例；[图7]显示图6的一实施态样；[图8]显示图6的一实施态样；以及[图9]显示图6的一实施态样。具体实施方式以下说明内容的用语是参照本
的习惯用语，如本说明书对部分用语有加以说明或定义，该部分用语的解释是以本说明书的说明或定义为准。本公开包含一种传输闸电路，能够避免一高电压(例如：高电源电压及/或高输入电压)对该传输闸电路的元件造成损害，并能避免电源没电时(例如：高电源电压为零伏特时)，该传输闸电路的输入端的信号泄漏到该传输闸电路的输出端。图2显示本专利技术的传输闸电路的一实施例。图2的传输闸电路200包含一控制电压产生电路210、一高电压传输电路220以及一低电压传输电路230，其中高电压传输电路220与低电压传输电路230并联，并耦接于一输入端与一输出端之间，该输入端的输入电压为VIN，该输出端的输出电压为VOUT。请参阅图2。控制电压产生电路210用来依据该输入电压VIN以及一使能信号EN产生复数个控制电压，该复数个控本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种传输闸电路，包含：/n一控制电压产生电路，用来依据一输入端的一输入电压以及一使能信号产生复数个控制电压，其中该复数个控制电压包含一第一群控制电压与一第二群控制电压；当该使能信号对应一使能准位时，该第一群控制电压与该第二群控制电压的其中一群包含复数个相同电压，且该第一群控制电压与该第二群控制电压的另一群的任一电压与该复数个相同电压的一电压差不大于一预设电压；当该使能信号对应一禁能准位时，该第一群控制电压与该第二群控制电压的每一群包含复数个递减电压；/n一高电压传输电路，耦接于该输入端与一输出端之间；该高电压传输电路用来于该使能信号对应该使能准位以及该输入电压为一高准位电压时，依据该第一群控制电压而导通，从而该输出端的一输出电压等于该输入端的该输入电压，此时该第一群控制电压包含该复数个相同电压；该高电压传输电路另用来于该使能信号对应该禁能准位时，依据该第一群控制电压而不导通；以及/n一低电压传输电路，耦接于该输入端与该输出端之间；该低电压传输电路用来于该使能信号对应该使能准位以及该输入电压为一低准位电压时，依据该第二群控制电压而导通，从而该输出电压等于该输入电压，此时该第二群控制电压包含该复数个相同电压；该低电压传输电路另用来于该使能信号对应该禁能准位时，依据该第二群控制电压而不导通。/n...

【技术特征摘要】
1.一种传输闸电路，包含：
一控制电压产生电路，用来依据一输入端的一输入电压以及一使能信号产生复数个控制电压，其中该复数个控制电压包含一第一群控制电压与一第二群控制电压；当该使能信号对应一使能准位时，该第一群控制电压与该第二群控制电压的其中一群包含复数个相同电压，且该第一群控制电压与该第二群控制电压的另一群的任一电压与该复数个相同电压的一电压差不大于一预设电压；当该使能信号对应一禁能准位时，该第一群控制电压与该第二群控制电压的每一群包含复数个递减电压；
一高电压传输电路，耦接于该输入端与一输出端之间；该高电压传输电路用来于该使能信号对应该使能准位以及该输入电压为一高准位电压时，依据该第一群控制电压而导通，从而该输出端的一输出电压等于该输入端的该输入电压，此时该第一群控制电压包含该复数个相同电压；该高电压传输电路另用来于该使能信号对应该禁能准位时，依据该第一群控制电压而不导通；以及
一低电压传输电路，耦接于该输入端与该输出端之间；该低电压传输电路用来于该使能信号对应该使能准位以及该输入电压为一低准位电压时，依据该第二群控制电压而导通，从而该输出电压等于该输入电压，此时该第二群控制电压包含该复数个相同电压；该低电压传输电路另用来于该使能信号对应该禁能准位时，依据该第二群控制电压而不导通。


2.如权利要求1所述的传输闸电路，其中当该使能信号对应该使能准位以及该输入电压为该高准位电压时，该低电压传输电路依据该第二群控制电压而不导通；当该使能信号对应该使能准位以及该输入电压为该低准位电压时，该高电压传输电路依据该第一群控制电压而不导通。


3.如权利要求2所述的传输闸电路，其中该高电压传输电路与该低电压传输电路并联。


4.如权利要求1所述的传输闸电路，其中该高电压传输电路包含复数个第一型电晶体，该低电压传输电路包含复数个第二型电晶体，该复数个第一型电晶体与该复数个第二型电晶体的每一个对应一额定电压。


5.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐薪承，曹太和，林柏青，
申请(专利权)人：瑞昱半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71