【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及衰减器电路，特别涉及一种电阻式衰减器以及用于改善所述电阻式衰减器的线性度的方法。
技术介绍
1、由于外部数字预失真电路典型地会在信号功率为0分贝毫瓦(decibel relativeto one millwatt,dbm)的情况下运行，因此在设计时也会基于信号功率为0分贝毫瓦的情境进行最优化。然而在某些情况下，外部数字预失真电路会需要处理更高功率诸如10分贝毫瓦的信号，而基于信号功率为0分贝毫瓦的情况设计得到的外部数字预失真电路在处理信号功率为分贝毫瓦时，整体的线性度则难以达到目标规格，例如振幅-振幅(amplitude-to-amplitude,amam)失真以及振福-相位(amplitude-to-phase,ampm)失真不符合要求，其中上述线性度问题典型地是因为外部数字预失真电路中的衰减器造成。
2、某些相关技术为了确保外部数字预失真电路处理信号功率为10分贝毫瓦的信号时也能具有良好的线性度，会在信号路径上加入额外的损耗，然而这样的方式却使得外部数字预失真电路处理信号功率为0分贝毫瓦的信号时的噪声系数(...
【技术保护点】
1.一种电阻式衰减器，包含：
2.根据权利要求1所述的电阻式衰减器，其中所述补偿电路包含第二晶体管，所述第二晶体管的栅极端子耦接至所述第二晶体管的源极端子。
3.根据权利要求2所述的电阻式衰减器，其中所述补偿电路还包含：
4.根据权利要求1所述的电阻式衰减器，其中所述至少一个衰减电路包含衰减电阻器以及开关晶体管，所述开关晶体管与所述衰减电阻器串连于所述输入端子与所述输出端子之间。
5.根据权利要求4所述的电阻式衰减器，其中所述第一晶体管的栅极端子用于控制是否致能所述第一信号路径，所述开关晶体管的栅极端子用于控制是否致能所...
【技术特征摘要】
1.一种电阻式衰减器，包含：
2.根据权利要求1所述的电阻式衰减器，其中所述补偿电路包含第二晶体管，所述第二晶体管的栅极端子耦接至所述第二晶体管的源极端子。
3.根据权利要求2所述的电阻式衰减器，其中所述补偿电路还包含：
4.根据权利要求1所述的电阻式衰减器，其中所述至少一个衰减电路包含衰减电阻器以及开关晶体管，所述开关晶体管与所述衰减电阻器串连于所述输入端子与所述输出端子之间。
5.根据权利要求4所述的电阻式衰减器，其中所述第一晶体管的栅极端子用于控制是否致能所述第一信号路径，所述开关晶体管的栅极端子用于控制是否致能所述至少一个第二信号路径，所述输入端子与所述输出端子之间的整体信号衰减根据所述第一信号路径与所述第二信号路径中的任一个是否被致能来决定。
【专利技术属性】
技术研发人员：吴依静，张家润，
申请(专利权)人：瑞昱半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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