【技术实现步骤摘要】
一种用于SiCMOSFET的电流检测装置及短路保护方法
本专利技术涉及电力电子
，尤其涉及一种用于SiCMOSFET的电流检测装置及短路保护方法。
技术介绍
SiC(碳化硅)MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)因其开关速度快、损耗低等优势成为目前应用较为广泛的新型电力电子器件。安全性和可靠性是电力电子装置正常工作的前提，快速准确的短路检测及保护方法能有效的保护功率器件。目前功率器件短路保护方法主要是退饱和法，主要原理是通过检测导通压降的变化判断功率器件是否进入退饱和状态。该方法简单实用，非常适用于IGBT(绝缘栅双极晶体管)的短路保护。在IGBT正常开通时，集射极电压随集电极电流变化程度很小，即使当IGBT发生过流时，只要IGBT没有退出饱和区，集射极电压就保持低电位，驱动电压可以相对较低，短路电流不会过高，因而IGBT能够承受相对较长的短路时间。然而，SiCMOSFET在饱和区时，漏源极电压随漏极电流的上升程度远高于IGBT，因而需要通过增加驱动电压降低导通压降，根据传导特性，随着栅极电压的增加，最大...
【技术保护点】
1.一种用于SiC MOSFET的快速电流检测装置，其特征在于，包含：/n电流检测电路，其包含至少一个多圈无变压器环，该多圈无变压器环环绕在电路回路中SiC MOSFET的漏极或源极引脚处，并以开尔文接法引出，该多圈无变压器环用于根据SiCMOSFET的漏极或源极电流产生相应的感应电动势；/n信号处理电路，其连接多圈无变压器环的两端，用于将多圈无变压器环产生的感应电动势转化为检测所需的电流信号；/n反馈控制电路，其连接信号处理电路和SiC MOSFET的栅极驱动电路，用于将检测得到的电流信号与短路电流阈值进行比较，判断是否发生短路，如果发生短路，则切断SiCMOSFET的栅...
【技术特征摘要】
1.一种用于SiCMOSFET的快速电流检测装置，其特征在于，包含：
电流检测电路，其包含至少一个多圈无变压器环，该多圈无变压器环环绕在电路回路中SiCMOSFET的漏极或源极引脚处，并以开尔文接法引出，该多圈无变压器环用于根据SiCMOSFET的漏极或源极电流产生相应的感应电动势；
信号处理电路，其连接多圈无变压器环的两端，用于将多圈无变压器环产生的感应电动势转化为检测所需的电流信号；
反馈控制电路，其连接信号处理电路和SiCMOSFET的栅极驱动电路，用于将检测得到的电流信号与短路电流阈值进行比较，判断是否发生短路，如果发生短路，则切断SiCMOSFET的栅极驱动电路的驱动信号。
2.如权利要求1所述的用于SiCMOSFET的快速电流检测装置，其特征在于，所述的信号处理电路至少包含积分电路、滤波电路、放大电路和整流电路。
3.如权利要求2所述的用于SiCMOSFET的快速电流检测装置，其特征在于，所述的积分电路采用无源积分电路或有源积分电路；
所述的滤波电路采用高通滤波电路；
所述的整流电路采用半波整流电路，或全波整流电路，或桥式整流电路。
4.如权利要求1所述的用于SiCMOSFET的快速电流检测装置，其特征在于，所述的反馈控制电路包含：电流采样电路和数字控制器，电流采样电路采样得到数字电流信号，数字控制器比较该数字电流信号和短路电流阈值的大小并根据比较结果作出相应的反馈控制动作。
5.如权利要求1所述的用于SiCMOSFET的快速电流检测装置，其特征在于，所述的反馈控制电路包含：模拟比较器和数字控制器，模拟比较器比较电流信号和短路电流...
【专利技术属性】
技术研发人员：顾欣，韩金刚，姚刚，陈昊，汤天浩，
申请(专利权)人：上海海事大学，
类型：发明
国别省市：上海;31
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