【技术实现步骤摘要】
栅极电压控制
各种实施例的方面涉及如可以被实施用于控制栅极电压的电压控制。
技术介绍
各种应用的电压控制可能是具有挑战性的。例如，晶体管(如开关电容器变换器(SCC)中的功率MOSFET)的栅极电压摆动可以由到栅极驱动器的电源电压确定。此电压可以源自于电源输入引脚或外部自举电容器。在此类应用中控制电压可能是具有挑战性的，并且可能需要使用另外的电路系统和/或需要了解是效率低的控制功能可能是什么。例如，这种自举电压源可能增加所需的电路板面积和相关成本，并且导致EMI发射和更高的噪声水平。对于开关应用，在开关期间通过功率MOSFET的峰值电流可能会很高，这可能会由于寄生电源电感而引起过度的电源振铃，并且随后导致电气过应力(EOS)损坏。在SCC启动期间，由于同时发生最大栅极-源极电压(Vgs)和漏极-源极电压(Vds)的情况，因此极高的局部功耗可能加压于功率MOSFET以及与所述功率MOSFET集成的其它电路。这些和其它问题已经对各种应用的电压控制的效率提出了挑战。
技术实现思路
各个示例实施例涉及如上...
【技术保护点】
1.一种设备，其特征在于，包括：/n场效应晶体管(FET)，所述FET具有浮栅并具有目标工作电压，当高于所述目标工作电压时，所述FET将被过度充电，并且当大约为所述目标工作电压时，所述FET具有标称工作范围；/n脉冲电路系统，所述脉冲电路系统用于以脉冲形式向所述浮栅施加电能，以在导通状态与关断状态之间周期性地切换所述FET，在操作中，相对于所述栅极的目标工作电压将所施加的能量脉冲处理为低，并且然后通过调整连续脉冲改变所述所施加的能量，直到所述栅极达到所述目标工作电压为止；以及/n反馈电路，所述反馈电路用于对所述浮栅的电压水平进行采样并使所述脉冲电路系统能够向所述浮栅施加脉冲...
【技术特征摘要】
1.一种设备，其特征在于，包括：
场效应晶体管(FET)，所述FET具有浮栅并具有目标工作电压，当高于所述目标工作电压时，所述FET将被过度充电，并且当大约为所述目标工作电压时，所述FET具有标称工作范围；
脉冲电路系统，所述脉冲电路系统用于以脉冲形式向所述浮栅施加电能，以在导通状态与关断状态之间周期性地切换所述FET，在操作中，相对于所述栅极的目标工作电压将所施加的能量脉冲处理为低，并且然后通过调整连续脉冲改变所述所施加的能量，直到所述栅极达到所述目标工作电压为止；以及
反馈电路，所述反馈电路用于对所述浮栅的电压水平进行采样并使所述脉冲电路系统能够向所述浮栅施加脉冲能量，以通过所述浮栅控制所述FET，以便基于所述标称工作范围内的所述目标工作电压指导所述FET的操作。
2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述脉冲电路系统与所述反馈电路一起被配置和布置成通过相对于先前能量脉冲的持续时间调整所施加的能量脉冲的持续时间来调整所述连续脉冲。
3.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述脉冲电路系统与所述反馈电路一起被配置和布置成通过相对于先前能量脉冲的电流水平调整所施加的能量脉冲的电流水平来调整所述连续脉冲。
4.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述脉冲电路系统与所述反馈电路一起被配置和布置成通过相对于先前能量脉冲的所述持续时间和所述电流水平调整所施加的能量脉冲的持续时间和电流水平来调整所述连续脉冲。
5.根据权利要求1所述的设备，其特征在于：
所述脉冲电路系统与所述反馈电路一起被配置和布置成在重复的基础上向所述浮栅施加多个能量脉冲；
所述反馈电路被配置和布置成在所述多个能量脉冲中的每个能量脉冲被施加之后对所述浮栅的电压水平进行采样；并且
所述脉冲电路系统与所述反馈电路一起被配置和布置成在施加先前能量脉冲之后，基于所述浮栅的采样电压水平相对于所述先前能量脉冲调整所述多个能量脉冲中的每个连续能量脉冲。
6.根据权利要求1所述的设备，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：肯尼思·钟·因·夸克，赖苏明，李学初，詹福春，卿健，
申请(专利权)人：恩智浦有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL
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