一种量子点发光器件及其制备方法、显示面板、显示装置制造方法及图纸

本申请公开了一种量子点发光器件及其制备方法、显示面板、显示装置，用以降低荧光共振能量转移，提高光致发光量子产率。本申请实施例提供的一种量子点发光器件，所述量子点发光器件包括量子点发光层；所述量子点发光层包括：发光量子点以及与所述发光量子点混合的半导体间隔材料；所述半导体间隔材料的能级跨越所述发光量子点的禁带。

【技术实现步骤摘要】
一种量子点发光器件及其制备方法、显示面板、显示装置
本申请涉及显示
，尤其涉及一种量子点发光器件及其制备方法、显示面板、显示装置。
技术介绍
随着量子点材料的发展、器件结构的不断优化以及电荷有效输运等研究的持续深入，量子点电致发光二极管(QuantumDotLightEmittingDiode，QLED)显示将超越光致发光的量子点增亮膜和量子点彩色滤光片，有望成为下一代主流显示技术。在薄膜状态下，量子点之间的非辐射荧光共振能量转移(FluorescenceResonancEnergyTransfer，FRET)是改变量子点性质的一个因素，当施主与受主之间的距离越来越近且施主发射和受主吸收的光谱重叠越大时，FRET通过点间耦合而发生。因此，当量子点彼此接近时，大的光谱重叠不会引起量子点中形成的激子的辐射复合，而是在激子的接近和非辐射猝灭中激发其他量子点。与溶液状态相比，量子点薄膜中量子点之间的距离极短，非常容易发生FRET，导致发光峰位红移和光致发光量子产率(Photoluminescencequantumyield，PLQY)降低本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点发光器件，其特征在于，所述量子点发光器件包括量子点发光层；所述量子点发光层包括：发光量子点以及与所述发光量子点混合的半导体间隔材料；所述半导体间隔材料的能级跨越所述发光量子点的禁带。/n

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光器件，其特征在于，所述量子点发光器件包括量子点发光层；所述量子点发光层包括：发光量子点以及与所述发光量子点混合的半导体间隔材料；所述半导体间隔材料的能级跨越所述发光量子点的禁带。


2.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述半导体间隔材料包括间隔量子点，相邻的所述发光量子点之间具有一个或多个所述间隔量子点。


3.根据权利要求2所述的量子点发光器件，其特征在于，所述间隔量子点的直径为3纳米～5纳米。


4.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述发光量子点为红光量子点或绿光量子点时，所述半导体间隔材料为蓝光量子点。


5.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述量子点发光器件还包括：分别位于所述量子点发光层两侧的阳极和阴极、位于所述阳极和所述量子点发光层之间的空穴注入层、位于所述空穴注入层和所述量子点发光层之间的空穴传输层，以及在所述量子点发光层和所述阴极之间的电子传输层。


6.一种量子点发光器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
提供衬底基板；
在所述衬底基板之上形成包括发光量子点和半导体间隔...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯靖雯，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11