一种量子点发光二极管及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种量子点发光二极管及其制备方法，包括由空穴传输层I和空穴传输层II依次设置组成的双空穴传输层，空穴传输层I采用的材料为第一空穴传输材料，第一空穴传输材料包括分子结构中具有以苯乙烯为热交联基团的第一化合物，可通过加热交联；空穴传输层II采用的材料为第二空穴传输材料，第二空穴传输材料包括分子结构中具有以苯乙烯为热交联基团的第二化合物，可通过加热交联，第一、第二空穴传输材料具有不同HOMO能级。该双层空穴传输层各层均具有良好的耐溶剂性，从而避免印刷工艺中膜层之间的侵蚀破坏作用，还具有梯度能级，有效解决器件中空穴注入量子点发光层效率低下的问题，大大提升了器件的效率，同时降低了器件的开启电压。

【技术实现步骤摘要】
一种量子点发光二极管及其制备方法
本专利技术属于光电材料
，具有涉及一种量子点电致发光二极管及其制备方法。
技术介绍
量子点发光二极管(QLEDs)因其拥有窄的发射光谱、可控的发射波长、较高的量子产率、良好的稳定性、可溶液加工、成本低廉等特点而受到广泛关注。到目前为止，QLED已经达到了超过20％的外部量子效率(EQE)，但均是通过旋涂方法制备的，难以实现图案化和像素显示面板中制备红-绿-蓝(RGB)全彩的量子点层，限制了其在全彩显示领域的应用。喷墨打印技术是解决上述问题的有效途径。然而，对于印刷器件来说，连续的多层沉积还是具有挑战性的，这是因为第二层的沉积可能对第一层的膜层有破坏作用。已有多项研究报道了喷墨打印QLED，但器件的性能并不理想，在喷墨打印技术中，寻找能实现无咖啡环图案膜层的合适的正交溶剂具有极大的挑战性。另一方面，量子点器件中空穴的注入/传输效率远低于电子的注入/传输效率，主要由于传统的作为空穴传输材料的半导体聚合物的空穴迁移率较低，且从空穴注入层(HOMO～-5.2eV)到量子点层(VB低于-6.5eV)的注入势本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点发光二极管，包括由空穴传输层I和空穴传输层II依次设置组成的双空穴传输层，所述空穴传输层I采用材料的HOMO能级不同于所述空穴传输层II采用材料的HOMO能级，其特征在于：所述空穴传输层I采用的材料为第一空穴传输材料，所述第一空穴传输材料包括分子结构中具有以苯乙烯为热交联基团的第一化合物，可通过加热交联；所述空穴传输层II采用的材料为第二空穴传输材料，所述第二空穴传输材料包括分子结构中具有以苯乙烯为热交联基团的第二化合物，可通过加热交联。/n

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光二极管，包括由空穴传输层I和空穴传输层II依次设置组成的双空穴传输层，所述空穴传输层I采用材料的HOMO能级不同于所述空穴传输层II采用材料的HOMO能级，其特征在于：所述空穴传输层I采用的材料为第一空穴传输材料，所述第一空穴传输材料包括分子结构中具有以苯乙烯为热交联基团的第一化合物，可通过加热交联；所述空穴传输层II采用的材料为第二空穴传输材料，所述第二空穴传输材料包括分子结构中具有以苯乙烯为热交联基团的第二化合物，可通过加热交联。


2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于：所述第一空穴传输材料为浅HOMO能级的材料，所述浅HOMO能级指的是HOMO能级在-5.3～-5.6eV。


3.根据权利要求1或2所述的量子点发光二极管，其特征在于：所述第一化合物为化合物1～11中的一种或几种。











4.根据权利要求1或2所述的量子点发光二极管，其特征在于：所述第一空穴传输材料还包括聚合物TFB、聚合物Poly-TPD、聚合物TAA中的一种或几种，





5.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于：所述第二空穴传输材料为深HOMO能级的材料，所述深能级指的是HOMO能级在-5.7～-6.2eV。


6.根据权利要求1或5所述的量子点发光二...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏文明，谢黎明，刘扬，
申请(专利权)人：苏州欧谱科显示科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32