一种含双重氮基团的交联剂及其制备方法和应用技术

本发明专利技术提供一种含双重氮基团的交联剂及其制备方法和应用，所述含双重氮基团的交联剂具有式I所示结构。本发明专利技术的含双重氮基团的交联剂在紫外光照射或加热条件下生成卡宾自由基，其能够进攻空穴传输聚合物烷基侧链上的C

【技术实现步骤摘要】
一种含双重氮基团的交联剂及其制备方法和应用


[0001]本专利技术属于半导体材料
，涉及一种含双重氮基团的交联剂及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]相比于有机发光二极管，量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)作为最具有应用前景的下一代自发光显示技术，拥有能耗低、色纯度高、色域广等诸多显著的优势。
[0003]鉴于量子点只能适用于溶液法制备发光显示器件，因此喷墨打印技术成为制备QLED器件的不二选择。喷墨打印制备方式，具有材料利用率高、可适用于大尺寸面板制备的特点，在新型显示技术中竞争力强，有广阔的发展前景。
[0004]喷墨打印QLED，要求所用材料必须可以进行溶液化处理，且各功能层之间不能发生互相侵蚀的现象，因此就要求下层功能层对上层溶液具有良好的抗溶剂性和铺展性。其中，目前空穴传输层主要使用高分子空穴传输材料，虽然具有可溶液处理特性，但是其不具有抗溶剂性并且表面能较低，会发生层间侵蚀问题并且不利于上层溶液的铺展。
[0005]CN111816794A公开了一种PEIE介入标准倒置QLED器件及其制备方法，包括如下步骤：(1)在柔性衬底上沉积ZnO电子注入层；(2)在ZnO电子注入层上旋涂PEIE溶液，制得界面修饰层A；(3)在界面修饰层A上沉积量子点发光层，所述量子点发光层的材料为ZnCdSeS/ZnS绿光量子点；(4)在量子点发光层上沉积PEIE溶液，制得界面修饰层B；(5)在界面修饰层B上沉积空穴传输层和空穴注入层，所述的空穴传输层为PVK、TFB、poly
‑
TPD、TCTA、CBP中的一种或多种，所述的空穴注入层为PEDOT:PSS；(5)蒸镀顶电极，所述顶电极为Al、Ag、Cu、Au或合金电极；待器件蒸镀完成后，对其进行封装即可。该专利技术的空穴传输层不具有抗溶剂性，并且其表面能有待提高。
[0006]因此，在本领域中期望开发一种可以交联高分子空穴传输材料的化合物，通过在光热条件下，实现空穴传输层界面的抗溶剂性，有效改善空穴传输层的表面能，从而有利于上层发光层溶剂的铺展，提高发光层界面的稳定性，从而实现喷墨印刷高效制备QLED器件。

技术实现思路

[0007]针对现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种含双重氮基团的交联剂，本专利技术的交联剂在光热条件下可以与高分子空穴传输材料(例如聚合物Poly
‑
TPD或者TFB)发生反应，使得制备的空穴传输层具有普适的抗溶剂性，并且其表面能得到改善。
[0008]为达到此专利技术目的，本专利技术采用以下技术方案：
[0009]第一方面，本专利技术提供一种含双重氮基团的交联剂，所述含双重氮基团的交联剂具有式I所示结构：
[0010][0011]其中，R1为氢、卤素、取代或未取代的含有1
‑
20个碳原子的烷基，所述取代的含有1
‑
20个碳原子的烷基中的取代基包括酯基或酰胺基；R2为含有1
‑
20个碳原子的直链或支链的亚烷基、或者所述含有1
‑
20个碳原子的直链或支链的亚烷基中的一个或不相邻的两个以上的
‑
CH2‑
基团以氧原子不直接相邻的方式分别独立地被
‑
O
‑
基团替代后的基团、或者所述含有1
‑
20个碳原子的直链或支链的亚烷基中的一个
‑
CH2‑
基团被环烷基或杂环烷基取代后的基团。
[0012]在本专利技术中，含双重氮基团的交联剂在紫外光照射或加热条件下生成卡宾自由基，能够进攻烷基碳链上的C
‑
H键，并与之形成新的碳碳键，进而发生交联反应，反应机理如下所示：
[0013][0014]其中，表示烷基碳链。
[0015]在本专利技术中，所述含有1
‑
20个碳原子的直链或支链的亚烷基可以为含有1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19或20个碳原子的直链或支链的亚烷基。在本专利技术中，所述直链或支链的亚烷基的实例可以为亚甲基、1,2
‑
亚乙基、1,3
‑
亚丙基、1,4
‑
亚丁基、1,5
‑
亚戊基、1,8
‑
亚辛基等。
[0016]在本专利技术中，所述含有1
‑
20个碳原子的直链或支链的亚烷基中的一个或不相邻的两个以上的
‑
CH2‑
基团以氧原子不直接相邻的方式分别独立地被
‑
O
‑
基团替代是指在含有1
‑
20个碳原子的直链或支链的亚烷基中
‑
CH2‑
基团可以被
‑
O
‑
基团所取代，但是不能是相邻的两个
‑
CH2‑
基团同时被取代，并且不能以氧原子直接相连的方式进行取代，例如将
‑
CH2CH2CH2‑
中一个
‑
CH2‑
替换成
‑
O
‑
即为
‑
CH2OCH2‑
，将
‑
CH2CH2CH2CH2‑
中两个
‑
CH2‑
替换成
‑
O
‑
即为
‑
OCH2OCH2‑
，而不能是
‑
OOCH2CH2‑
。
[0017]优选地，所述R1为氢或氟。
[0018]优选地，所述R2为
‑
(CH2CH2O)
m
‑
(C2H4)
n
‑
、
中的任意一种，其中，m的取值为0
‑
4的整数(例如0、1、2、3或4)，n的取值为1
‑
4的整数(例如1、2、3或4)，虚线表示基团的接入位置。
[0019]优选地，所述含双重氮基团的交联剂选自化合物1
‑
14中的任意一种：
[0020][0021][0022]第二方面，本专利技术提供一种第一方面所述的含双重氮基团的交联剂的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：
[0023](1)将二元醇与芳基乙酰氯反应，得到中间体，反应式如下：
[0024][0025](2)将步骤(1)的中间体和4
‑
甲基苯磺酰叠氮反应，得到式I所示含双重氮基团的交联剂，反应式如下：
[0026][0027]其中，R1、R2具有与第一方面中相同的限定范围。
[0028]优选地，步骤(1)所述二元醇包括二甘醇、三甘醇、四甘醇、1,4
‑
丁二醇、1,4
‑
环己烷二甲醇、2,5
‑
己二醇、2
‑
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种含双重氮基团的交联剂，其特征在于，所述含双重氮基团的交联剂具有式I所示结构：其中，R1为氢、卤素、取代或未取代的含有1
‑
20个碳原子的烷基，所述取代的含有1
‑
20个碳原子的烷基中的取代基包括酯基或酰胺基；R2为含有1
‑
20个碳原子的直链或支链的亚烷基、或者所述含有1
‑
20个碳原子的直链或支链的亚烷基中的一个或不相邻的两个以上的
‑
CH2‑
基团以氧原子不直接相邻的方式分别独立地被
‑
O
‑
基团替代后的基团、或者所述含有1
‑
20个碳原子的直链或支链的亚烷基中的一个
‑
CH2‑
基团被环烷基或杂环烷基取代后的基团。2.根据权利要求1所述的含双重氮基团的交联剂，其特征在于，所述R1为氢或氟。3.根据权利要求1或2所述的含双重氮基团的交联剂，其特征在于，所述R2为
‑
(CH2CH2O)
m
‑
(C2H4)
n
‑
、、中的任意一种，其中，m的取值为0
‑
4的整数，n的取值为1
‑
4的整数，虚线表示基团的接入位置。4.根据权利要求1
‑
3中任一项所述的含双重氮基团的交联剂，其特征在于，所述含双重氮基团的交联剂选自化合物1
‑
14中的任意一种：
5.根据权利要求1
‑
4中任一项所述的含双重氮基团的交联剂的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：(1)将二元醇与芳基乙酰氯反应，得到中间体，反应式如下：(2)将步骤(1)的中间体和4
‑
甲基苯磺酰叠氮反应，得到式I所示含双重氮基团的交联剂，反应式如下：其中，R1、R2具有与权利要求1中相同的限定范围。6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述二元醇包括二甘醇、三甘醇、四甘醇、1,4
‑
丁二醇、1,4
‑
环己烷二甲醇、2,5
‑
己二醇、2

【专利技术属性】
技术研发人员：易袁秋强，苏文明，刘扬，
申请(专利权)人：苏州欧谱科显示科技有限公司，
类型：发明
国别省市：