一种空穴传输材料及其应用制造技术

技术编号:24892110 阅读:37 留言:0更新日期:2020-07-14 18:18
本发明专利技术涉及一种空穴传输材料及其应用,该空穴传输材料包括通式I所示化合物,

【技术实现步骤摘要】
一种空穴传输材料及其应用
本专利技术属于光电材料
,具有涉及一种高迁移率热交联型空穴传输材料及其在量子点器件中的应用。
技术介绍
以量子点薄膜作为发光层的量子点器件由于具有发射光谱连续可调,较高的色纯度,绝佳的柔性,可溶液加工以及高的光稳定性(可实现大面积)特性,大量的研究工作已经被投入,其被认为极具潜力的下一代显示技术。由于量子点器件通常是通过诸如旋涂、喷墨印刷等溶液薄膜加工方法制备,如何形成光滑均一的薄膜以及防止在沉积下一层时破坏底功能层至关重要。上层溶剂对下层薄膜的破坏可能导致QLED严重的短路和非发光复合问题。制成的HTL经常被非极性有机溶剂(例如甲苯和氯苯)重新溶解,而这些常被用作QD分散的溶剂。目前主要采用的方法是严格选取正交溶剂,但这种方法大大限制了空穴传输材料与量子点溶剂种类的选择。交联工艺在具有可溶前体,然后提供不受溶剂限制的不溶层,已成功用于多层溶液加工的光电和电子设备中。另外,目前常用的电子传输层ZnO的电子迁移率远高于现有空穴传输层,造成空穴电子注入不平衡,因而开发热交联型完全抗溶剂、高迁移率的空穴传输材料本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种空穴传输材料,其特征在于,包括通式I所示化合物,/n

【技术特征摘要】
1.一种空穴传输材料,其特征在于,包括通式I所示化合物,



式中,R1、R2分别独自选自C1-C30烷基;
R3为苯基或被取代基取代的苯基、萘基或被取代基取代的萘基中的一种,其中,所述取代基为碳原子数1-20的直链或者支链烷基、碳原子数1-20的烷氧基中的一种或几种;
R4为或R6,其中,R5为苯基或被取代基取代的苯基,且当为R5为被取代基取代的苯基时,R6连接在的苯环上,所述取代基为碳原子数1-20的直链或者支链烷基、碳原子数1-20的烷氧基中的一种或几种,m、n独自地选自1~10的正整数;R6为乙烯基。


2.根据权利要求1所述的空穴传输材料,其特征在于:所述R1、R2分别独自选自C1-C10烷基。


3.根据权利要求1所述的空穴传输材料,其特征在于:所述R1、R2选自相同的基团...

【专利技术属性】
技术研发人员:苏文明谢黎明刘扬
申请(专利权)人:苏州欧谱科显示科技有限公司
类型:发明
国别省市:江苏;32

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