有机发光二极管和包括其的有机发光显示装置制造方法及图纸

本公开提供了一种有机发光二极管和包括其的有机发光显示装置。该有机发光二极管包括：第一电极；面向第一电极的第二电极；以及包括p型基质、n型基质和磷光掺杂剂并且位于第一电极和第二电极之间的发光材料层，其中，p型基质的第一HOMO能级等于或低于n型基质的第二HOMO能级，并且n型基质的单线态能级与n型基质的三线态能级之间的差大于0.3eV且小于0.5eV。

【技术实现步骤摘要】
有机发光二极管和包括其的有机发光显示装置相关申请的交叉引用本申请要求2018年12月27日在韩国提交的韩国专利申请第10-2018-0170830号的权益，其全部内容通过引用并入本文中。
本公开涉及有机发光二极管，并且更具体地，涉及具有高发光效率和长寿命的有机发光二极管(OLED)以及包括OLED的有机发光显示装置。
技术介绍
近来，对于具有小占用面积的平板显示装置的需求增加。在平板显示装置中，包括OLED的有机发光显示装置的技术迅速发展。OLED通过如下方式发光：将来自作为电子注入电极的阴极的电子和来自作为空穴注入电极的阳极的空穴注入至有机发光层中，使电子与空穴结合，生成激子，并且使激子从激发态转变成基态。柔性透明基板例如塑料基板可以用作形成有元件的基底基板。另外，OLED可以在比操作其他显示装置所需的电压低的电压(例如，10V或更低)下操作，并且具有低功耗。此外，来自OLED的光具有优异的颜色纯度。OLED包括作为阳极的第一电极、面向第一电极的作为阴极的第二电极以及在第一电极与第二电极之间的有机发光层。...

【技术保护点】
1.一种有机发光二极管，包括：/n第一电极；/n面向所述第一电极的第二电极；以及/n包括p型基质、n型基质和磷光掺杂剂并且位于所述第一电极与所述第二电极之间的发光材料层，/n其中所述p型基质的第一HOMO(最高占据分子轨道)能级等于或低于所述n型基质的第二HOMO能级，并且在所述n型基质的单线态能级与所述n型基质的三线态能级之间的差大于0.3eV且小于0.5eV。/n

【技术特征摘要】
20181227 KR 10-2018-01708301.一种有机发光二极管，包括：
第一电极；
面向所述第一电极的第二电极；以及
包括p型基质、n型基质和磷光掺杂剂并且位于所述第一电极与所述第二电极之间的发光材料层，
其中所述p型基质的第一HOMO(最高占据分子轨道)能级等于或低于所述n型基质的第二HOMO能级，并且在所述n型基质的单线态能级与所述n型基质的三线态能级之间的差大于0.3eV且小于0.5eV。


2.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述n型基质的重量百分比等于或大于所述p型基质的重量百分比。


3.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述磷光掺杂剂在所述发光材料层中按重量计为1％至5％。


4.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述p型基质的第一LUMO(最低未占分子轨道)能级高于所述n型基质的第二LUMO能级。


5.根据权利要求4所述的有机发光二极管，其中所述磷光掺杂剂的第三LUMO能级低于所述第一LUMO能级并且高于所述第二LUMO能级。


6.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述磷光掺杂剂的第三HOMO能级等于或高于所述第二HOMO能级。


7.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述p型基质由式1-1或式1-2表示：
[式1-1]



[式1-2]



其中X和Y各自独立地选自氧和硫，并且Z为N或CR15，
其中R1至R15各自独立地选自氕、氘、烷基甲硅烷基、芳基甲硅烷基、C1至C10烷基、C1至C10烷氧基、C6至C30芳基、C5至C30杂芳基、烷基胺、杂芳基胺和芳基胺，或者R1至R15中的相邻两个可形成稠环。


8.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述n型基质由式3-1或式3-2表示：
[式3-1]



[式3-2]



其中R1至R3各自独立地选自氕、氘、C1至C10烷基、C6至C30芳基以及C5至C30杂芳基，并且m为0至4的整数。


9.根据权利要求8所述的有机发光二极管，其中所述n型基质是以下化合物之一：








10.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述磷光掺杂剂由式5表示：
[式5]



其中R1至R16各自独立地选自氕、氘、卤素、氰基、C1至C10烷基、C1至C10烷氧基、C6至C30芳基以及C5至C30杂芳基，或者R1至R16中的相邻两个可形成稠环，而n为1至3的整数。

【专利技术属性】
技术研发人员：崔炯锺，洪太良，金捘演，金进喜，A·R·李，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，秀博瑞殷株式公社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR