一种量子点发光二极管制造技术

本发明专利技术公开一种量子点发光二极管，包括阴极、阳极以及设置在阴极和阳极之间的量子点发光层，所述阴极和量子点发光层之间设置有功能层，所述功能层包括n层层叠设置的功能结构单元，所述功能结构单元由层叠设置的电子阻挡材料层和电子传输层组成，所述功能结构单元中的电子阻挡材料层靠近量子点发光层设置，所述功能结构单元中的电子传输层靠近阴极设置，所述n为大于等于1的整数。本发明专利技术量子点发光二极管通过所述功能层的设置能够降低电子传输至量子点发光层的传输速率，从而平衡电子和空穴的注入速率，以提高载流子在量子点层中的复合效率，进而提高量子点发光二极管的发光效率、稳定性和使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种量子点发光二极管
本专利技术涉及量子点领域，尤其涉及一种量子点发光二极管。
技术介绍
量子点发光二级管（QLED）为典型的三明治结构，由电极，功能层，发光层等构成。在外加电压的激发下，载流子通过两端电极由各功能层进入到量子点进行复合形成激子，复合后的激子通过辐射跃迁的形式释放光子，从而发光。由于胶体量子点自身具有发光效率高、色纯度高、色域广、稳定性好等特性，QLED不仅承袭了量子点的这些优异的性能，而且QLED还具有自发光、可视角广、可弯曲等特点，表现出极大的商业应用前景，成为新一代新型与照明显示领域的重要研究方向。同时，由于量子点本身是采用溶液法加工制备，非常适合配置成油墨，然后采用印刷、喷墨等方式实现大规模、大面积化制备。目前，经过二十多年的研究与发展，QLED器件得到了迅速发展，并取得了显著的成果。特别是近年来由对功能层的调控转至对量子点自身的调控，对量子点进行合金化和厚壳层的生长极大的推动了QLED器件性能的提升。现阶段，对于QLED器件而言，如何同步提升器件效率、寿命和稳定性，仍然是一个极具挑战性的难题。通常，半导体量子点本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点发光二极管，包括阴极、阳极以及设置在阴极和阳极之间的量子点发光层，其特征在于，所述阴极和量子点发光层之间设置有功能层，所述功能层包括n层层叠设置的功能结构单元，所述功能结构单元由层叠设置的电子阻挡材料层和电子传输层组成，所述功能结构单元中的电子阻挡材料层靠近量子点发光层设置，所述功能结构单元中的电子传输层靠近阴极设置，所述n为大于等于1的整数。/n

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光二极管，包括阴极、阳极以及设置在阴极和阳极之间的量子点发光层，其特征在于，所述阴极和量子点发光层之间设置有功能层，所述功能层包括n层层叠设置的功能结构单元，所述功能结构单元由层叠设置的电子阻挡材料层和电子传输层组成，所述功能结构单元中的电子阻挡材料层靠近量子点发光层设置，所述功能结构单元中的电子传输层靠近阴极设置，所述n为大于等于1的整数。


2.根据权利要求1所述的量子点发光二级管，其特征在于，所述电子阻挡材料层的材料选自PVK、Poly-TPD、NPB、TCTA、TAPC、CBP、TFB和DNA中的一种或多种；
或所述电子阻挡材料层的材料选自化合物掺杂的PVK、Poly-TPD、NPB、TCTA、TAPC、CBP、TFB和DNA中的一种或多种，所述化合物选自Li-TFSI、NiO、CuSCN、MoO3、CuO、V2O5或CuS中的一种。


3.根据权利要求1所述的量子点发光二级管，其特征在于，所述电子阻挡材料层的LUMO能级为-2.0~-5.0eV。


4.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述n为大于等于2的整数，且所述n层功能结构单元中的相邻两层功能结构单元中，靠近阴极的电子阻挡材料层材料的LUMO能级大于靠近量子点发光层的电子阻挡材料层材料的LUMO能级。

【专利技术属性】
技术研发人员：聂志文，杨一行，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44