【技术实现步骤摘要】
一种双面透明电极的垂直结构LED芯片及其制备方法
本专利技术涉及LED芯片制造
，特别涉及一种双面透明电极的垂直结构LED芯片及其制备方法。
技术介绍
发光二极管(LightEmittingDiode，LED)是靠PN结把电能转换成光能的一种器件，具有可控性好、启动快、寿命长、发光效率高、安全、节能环保等优点，不仅带动照明产业的深刻变革，同时还引领着显示屏领域的创新。随着LED产业的发展，大功率LED越来越受到人们的青睐，在大功率LED中，垂直结构LED芯片以其可通大电流和出光方向好而受各到市场青睐，各大LED芯片厂，也开发出其自身的垂直结构LED芯片技术，然而，目前垂直结构LED芯片由于p面电极是纯Ag电极，虽有较高的反射率，但不好做欧姆接触，电压不稳定；此外，n面电极为局部线性金属，电流扩展不好，且吸光挡光。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提出一种双面透明电极的垂直结构LED芯片及其制备方法，能够解决传统垂直结构LED芯片存在的电压不稳定和电流扩展不好的技术问题。本专利技术的...
【技术保护点】
1.一种双面透明电极的垂直结构LED芯片，其特征在于，包括支撑导电基板(1)、键合金属层(2)、保护金属层(3)、反射金属层(4)、p面透明电极(5)、外延层(6)、钝化绝缘层(7)和n面透明电极(8)，所述键合金属层(2)安装在所述支撑导电基板上(1)，所述保护金属层(3)安装在所述键合金属层(2)上，所述反射金属层(4)安装在所述保护金属层(3)上，所述p面透明电极(5)安装在所述反射金属层(4)上，所述外延层(6)安装在所述p面透明电极(5)上，所述钝化绝缘层(7)设置在所述外延层(6)的外周，并与所述外延层(6)顶部形成第一凹槽(9)，所述n面透明电极(8)底部设置...
【技术特征摘要】
1.一种双面透明电极的垂直结构LED芯片，其特征在于，包括支撑导电基板(1)、键合金属层(2)、保护金属层(3)、反射金属层(4)、p面透明电极(5)、外延层(6)、钝化绝缘层(7)和n面透明电极(8)，所述键合金属层(2)安装在所述支撑导电基板上(1)，所述保护金属层(3)安装在所述键合金属层(2)上，所述反射金属层(4)安装在所述保护金属层(3)上，所述p面透明电极(5)安装在所述反射金属层(4)上，所述外延层(6)安装在所述p面透明电极(5)上，所述钝化绝缘层(7)设置在所述外延层(6)的外周，并与所述外延层(6)顶部形成第一凹槽(9)，所述n面透明电极(8)底部设置有与第一凹槽(9)相匹配的凸起(801)。
2.根据权利要求1所述的一种双面透明电极的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述n面透明电极(8)顶部设置有第二凹槽(802)。
3.根据权利要求2所述的一种双面透明电极的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述钝化绝缘层(7)包括设置在所述外延层(6)外周的立柱绝缘层(701)和设置在所述外延层(6)顶部的横柱绝缘层(702)。
4.根据权利要求3所述的一种双面透明电极的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述p面透明电极(5)采用石墨烯、ITO、ZnO和Ga2O3中的任意一种透明导电材料，所述p面透明电极(5)厚度为5nm-10000nm。
5.根据权利要求4所述的一种双面透明电极的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述n面透明电极(8)采用石墨烯、ITO、ZnO和Ga2O3中的任意一种透明导电材料，所述n面透明电极(8)厚度为5nm-10000nm。
6.根据权利要求5所述的一种双面透明电极的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述保护金属层(3)为Ti、TiW、Pt、Ni、Cr和Au的多金属叠层，所述保护金属层(3)厚度为100nm-5000nm。
7.根据权利要求6所述的一种双面透明电极的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述键合金属层(2)为Ni和S...
【专利技术属性】
技术研发人员：李国强，
申请(专利权)人：河源市众拓光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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