发光元件和发光元件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种发光元件和发光元件的制造方法。所述发光元件包括：基板；发光结构体，布置于所述基板上，且包括n型半导体层、p型半导体层以及位于所述n型半导体层与所述p型半导体层之间的活性层；ITO层，欧姆接触于所述p型半导体层；ZnO透明电极层，在所述p型半导体层上覆盖所述ITO层的上表面及侧面，并具有逆倾斜的侧面；分布式布拉格反射器，与所述发光结构体相向而布置于所述基板下表面；n电极，布置于所述n型半导体层上；以及p电极，布置于所述p型半导体层上。

【技术实现步骤摘要】
发光元件和发光元件的制造方法本申请是申请日为2016年08月23日、申请号为201680064395.9、专利技术名称为“具有ZnO透明电极的发光元件及其制造方法”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及一种发光元件及其制造方法，尤其涉及一种具有ZnO透明电极的发光元件及其制造方法。
技术介绍
在诸如利用氮化物系半导体的发光二极管等发光元件中，p型半导体层具有相对低于n型半导体层的导电性。因此，电流在p型半导体层无法沿水平方向有效地分散，从而发生电流集中于半导体层的特定部分的现象(currentcrowding)。在半导体层内产生电流集中的情况下，发光二极管对静电放电变得脆弱，且漏电流较大并发生效率下降(droop)。通常，为了p型半导体层内的电流分散使用ITO(铟锡氧化物：indiumtimoxide)层。由于ITO层使光透射并具有导电性，因此能够使电流在p型半导体层的较大的面积分散。然而，由于ITO层也具有光吸收率，所以增加厚度是有限度的。因此，利用ITO层进行电流分散也是有限的。为了助于利用诸如ITO层等透明本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光元件，其中，包括：/n基板；/n发光结构体，布置于所述基板上，且包括n型半导体层、p型半导体层以及位于所述n型半导体层与所述p型半导体层之间的活性层；/nITO层，欧姆接触于所述p型半导体层；/nZnO透明电极层，在所述p型半导体层上覆盖所述ITO层的上表面及侧面，并具有逆倾斜的侧面；/n分布式布拉格反射器，与所述发光结构体相向而布置于所述基板下表面；/nn电极，布置于所述n型半导体层上；以及/np电极，布置于所述p型半导体层上。/n

【技术特征摘要】
20150903 KR 10-2015-0125058;20150904 KR 10-2015-011.一种发光元件，其中，包括：
基板；
发光结构体，布置于所述基板上，且包括n型半导体层、p型半导体层以及位于所述n型半导体层与所述p型半导体层之间的活性层；
ITO层，欧姆接触于所述p型半导体层；
ZnO透明电极层，在所述p型半导体层上覆盖所述ITO层的上表面及侧面，并具有逆倾斜的侧面；
分布式布拉格反射器，与所述发光结构体相向而布置于所述基板下表面；
n电极，布置于所述n型半导体层上；以及
p电极，布置于所述p型半导体层上。


2.如权利要求1所述的发光元件，其中，
所述ZnO透明电极层具有包括下部ZnO层及上部ZnO层的多层结构，
所述上部ZnO层具有低于所述下部ZnO层的折射率。


3.如权利要求1所述的发光元件，其中，
所述ZnO透明电极层利用水热合成法沉积于所述ITO层上。


4.如权利要求1所述的发光元件，其中，
所述ZnO透明电极层具有薄膜形态的连续的单晶结...

【专利技术属性】
技术研发人员：李珍雄，申赞燮，李锦珠，李剡劤，梁明学，雅克布·J·理查德森，埃文·C·奥哈拉，
申请(专利权)人：首尔伟傲世有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR