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本发明公开了一种双面透明电极的垂直结构LED芯片及其制备方法，结构从下至上依次包括支撑导电基板、键合金属层、保护金属层、反射金属层、p面透明电极、外延层、钝化绝缘层和n面透明电极，其中，所述钝化绝缘层设置在所述外延层的外周，并与所述外延层顶...
该专利属于河源市众拓光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过河源市众拓光电科技有限公司授权不得商用。

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