一种多介质检测传感器及其制作方法技术

本发明专利技术实施例提供的一种多介质检测传感器及其制作方法，其中多介质检测传感器包括：衬底；栅极，设置于所述衬底上表面；有源层，覆盖在所述衬底的上表面，在所述栅极与所述有源层之间形成腔体结构；其中，所述腔体结构用于容纳气体介质形成栅介质层；其中，所述有源层为铟镓锌氧化物；源极和漏极，间隔的覆盖在所述有源层的两侧表面。本发明专利技术提供的多介质检测传感器可实现单一传感器进行紫外光以及多种气体的检测。

【技术实现步骤摘要】
一种多介质检测传感器及其制作方法
本专利技术涉及半导体材料及微电子
，具体而言，涉及一种多介质检测传感器及其制作方法。
技术介绍
随着生活水平的提高和环保意识的加强，人们对各种有毒有害物质的检测，对大气污染、工业废气的检测以及对食品和居住环境质量的检测都提出了更高的要求，作为感官或信号输入部分之一的各种类型的传感器在生产、生活中作用日益凸显。因此，可以测试不同介质的多用途传感器被广泛关注。现有的传感器一般都只能完成一种介质的检测，例如：基于硅基光电二极管的光感器只能检测光介质；基于电化学的气体传感器只能检测气体介质等。如果需要检测多种介质，则需要将不同类型的传感器集成在一起。这种集成在一起的传感器不仅成本升高，而且由于信号处理方式不同，不便于集成在同一设备上。因此，可见目前单一的传感器还难以针对多种介质进行同时检测。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例的目的在于提供一种多介质检测传感器及其制作方法，其中多介质检测传感器或采用该多介质检测传感器的制作方法制作而成的传感器，可在不集成多种传感器的情况下可同时用本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多介质检测传感器，其特征在于，包括：/n衬底；/n栅极，设置于所述衬底上表面；/n有源层，覆盖在所述衬底的上表面，在所述栅极与所述有源层之间形成腔体结构；其中，所述腔体结构用于容纳气体介质形成栅介质层，所述有源层为铟镓锌氧化物；/n源极和漏极，间隔的覆盖在所述有源层的两侧表面。/n

【技术特征摘要】
1.一种多介质检测传感器，其特征在于，包括：
衬底；
栅极，设置于所述衬底上表面；
有源层，覆盖在所述衬底的上表面，在所述栅极与所述有源层之间形成腔体结构；其中，所述腔体结构用于容纳气体介质形成栅介质层，所述有源层为铟镓锌氧化物；
源极和漏极，间隔的覆盖在所述有源层的两侧表面。


2.根据权利要求1所述的多介质检测传感器，其特征在于，所述铟镓锌氧化物的厚度小于500nm。


3.根据权利要求2所述的多介质检测传感器，其特征在于，所述铟镓锌氧化物的厚度为50-500nm。


4.根据权利要求1所述的多介质检测传感器，其特征在于，所述源极的一边部和所述漏极的一边部均延伸至所述衬底上表面。


5.根据权利要求1所述的多介质检测传感器，其特征在于，所述栅介质层的厚度为500nm-1000nm。


6.一种多介质检测传感器的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底上方制作覆盖栅极的牺牲层；<...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆丛研，卢年端，李泠，刘宇，王嘉玮，耿玓，刘明，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11