存储器制造技术

本发明专利技术公开了一种存储器，具体地，其包括：不同性能的存储单元，各个存储单元设置有一固定阈值VTH，该VTH用至少三位二进制数表示；读取模块，读取存储单元的电流值，得到存储单元当前的阈值状态；第一判断模块，根据阈值状态判断存储单元是否需要操作；第二判断模块，在第一判断模块的判断结果为“是”时启用，用来判断阈值状态与VTH的距离；执行模块，根据第一判断模块和第二判断模块的判断结果控制存储单元进行相应的操作。本发明专利技术提供的该存储器，在存储数据改写过程中，对不同性能的存储单元采用差异化的编程条件，使得性能不一致的存储单元，对外表现的不一致差异减轻，从而可有效提升存储器的编程效率及可靠性。

【技术实现步骤摘要】
存储器
本专利技术涉及存储器及其控制
，尤其涉及一种可减轻不同性能存储单元间操作差异的存储器。
技术介绍
固态存储器，是一种用于缓存，数据存储，代码存储的专用集成电路，在嵌入式应用和独立式应用里具有广泛的用途。目前主要包含非易失闪存(NORFLASH)和资料储存型闪存(NANDFLASH)等传统闪存，以及阻变存储器(RRAM)，磁存储器(MRAM)和相变存储器(PRAM)等。随着工艺节点的降低，芯片面积的增大，芯片的容量的显著提升，芯片的良率面临着巨大的挑战。现在的芯片中，有几千到几十亿个存储单元，由于工艺的不一致性，导致各个存储单元之间存在性能差异，其中一种体现就是在改写数据时，各个存储单元速度有快慢之分，采用完全相同的改写操作条件时，各个存储单元的状态变化也就有了差异。多次反复后，各个状态之间的分布就会比较离散，对外体现就是芯片性能下降。总的来说，上述的现有技术在存储数据时存在如下技术缺陷：(1)由于传统的操作算法中，采用相同的初始条件(包括编程时间T和编程电压VG)，这组条件是编程能力比较弱的，导致前几次编程本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器，其特征在于，包括：/n不同性能的存储单元，各个所述存储单元设置有一固定阈值VTH，所述VTH用至少三位二进制数表示；/n读取模块，读取所述存储单元的电流值，得到所述存储单元当前的阈值状态；/n第一判断模块，根据所述阈值状态判断所述存储单元是否需要操作；/n第二判断模块，在所述第一判断模块的判断结果为“是”时启用，用来判断所述阈值状态与VTH的距离；/n执行模块，根据所述第一判断模块和所述第二判断模块的判断结果控制所述存储单元进行相应的操作。/n

【技术特征摘要】
1.一种存储器，其特征在于，包括：
不同性能的存储单元，各个所述存储单元设置有一固定阈值VTH，所述VTH用至少三位二进制数表示；
读取模块，读取所述存储单元的电流值，得到所述存储单元当前的阈值状态；
第一判断模块，根据所述阈值状态判断所述存储单元是否需要操作；
第二判断模块，在所述第一判断模块的判断结果为“是”时启用，用来判断所述阈值状态与VTH的距离；
执行模块，根据所述第一判断模块和所述第二判断模块的判断结果控制所述存储单元进行相应的操作。


2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述存储单元的阈值状态包括：至少三位二进制表示的“全0”-“全1”。


3.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述存储单元的阈值状态与VTH的二进制位数相同。


4.根据权利要求1至3中任一所述的存储器，其特征在于，所述第一判断模块包括：
所述阈值状态小于VTH时，所述第一判断模块的判断结果为“是”，进入所述第二判断模块；
所述阈值状态大于或等于VTH时，所述第一判断模块的判断结果为“否”，进入所述执行模块。


5.根据权利要求4所述的存储器，其特征在于，所述第二判断模块包括：
所述阈值状态为“全0”时，所述阈值状态与VTH的距离最远；
所述阈值状态为小于VTH值时的最大值时，所述阈值状态与VT...

【专利技术属性】
技术研发人员：张君宇，刘璟，谢元禄，霍长兴，张坤，呼红阳，刘明，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11