具有改进的编程和擦除操作的存储器装置及其操作方法制造方法及图纸

技术编号:24858764 阅读:43 留言:0更新日期:2020-07-10 19:10
具有改进的编程和擦除操作的存储器装置及其操作方法。一种存储器装置包括:具有共享源极线的多个存储块的存储器单元阵列;用于对多个存储块当中的被选存储块执行编程操作和擦除操作的外围电路;以及用于控制外围电路的控制逻辑。控制逻辑将外围电路控制为使得多个存储块当中的未选存储块中所包括的多个源极选择晶体管当中的与源极线相邻的一些源极选择晶体管在编程操作期间的源极线预充电操作中被浮置。

【技术实现步骤摘要】
具有改进的编程和擦除操作的存储器装置及其操作方法
本公开涉及一种电子装置,更具体地,涉及一种存储器装置及其操作方法。
技术介绍
在当前计算机环境中,计算系统能够随时随地使用。这促进了诸如移动电话、数码相机、笔记本计算机等便携式电子装置的使用的增加。这种便携式电子装置通常包括使用存储器装置的存储器系统,即,数据储存装置。数据储存装置用作便携式电子装置的主存储器装置或辅存储器装置。使用存储器装置的数据储存装置由于没有机械驱动部件而具有优异的稳定性和耐用性、高信息访问速度和低功耗。在具有这种优点的存储器系统中,数据储存装置可以包括通用串行总线(USB)存储器装置、具有各种接口的存储卡、固态驱动器(SSD)等。存储器装置通常分为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。非易失性存储器装置具有相对慢的写入速度和读取速度,但即使在供电中断时也保持所存储的数据。因此,非易失性存储器装置用于存储无论是否供电都要保持的数据。易失性存储器的示例包括只读存储器(ROM)、掩模ROM(MROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(E本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器装置,该存储器装置包括:/n存储器单元阵列,所述存储器单元阵列包括共享源极线的多个存储块;/n外围电路,所述外围电路对所述多个存储块当中的被选存储块执行编程操作和擦除操作;以及/n控制逻辑,所述控制逻辑控制所述外围电路,/n其中,所述控制逻辑将所述外围电路控制为使得所述多个存储块当中的未选存储块中所包括的多个源极选择晶体管当中的与所述源极线相邻的一些源极选择晶体管在所述编程操作期间的源极线预充电操作中被浮置。/n

【技术特征摘要】
20190102 KR 10-2019-00004531.一种存储器装置,该存储器装置包括:
存储器单元阵列,所述存储器单元阵列包括共享源极线的多个存储块;
外围电路,所述外围电路对所述多个存储块当中的被选存储块执行编程操作和擦除操作;以及
控制逻辑,所述控制逻辑控制所述外围电路,
其中,所述控制逻辑将所述外围电路控制为使得所述多个存储块当中的未选存储块中所包括的多个源极选择晶体管当中的与所述源极线相邻的一些源极选择晶体管在所述编程操作期间的源极线预充电操作中被浮置。


2.根据权利要求1所述的存储器装置,其中,所述多个存储块中的每个存储块包括具有所述多个源极选择晶体管、多个存储器单元和漏极选择晶体管的串,所述多个源极选择晶体管、所述多个存储器单元和所述漏极选择晶体管串联联接在所述源极线与位线之间。


3.根据权利要求1所述的存储器装置,其中,所述控制逻辑将所述外围电路控制为使得除所述一些源极选择晶体管之外的其它源极选择晶体管在所述源极线预充电操作中处于截止状态。


4.根据权利要求1所述的存储器装置,其中,所述控制逻辑将所述外围电路控制为使得所述多个存储块当中的所述被选存储块中所包括的多个源极选择晶体管当中的与所述源极线相邻的一些源极选择晶体管在所述源极线预充电操作中被浮置。


5.根据权利要求1所述的存储器装置,其中,所述一些源极选择晶体管包括所述多个源极选择晶体管当中的与所述源极线相邻的至少一个源极选择晶体管。


6.根据权利要求1所述的存储器装置,其中,所述外围电路包括:
电压产生电路,所述电压产生电路在所述编程操作或所述擦除操作中产生施加到所述被选存储块的字线和所述多个存储块中的每个存储块的多条源极选择线的操作电压;
源极线驱动器,所述源极线驱动器在所述源极线预充电操作中产生预充电电压,并且在所述擦除操作中产生第一擦除电压和第二擦除电压;以及
行解码器,所述行解码器将所述操作电压施加到所述被选存储块的字线和所述多个存储块中的每个存储块的所述多条源极选择线,或者使所述多条源极选择线当中的一些源极选择线浮置。


7.根据权利要求6所述的存储器装置,其中,所述控制逻辑包括:
行解码器控制电路,所述行解码器控制电路响应于命令信号而产生并输出用于控制所述行解码器的行解码器控制信号;
源极线驱动器控制电路,所述源极线驱动器控制电路产生并输出用于控制所述源极线驱动器的源极线控制信号;以及
页缓冲器控制电路,所述页缓冲器控制电路产生并输出用于控制所述电压产生电路的操作信号。


8.根据权利要求1所述的存储器装置,其中,所述控制逻辑控制所述外围电路以在所述源极线预充电操作之后将编程电压和通过电压施加到所述被选存储块的字线。


9.根据权利要求8所述的存储器装置,其中,所述控制逻辑将所述外围电路...

【专利技术属性】
技术研发人员:李丙仁朴熙中沈根守李相宪卓在日
申请(专利权)人:爱思开海力士有限公司
类型:发明
国别省市:韩国;KR

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