单晶炉及采用其进行单晶硅棒测量的方法技术

本发明专利技术公开的单晶炉，包括牵引室，牵引室的外壁上设置有单晶硅棒测量组件和单晶硅棒转移保护组件，单晶硅棒测量组件包括位于牵引室外壁的纵向导轨，导轨上配合设置有底端可运动至牵引室下方的移动元件，移动元件的底端连接有与牵引室同轴的环形扫描元件，移动元件上连接有位于牵引室外壁上的动力元件二；单晶硅棒转移保护组件包括沿牵引室径向与其外壁依次连接的转轴和动力元件一，转轴上连接有可旋转至牵引室下方的定位元件。本发明专利技术还公开了采用上述单晶炉进行单晶硅棒测量的方法。本发明专利技术的单晶炉及采用其进行单晶硅棒测量的方法，解决了现有单晶硅棒冷却后测量过程中复杂的人工操作带来的精度差、效率低及单晶硅棒转移过程中安全性差的问题。

【技术实现步骤摘要】
单晶炉及采用其进行单晶硅棒测量的方法
本专利技术属于单晶硅生长
，具体涉及一种单晶炉，本专利技术还涉及采用上述单晶炉进行单晶硅棒测量的方法。
技术介绍
多晶硅是生产太阳能光伏产品和半导体产品的主要原材料。切克劳斯基(Czochralski，简称Cz)法是单晶硅最常用的制备方法之一，高纯度固态多晶硅原料在晶体生长炉(单晶炉)内的坩埚中熔化形成熔体，通过籽晶提拉机构下降籽晶使其与旋转坩埚中的熔融状态下的硅熔汤接触，然后，将籽晶按照一定的工艺方法提拉出，熔体围绕籽晶凝固形成单晶硅棒。传统的Cz单晶炉上不具备单晶硅棒测量组件，生产过程中一般在单晶硅棒冷却出炉后需要对单晶硅棒进行测量。测量的参数一般包括，晶身总长度、晶身良好长度、尾部良好长度、最大直径、最小直径以及特定点位的直径(如每隔5mm测量一次)，需要对尺寸的测量做很多复杂的工作。此外，现有的测量方法中主要采用人工的方法在单晶硅棒完全取出后转移到地面进行测量，在单晶硅棒转移过程中多采用人工手扶的方式对单晶硅棒进行保护，在单晶硅棒转移过程中由于惯性的存在，若不对单晶硅棒进行保护可能会导本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.单晶炉，其特征在于，包括牵引室(1)，牵引室(1)的外壁上设置有单晶硅棒测量组件(5)和单晶硅棒转移保护组件(4)，单晶硅棒测量组件(5)包括位于牵引室(1)外壁的纵向导轨(52)，导轨(52)上配合设置有底端可运动至牵引室(1)下方的移动元件(53)，移动元件(53)的底端连接有与牵引室(1)同轴的环形扫描元件(54)，移动元件(53)上连接有位于牵引室(1)外壁上的动力元件二(51)；单晶硅棒转移保护组件(4)包括沿牵引室(1)径向与其外壁依次连接的转轴(42)和动力元件一(41)，转轴(42)上连接有可旋转至牵引室(1)下方的定位元件(43)。/n

【技术特征摘要】
1.单晶炉，其特征在于，包括牵引室(1)，牵引室(1)的外壁上设置有单晶硅棒测量组件(5)和单晶硅棒转移保护组件(4)，单晶硅棒测量组件(5)包括位于牵引室(1)外壁的纵向导轨(52)，导轨(52)上配合设置有底端可运动至牵引室(1)下方的移动元件(53)，移动元件(53)的底端连接有与牵引室(1)同轴的环形扫描元件(54)，移动元件(53)上连接有位于牵引室(1)外壁上的动力元件二(51)；单晶硅棒转移保护组件(4)包括沿牵引室(1)径向与其外壁依次连接的转轴(42)和动力元件一(41)，转轴(42)上连接有可旋转至牵引室(1)下方的定位元件(43)。


2.如权利要求1所述的单晶炉，其特征在于，所述扫描元件(54)的内侧壁沿周向均匀间隔设置有至少三组三维扫描仪。


3.如权利要求1所述的单晶炉，其特征在于，所述导轨(52)设置有两条且对称分布在牵引室(1)的两侧。


4.如权利要求1所述的单晶炉，其特征在于，所述单晶硅棒转移保护组件(4)为一端开口的矩形框架结构，单晶硅棒转移保护组件(4)的开口端套设于牵引室(1)对称的两侧，转轴(42)设置有两个并分别连接于单晶硅棒转移保护组件(4)开口端与牵引室(1)之间，定位元件(43)为孔形结构并开设置于单晶硅棒转移保护组件(4)远离牵引室(1)的一端，定位元件(43)内设置有柔性缓冲元件(44)。


5.如权利要求4所述的单晶炉，其特征在于，所述动力元件一(41)同轴连接于两个转轴(42)中一个且远离牵引室(1)的一端。


6.如权利要求4所述的单晶炉，其特征在于，所述牵引室(1)的上方设置有籽晶提拉机构(2)，牵引室(1)的下方依次设置有圆顶室和主炉室，主炉室外部包围超导磁场。


7.如权利要求6所述的单晶炉，其特征在于，所述籽晶提拉机构(2)内...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚自峰，
申请(专利权)人：陕西梵翌琨机电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61