一种纳米γ-氧化铝负载的碳纳米管、制备方法及高导热电绝缘弹性体热界面材料技术

一种纳米γ‑氧化铝负载的碳纳米管、制备方法及高导热电绝缘弹性体热界面材料。本发明专利技术公开了一种纳米γ‑氧化铝负载的碳纳米管的制备方法，将浓度为3‰～1％的碳纳米管浆液与浓度为1％～30％的纳米γ‑氧化铝分散液混合，超声搅拌静电自组装0.5～5h，离心冷冻干燥得到所述纳米γ‑氧化铝负载的碳纳米管。将所得纳米γ‑氧化铝负载的碳纳米管杂化填料与微米填料复配使用填充至硅橡胶中，所得的弹性体热界面材料具有高的体积电阻率、导热率，能够满足集成电路封装散热的性能要求。此外，本发明专利技术还具有加工工艺简便易操作，不涉及使用有毒溶剂，与实际工厂加工设备可以相匹配，可直接用于投产等优点。

【技术实现步骤摘要】
一种纳米γ-氧化铝负载的碳纳米管、制备方法及高导热电绝缘弹性体热界面材料
本专利技术涉及集成电路封装用热界面材料领域，具体地说，是涉及一种纳米γ-氧化铝负载的碳纳米管、制备方法及高导热电绝缘弹性体热界面材料。
技术介绍
随着当代电子技术的迅猛发展，电子工业不断向高功率损耗、集成性及微型化发展，现代电子设备的能量密度大幅提高，其在高功能、高传输速率下工作，各种元件(如CPU等)的工作温度相对大幅升高，电子元件与整机的发热功率也越来越大。由此带来的过高温度将降低芯片的工作稳定性，增加出错率，同时模块内部与其外部环境间所形成的热应力将直接影响到芯片的电性能、工作频率、机械强度及可靠性，并缩短其使用寿命。事实上，不仅仅是计算机芯片，对于大功率军民用电子设备、光电器件以及近年来发展迅速的微/纳电子机械系统等先进设备，都存在着类似的广泛而迫切的散热冷却需要，因此高效地带走电子设备所产生的热量变得异常重要。而热管理就是一系列解决这个问题的手段。热界面材料是热管理中一类极为关键的材料，它是一种普遍用于集成电路封装和电子散热的材料，主要用于填补两本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种纳米γ-氧化铝负载的碳纳米管的制备方法，其特征在于包括以下步骤：/n将浓度为3‰～1％的碳纳米管浆液与浓度为1％～30％的纳米γ-氧化铝分散液混合，超声搅拌静电自组装0.5～5h，离心冷冻干燥得到所述纳米γ-氧化铝负载的碳纳米管，/n其中，碳纳米管和纳米γ-氧化铝经过改性处理，纳米γ-氧化铝与碳纳米管质量比为0.25：1～10：1。/n

【技术特征摘要】
1.一种纳米γ-氧化铝负载的碳纳米管的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
将浓度为3‰～1％的碳纳米管浆液与浓度为1％～30％的纳米γ-氧化铝分散液混合，超声搅拌静电自组装0.5～5h，离心冷冻干燥得到所述纳米γ-氧化铝负载的碳纳米管，
其中，碳纳米管和纳米γ-氧化铝经过改性处理，纳米γ-氧化铝与碳纳米管质量比为0.25：1～10：1。


2.根据权利要求1所述的纳米γ-氧化铝负载的碳纳米管的制备方法，其特征在于：
纳米γ-氧化铝与碳纳米管质量比为0.5：1～7：1。


3.根据权利要求1所述的纳米γ-氧化铝负载的碳纳米管的制备方法，其特征在于：
所述碳纳米管直径为10～200nm，碳纳米管改性处理包括酸化或接枝改性。


4.根据权利要求1所述的纳米γ-氧化铝负载的碳纳米管的制备方法，其特征在于：
所述纳米γ-氧化铝的粒径为10～50nm，纳米γ-氧化铝采用硅烷偶联剂进行改性处理。


5.根据权利要求1所述的纳米γ-氧化铝负载的碳纳米管的制备方法，其特征在于：
所述碳纳...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢咏来，嵇小旺，赵秀英，李京超，张立群，王军艳，冯予星，
申请(专利权)人：北京化工大学，北京北化新橡特种材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11