【技术实现步骤摘要】
一种自供能钙钛矿光电探测器及其制备方法
本专利技术属于微纳制造相关
，更具体地，涉及一种自供能钙钛矿光电探测器及其制备方法。
技术介绍
自第三次科技革命以来，以半导体技术为核心的微电子技术及相关产业得到了迅猛发展，相关技术和工艺的成熟也促进了光电子技术的进步，且开发高性能光电探测器，对于改善人民生活、促进工业发展和国防实力进步具有重要战略意义。目前，商业化光电探测器主要是基于Si、InGaAs、GaN等传统无机半导体材料所构建的，存在暗电流较大、弱光响应性差等缺陷。此外，该类型器件对半导体薄膜纯度要求高，薄膜多采用分子束外延以及金属有机化学气相沉积工艺制备，设备要求高，生产成本高，效率低下，且工艺温度高，能耗高，限制了其在聚合物柔性基底上的沉积。2009年，有机-无机金属杂化钙钛矿作为新一代极具潜力的光敏材料被应用到光伏领域，拉开了钙钛矿光电器件研究的序幕。然而，杂化钙钛矿热稳定性较差，无法在工况温度下稳定工作，且因为有机组分的存在，易于空气中的水分和氧气等发生反应，致使钙钛矿分解，进而导致器件失效。在...
【技术保护点】
1.一种自供能钙钛矿光电探测器，其特征在于：/n所述光电探测器包括玻璃基底、CsPbIBr
【技术特征摘要】
1.一种自供能钙钛矿光电探测器，其特征在于：
所述光电探测器包括玻璃基底、CsPbIBr2光敏薄膜、PMMA修饰层及Ag电极层，所述玻璃基底包括基底及设置在所述基底上的ITO导电层，所述CsPbIBr2光敏薄膜设置在所述ITO导电层上；所述PMMA修饰层设置在所述CsPbIBr2光敏薄膜远离所述ITO导电层的表面上，所述Ag电极层设置在所述PMMA修饰层远离所述CsPbIBr2光敏薄膜的表面上。
2.如权利要求1所述的自供能钙钛矿光电探测器，其特征在于：所述Ag电极层的厚度为120nm～140nm。
3.如权利要求1所述的自供能钙钛矿光电探测器，其特征在于：所述CsPbIBr2光敏薄膜是由依次蒸镀的PbBr2前驱体层及CsI前驱体层在退火下反应生成的。
4.如权利要求3所述的自供能钙钛矿光电探测器，其特征在于：所述PbBr2层的厚度为150～200nm，所述CsI层的厚度为140～190nm。
5.一种权利要求1-4任一项所述的自供能钙钛矿光电探测器的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
(1)提供所述玻璃基底；
(2)采用连续蒸镀工艺在所述玻璃基底的ITO层上制备CsPbIBr2光敏薄膜；
(3)采用旋涂方式在所述CsPbIBr2光敏薄膜上沉积PMMA修饰层；
(4)采用...
【专利技术属性】
技术研发人员：廖广兰，刘星月，刘智勇，孙博，谭先华，史铁林，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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