一种含有BCP插入层的8-羟基喹啉铝/金属异质结热电子光电探测器及其制作方法技术

本发明专利技术涉及光电探测器制作领域，一种含有BCP插入层的8‑羟基喹啉铝/金属异质结的热电子光电探测器，由阳极层、有机半导体层、插入层、银纳米颗粒层、阴极层组成，阳极层为铟锡氧化物ITO，银纳米颗粒层和阴极层构成金属复合电极层，有机半导体层与金属复合电极层构成肖特基结，同时在肖特基结的界面插入很薄的BCP作为界面插入层。本发明专利技术还涉及该含有BCP插入层的8‑羟基喹啉铝/金属异质结的热电子光电探测器的制备方法。本发明专利技术中设计的光电探测器，在正向偏压的条件下，暗电流保持在几十皮安级别，而亮电流呈现开启状态。

【技术实现步骤摘要】
一种含有BCP插入层的8-羟基喹啉铝/金属异质结热电子光电探测器及其制作方法
本专利技术涉及光电探测器制作领域，具体是一种含有BCP插入层的8-羟基喹啉铝/金属异质结热电子光电探测器及其制作方法。
技术介绍
图像传感器与通讯行业的发展对柔性、低成本、高响应速度的光电探测器的需求日益增长。与无机半导体相比，有机半导体具有柔性、种类丰富、带隙可调、价格低廉等诸多优点。然而传统有机半导体能带较宽，不利于器件在近红外/红外波段的光电探测。近年来，表面等离激元（SPPs）因实现对光与物质相互作用、光子吸收、热发射、波长及能量转换的操控而引起了极大的关注。其中，金属纳米结构局域表面等离激元共振衰减产生的热电子，可以在半导体与金属形成的肖特基势垒形成一个可测量的光电流。从而拓宽有机光电探测器的吸收光谱，满足人类在生产、生活中对新一代光电探测器的需求。但是金属/半导体接触时金属会向半导体层扩散，容易造成不良肖特基结的形成，影响器件的重复性。在金属/半导体接触界面插入薄的界面层可解决这一问题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种含有BCP插入层的8-羟基喹啉铝/金属异质结热电子光电探测器，由阳极层、有机半导体层、插入层、银纳米颗粒层、阴极层组成，其特征在于：阳极层为铟锡氧化物ITO，银纳米颗粒层和铝阴极层构成金属复合电极层，有机半导体层与金属复合电极层构成肖特基结，其中在肖特基结的界面插入很薄的BCP作为界面插入层。/n

【技术特征摘要】
1.一种含有BCP插入层的8-羟基喹啉铝/金属异质结热电子光电探测器，由阳极层、有机半导体层、插入层、银纳米颗粒层、阴极层组成，其特征在于：阳极层为铟锡氧化物ITO，银纳米颗粒层和铝阴极层构成金属复合电极层，有机半导体层与金属复合电极层构成肖特基结，其中在肖特基结的界面插入很薄的BCP作为界面插入层。


2.根据权利要求1所述的一种含有BCP插入层的8-羟基喹啉铝/金属异质结热电子光电探测器，其特征在于：有机半导体层为厚度50纳米±0.5纳米的8-羟基喹啉铝Alq3，银纳米颗粒层为5±0.03纳米的银Ag纳米颗粒，阴极层为10±0.05纳米的半透明Al金属薄膜，插入层为2±0.01纳米的BCP。


3.制作含有BCP插入层的8-羟基喹啉铝/金属异质结热电子光电探测器的方法，其特征在于按照...

【专利技术属性】
技术研发人员：翟爱平，赵成杰，崔艳霞，王文艳，李国辉，郝玉英，吴玉程，
申请(专利权)人：太原理工大学，
类型：发明
国别省市：山西;14