钙钛矿太阳能电池及其制造方法技术

一种钙钛矿太阳能电池。此钙钛矿太阳能电池包含基板、设置在基板上的第一半导体层、设置于第一半导体层上的诱导晶核层、覆盖诱导晶核层及第一半导体层的钙钛矿吸收层、设置于钙钛矿吸收层上的第二半导体层，以及设置于第二半导体层上的电极层。本发明专利技术另外提供一种制造上述钙钛矿太阳能电池的制造方法。

【技术实现步骤摘要】
钙钛矿太阳能电池及其制造方法
本专利技术涉及钙钛矿太阳能电池，且特别涉及一种包含诱导晶核层的钙钛矿太阳能电池。
技术介绍
近年来由于受到全球气候变迁、环境污染问题以及资源日趋短缺的影响，并在环保意识高涨与能源危机的警讯下，因而促使太阳光电产业的蓬勃发展。太阳能电池的发电原理为利用半导体材料的光电效应而将光能转换成电能。具体而言，当光照射至半导体材料时会产生光子，而光子又使得半导体材料内部产生电子-空穴对，接着，电子与空穴通过内部电场而分别被输送至两个相对的电极，因此产生了电压。此时，若将两个电极连接至外部电路，则产生了电流。目前，具有钙钛矿(perovskite)结构的新兴半导体材料被提出，其具有光电转换效率高，制备成本低等优势，且不容易造成污染。因此，将钙钛矿材料应用于太阳能电池的研究技术日益成长。然而，目前在应用上面临最大的问题在于钙钛矿上太阳电池稳定性不佳。因此，目前亟需提高钙钛矿吸收层的稳定性，以提升其应用性。
技术实现思路
本专利技术提供一种钙钛矿太阳能电池。该钙钛矿太阳能电池结构，包括：一基板、一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种钙钛矿太阳能电池，包括：/n一基板；/n一第一半导体层，设置于该基板上；/n一诱导晶核层，设置于该第一半导体层上；/n一钙钛矿吸收层，覆盖该诱导晶核层及该第一半导体层；/n一第二半导体层，设置于该钙钛矿吸收层上；以及/n一电极层，设置于该第二半导体层上。/n

【技术特征摘要】
20181227 TW 1071473541.一种钙钛矿太阳能电池，包括：
一基板；
一第一半导体层，设置于该基板上；
一诱导晶核层，设置于该第一半导体层上；
一钙钛矿吸收层，覆盖该诱导晶核层及该第一半导体层；
一第二半导体层，设置于该钙钛矿吸收层上；以及
一电极层，设置于该第二半导体层上。


2.如权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池，其中该诱导晶核层为一图案化层。


3.如权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池，其中该诱导晶核层为疏水层。


4.如权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池，其中该诱导晶核层的材料包括铟锡氧化物、氧化镍、钼硫化物、钼氧化物或钨氧化物。


5.如权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池，其中该诱导晶核层包括多个晶核点，该晶核点的直径介于30μm至100μm的范围间。


6.如权利要求5所述的钙钛矿太阳能电池，其中该晶核点的间距介于0.1mm至1.7mm的范围间。


7.如权利要求5所述的钙钛矿太阳能电池，其中该晶核点的间距介于0.4mm至1.5mm的范围间。


8.如权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池，其中该诱导晶核层镶入该第一半导体层，且该诱导晶核层包括具疏水性的半导体材料。

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【专利技术属性】
技术研发人员：徐为哲，许弘儒，王凯正，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71