一种硅片制绒方法技术

本发明专利技术公开一种硅片制绒方法，包括以下步骤：S1、将待处理硅片进行前氧化处理，除去硅片表面污染物；S2、将S1所得硅片放入纯水中清洗；S3、将S2所得硅片放入SDE槽中SDE处理；S4、将S3所得硅片进行表面氧化处理；S5、将S4所得硅片放入纯水中清洗；S6、将S5所得硅片放入TEX槽中进行制绒处理；S7、将S6所得硅片放入纯水中清洗后；S8、将S7所得硅片进行后清洗1；S9、将S8所得硅片放入纯水中清洗后，然后进行CP；S10、将S9所得硅片用纯净水清洗后，进行后清洗2；S11、将S10所得硅片用纯净水清洗后，再用氢氟酸清洗；S12、将S11所得硅片用纯净水清洗后，再烘干。本发明专利技术适用于异质结电池表面清洁及制绒。

【技术实现步骤摘要】
一种硅片制绒方法
本专利技术电池制备工艺，具体涉及一种硅片制绒方法。
技术介绍
SHJ(SiliconHerterojunction)硅异质结电池，又被称作HIT(Heterojunctionwithintrinsicthinlayer)电池，该电池具有高效率、高Voc等特点，该电池一般以N型硅片为基底，对硅基底界面要求特别严格(对制绒后表面清洁度敏感)，一般制程工序为：制绒、非晶硅、TCO、丝网&测试。现目前，SHJ规模化生产中，硅基底的制绒工序制绒一般采用预清洗→去损→制绒→后清洗→CP(化学抛光)→HF清洗→烘干的流程，而在制绒过程中，添加的制绒添加剂通常分为疏水性制绒添加剂和亲水性制绒添加剂，而不同的制绒添加剂对应的设备不同，而购置两套设备无疑增加了企业负担，另外，制绒后硅片表面的清洁度会极大的影响到非晶硅的沉积的质量，从而影响到效率。其中，后清洗对制绒后硅片表面有机物进行清洗，CP可去除硅片表面一层，而HF槽起到去除硅片表面SiO2，同时可去除SiO2中所含K、Na等轻金属离子。但在去HF槽前，硅片表面并未完全氧化，H本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅片制绒方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS1、将待处理硅片进行前氧化处理，除去硅片表面污染物；/nS2、将S1所得硅片放入纯水中清洗；/nS3、将S2所得硅片放入SDE槽中SDE处理；/nS4、将S3所得硅片进行表面氧化处理；/nS5、将S4所得硅片放入纯水中清洗；/nS6、将S5所得硅片放入TEX槽中进行制绒处理；/nS7、将S6所得硅片放入纯水中清洗；/nS8、将S7所得硅片进行后清洗1；/nS9、将S8所得硅片放入纯水中清洗后，然后进行CP；/nS10、将S9所得硅片用纯净水清洗后，进行后清洗2，后清洗2为SC2清洗液或者O

【技术特征摘要】
1.一种硅片制绒方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、将待处理硅片进行前氧化处理，除去硅片表面污染物；
S2、将S1所得硅片放入纯水中清洗；
S3、将S2所得硅片放入SDE槽中SDE处理；
S4、将S3所得硅片进行表面氧化处理；
S5、将S4所得硅片放入纯水中清洗；
S6、将S5所得硅片放入TEX槽中进行制绒处理；
S7、将S6所得硅片放入纯水中清洗；
S8、将S7所得硅片进行后清洗1；
S9、将S8所得硅片放入纯水中清洗后，然后进行CP；
S10、将S9所得硅片用纯净水清洗后，进行后清洗2，后清洗2为SC2清洗液或者O3清洗液；
S11、将S10所得硅片用纯净水清洗后，再用氢氟酸溶液清洗；
S12、将S11所得硅片用纯净水清洗后，再烘干。


2.根据权利要求1所述的一种硅片制绒方法，其特征在于，S1、S4、S8中，所用处理液，为O3溶液或者SC1溶液。


3.根据权利要求1所述的一种硅片制绒方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙林，杜俊霖，孟凡英，刘正新，陈功兵，何堂贵，
申请(专利权)人：中威新能源成都有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51