电池片制备工艺、电池片制备装置及电池片制造方法及图纸

本申请公开了电池片制备工艺，至少对电池片断口端进行钝化处理，使得所述电池片断口端形成绝缘层；通过形成绝缘层，使得电池片断口位置钝化，进而去掉悬挂键、降低表面态，减少电池组件内部的功率损耗、并提高电池组件的可靠性。本申请还提供了一种电池片制备装置，能够实现上述电池片制备工艺；电池片制备装置包括划片机构、掰片机构和钝化机构；划片机构和掰片机构配合，将整片电池片掰分为若干符合规格的电池片；随后，钝化机构对掰分而成的电池片进行钝化处理，使得电池片断口端形成绝缘层。本申请还提供了一种电池片，通过上述电池片制备装置制备而成；该电池片的断口端具有绝缘层，因此，该电池片可靠性高、导电功率高。

【技术实现步骤摘要】
电池片制备工艺、电池片制备装置及电池片
本申请涉及电池片制备
，具体涉及一种电池片制备工艺、电池片制备装置及电池片。
技术介绍
为了提高电池串组的功率，目前的光伏设备中，会将整片电池片一分二、或者一分三、或者更多。但是，整片电池片被分割后，其被分割的断口端具有悬挂键，会影响电压，最终降低电池组件的性能，导致电池片本身抗弯强度差、光电转化功率低。
技术实现思路
本申请提供了一种电池片制备工艺、电池片制备装置及电池片，以解决现有技术中分割整片电池片后，电池片性能降低的技术缺陷。为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种电池片制备工艺，至少对电池片断口端进行钝化处理，使得电池片断口端形成绝缘层。进一步地，电池片制备工艺包括如下步骤：通过激光对整片电池片表面进行划线；沿划线将整片电池片掰开，使得整片电池片被分为多个电池片；对电池片进行钝化处理，使得电池片断口端形成绝缘层。进一步地，钝化处理采用ALD沉积技术。进一步地，采用ALD沉积技术时，将电池片置入ALD反应室中，通过惰性气体将化学源材料载出，以在电池片断口端发生化学反应，形成绝缘层。进一步地，钝化处理为对电池片断口端喷涂绝缘材料，以构成绝缘层。本申请还提供了一种电池片制备装置，能够实现上述电池片制备工艺；电池片制备装置包括：划片机构，用于对整片电池片表面进行划线；掰片机构，设于划片机构下游，能够沿划线掰开整片电池片；钝化机构，设于掰片机构下游，能够对掰开的电池片进行钝化处理。进一步地，划片机构包括：承载台，用于承接整片电池片；激光设备，其工作端正对承载台，能够射出激光对承载台上的整片电池片进行划线。进一步地，整片电池片被一分为二；划片机构能够在整片电池片表面划一直线，将整片电池片分为第一部分和第二部分；掰片机构包括：第一提取件，用于提取第一部分；第二提取件，用于提取第二部分；转动驱动件，连接第一提取件和/或第二提取件、并能够驱动第一提取件和第二提取件相对转动。进一步地，钝化机构包括：ALD反应室，至少能够容置电池片的断口端；至少一个进料管，进料管一端连通ALD反应室、另一端连通外部的供料装置；至少一个进气管，进气管一端连通ALD反应室、另一端连通外部的供气装置。本申请还提供了一种电池片，通过上述电池片制备装置制备而成。本申请提供了一种电池片制备工艺，至少对电池片断口端进行钝化处理，使得所述电池片断口端形成绝缘层；通过形成绝缘层，使得电池片断口位置钝化，进而去掉悬挂键、降低表面态，减少电池组件内部的功率损耗、并提高电池组件的可靠性。本申请还提供了一种电池片制备装置，能够实现上述电池片制备工艺；电池片制备装置包括划片机构、掰片机构和钝化机构；划片机构和掰片机构配合，将整片电池片掰分为若干符合规格的电池片；随后，钝化机构对掰分而成的电池片进行钝化处理，使得电池片断口端形成绝缘层。本申请还提供了一种电池片，通过上述电池片制备装置制备而成；该电池片的断口端具有绝缘层，因此，该电池片可靠性高、导电功率高。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图，其中：图1是一种分片工艺；图2是对分片后的电池片进行钝化处理后，电池片断口端形成绝缘层的示意图；图3是本申请提供的电池片制备装置一实施例的结构示意图；图4是整片电池片被一分为二的分片工艺。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。首先参照图1，图1展示了一种分片工艺。整片电池片1被分为多个独立的电池片1’/1”/1”’……；其中，相邻两个电池片被分开的一侧为电池片的断口端。可知，断口端是整片电池片1被分割后形成的断裂位置；由于该位置被割开，整片电池片1的内部暴露；虽然断口端的暴露部分也会自然氧化，但其形成的氧化层钝化程度不够，分子活跃度高，会导致电池片的光电转化效率下降。为此，本申请揭示了一种电池片制备工艺，至少对电池片断口端进行钝化处理，使得电池片断口端形成绝缘层；通过形成绝缘层，使得电池片断口位置钝化，进而去掉悬挂键、降低表面态，减少电池片的功率损耗、并提高电池片的可靠性。具体地，参照图2，电池片制备工艺包括如下步骤：通过激光对整片电池片1表面进行划线；沿划线将整片电池片1掰开，使得整片电池片被分为多个电池片1’/1”；对电池片1’/1”进行钝化处理，使得电池片断口端形成绝缘层2。容易理解的，直接对整片电池片1进行分割的话，断口端容易参差不齐，分割质量无法保证。为此，在分裂整片电池片1前，先通过激光在整片电池片1表面进行划线，划出分割线3；通过分割线3将整片电池片1被分为多个符合规格的电池片1’/1”；再沿分割线3分开整片电池片1，获得所需的电池片1’/1”。进一步地，对钝化处理而言，一般可以采用两种方式；一种是化学镀膜，例如，采用热氧化法或笑气氧化或臭氧化或硝酸溶液化学法沉积，进而在断口形成SiO2膜层；又例如，采用PECVD(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition,等离子体增强化学的气相沉积)、CVD(ChemicalVapourDepositio,气相沉积)或PVD(PhysicalVaporDeposition,物理气相沉积)方法沉积，形成Al2O3膜层或含有Al2O3的膜层；还或者，采用ALD方法沉积。需要解释的，采用PECVD或CVD沉淀工艺时，会对电池片进行烧结，工艺温度较高，而高温会损害电池片表面的银浆。为此，一实施方式中，钝化处理采用ALD沉积技术。具体地，原子层沉积(AtomicLayerDeposition，ALD)技术是一个以表面化学气相反应为基础的纳米薄膜沉积技术。它通过将两种以上化学源分开导入反应腔，其间对表面饱和反应后的气相反应产物及未反应的气体吹扫干净，可以将物质以单原子膜形式镀在基底表面；因此，可以对所沉积的薄膜的厚度及均匀度精确控制在原子层厚度范围内。用原子层沉积(ALD)以及等离子体原子层沉积(PEALD)制造SiO2、Al2O3、SiNx等材料的纳米叠层和复合材料，从而钝化断口端、延长少子寿命、提升电池片的光电转换效率。更具体地，采用ALD沉积技术时，将电池片1’/1”置入ALD反应室中，通过惰性气体将化学源材料载出，以在电池片断口端发生化学反应，形成绝缘层2。其中，化学源材料用于提供硅源、铝源和/或氧源，在ALD反应室中，根据工艺所需的温度和真空度，脉冲相关化学本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电池片制备工艺，其特征在于，至少对电池片断口端进行钝化处理，使得所述电池片断口端形成绝缘层。/n

【技术特征摘要】
1.一种电池片制备工艺，其特征在于，至少对电池片断口端进行钝化处理，使得所述电池片断口端形成绝缘层。


2.根据权利要求1所述的电池片制备工艺，其特征在于，包括如下步骤：
通过激光对整片电池片(1)表面进行划线；
沿划线将整片电池片(1)掰开，使得整片电池片被分为多个电池片(1’/1”)；
对电池片(1’/1”)进行钝化处理，使得电池片断口端形成绝缘层(2)。


3.根据权利要求1或2所述的电池片制备工艺，其特征在于，所述钝化处理采用ALD沉积技术。


4.根据权利要求3所述的电池片制备工艺，其特征在于，采用ALD沉积技术时，将电池片(1’/1”)置入ALD反应室中，通过惰性气体将化学源材料载出，以在电池片断口端发生化学反应，形成绝缘层(2)。


5.根据权利要求1或2所述的电池片制备工艺，其特征在于，所述钝化处理为对电池片断口端喷涂绝缘材料，以构成绝缘层(2)。


6.一种电池片制备装置，其特征在于，能够实现权利要求1-5任一项所述的电池片制备工艺；所述电池片制备装置包括：
划片机构(10)，用于对整片电池片(1)表面进行划线；
掰片机构(20)，设于所述划片机构(10)下游，能够沿划线掰开所述整片电池片(1)；
钝化机构(30)，设于所述掰片机构(20)下游，能够对掰开的电池片(1’/1”)进行钝化处理。

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：无锡先导智能装备股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32