一种高效单晶硅PERC太阳能电池的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种高效单晶硅PERC太阳能电池的制备方法。它包括如下步骤：S1：制绒；S2：扩散；S3：刻蚀；S4：退火；S5：正面印刷掩膜材料，固化；S6：正面SiNx沉积；S7：去除掩膜材料；S8：背面Al2O3/SiNx沉积；S9：背面激光开槽；S10：背电极、背电场印刷烧结；S11：TCO沉积；S12：正面印刷Ag主栅，低温烧结。本发明专利技术采用掩膜法制备透明导电薄膜材料来收集传输载流子，替代常规的副栅线，本发明专利技术可以大大减少正面Ag栅线的遮光面积，从而大大增加了光的利用率，且减少了载流子传输的串阻，有利于提高PERC太阳能电池的转换效率。

【技术实现步骤摘要】
一种高效单晶硅PERC太阳能电池的制备方法
本专利技术涉及一种PERC太阳能电池的制备方法，尤其是涉及一种高效单晶硅PERC太阳能电池的制备方法。
技术介绍
目前，PERC晶体硅太阳能电池作为市场上的主流产品，生产工艺日趋成熟和完善，各个电池厂家纷纷扩产。目前单晶PERC太阳能电池的制造流程主要是：制绒——扩散——刻蚀——退火——背面沉积钝化膜——正面沉积减反膜——背面激光——背电极、背电场和正电极印刷——烧结。为提高PERC晶体硅太阳能电池的市场竞争力，就必须不断提高PERC太阳能电池的转换效率。PERC太阳能电池正电极结构主要由主栅线和副栅线组成，主栅线主要用来传导电流和提供焊接拉力，副栅线主要用来收集光生载流子。目前PERC太阳能电池正面栅线遮光占4%-6%，大大影响了PERC太阳能电池片的受光面积，影响电池片转换效率。因此，如何开发一种高效单晶PERC太阳能电池的制备方法，大大减小PERC太阳能电池正面的遮光面积，提高电池的转换效率，成为研究者关注的重点。
技术实现思路
本专利技术提供了一种高效单晶硅PERC本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高效单晶硅PERC太阳能电池的制备方法，包括S1：选用P型硅片为基底材料，进行制绒工序；S2：对硅片进行扩散工序，形成扩散层；S3：对硅片进行刻蚀工序；S4：对硅片进行退火工序；其特征在于：/nS5：在硅片的正面印刷掩膜材料并固化，掩膜材料呈栅线状分布；/nS6：对硅片的正面进行SiNx沉积工序，制备氮化硅减反膜；/nS7：去处掩膜材料，使原本被掩膜材料覆盖的硅片正极露出；/nS8：对硅片的背面进行Al

【技术特征摘要】
1.一种高效单晶硅PERC太阳能电池的制备方法，包括S1：选用P型硅片为基底材料，进行制绒工序；S2：对硅片进行扩散工序，形成扩散层；S3：对硅片进行刻蚀工序；S4：对硅片进行退火工序；其特征在于：
S5：在硅片的正面印刷掩膜材料并固化，掩膜材料呈栅线状分布；
S6：对硅片的正面进行SiNx沉积工序，制备氮化硅减反膜；
S7：去处掩膜材料，使原本被掩膜材料覆盖的硅片正极露出；
S8：对硅片的背面进行Al2O3/SiNx沉积工序，制备Al2O3/SiNx钝化膜；
S9：对硅片背面的Al2O3/SiNx钝化膜进行激光开孔；
S10：在激光开孔位置进行背电极、背电场印刷烧结；
S11：在硅片的正面进行TCO沉积工序，TCO材料可与S7中露出的硅片正极接触；
S12：在TCO沉积层上印刷银主栅并低温烧结，银主栅与S5中的栅线分布方向垂直。


2.根据权利要求1所述的一种高效单晶硅PERC太阳能电池的制备方法，其特征在于:S5中，通过丝网印刷设备在硅片正面印刷掩膜材料并固化，固化温度控制在200-500℃。


3.根据权利要求1或2所述的一种高效单晶硅PERC太阳能电池的制备方法，其特征在于:S6中，减反膜的厚度控制在65-85nm，折射率控制在2-2.5。

【专利技术属性】
技术研发人员：邵家骏，张小明，林纲正，陈刚，
申请(专利权)人：浙江爱旭太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33