一种适用于异质结电池非晶硅沉积的PECVD载板结构制造技术

本发明专利技术适用于异质结电池非晶硅沉积的PECVD载板结构，在异质结PECVD载板基体上并排设置、平行分布若干凹槽，每个凹槽通过斜面或者弧形面部位载放硅片，凹槽底部不与硅片接触，硅片与载板接触面积小，减少由于摩擦造成的硅片性能损失，提高异质结电池的转换效率；两侧斜面或者弧形面部位设置若干导气槽，或者在凹槽底部设置若干导气孔，便于取放硅片，防止取放过程中发生碎片，结构简单紧凑，操作方便，稳定可靠；经实践验证，采用本发明专利技术适用于异质结电池非晶硅沉积的PECVD载板结构制备出的HJT电池,平均光电转换效率较常规载板提高0.2%。

【技术实现步骤摘要】
一种适用于异质结电池非晶硅沉积的PECVD载板结构
本专利技术涉及太阳能电池制造
中的一种适用于异质结电池非晶硅沉积的PECVD载板结构。
技术介绍
科技发展、能源枯竭等问题促进了太阳太阳能电池技术的发展，特别是高效电池的开发应用越来越受重视，高效电池通常采用本征非晶硅层(a-Si:H(i))钝化的硅基异质结太阳电池(HJT电池)是，硅基异质结太阳电池不仅有高性能转化效率、开路电压的特点，还具有低温度系数、无光致衰减(LID)、无电致衰减(PID)、低的制备工艺温度等应用优势；对于HJT电池而言，非晶硅起到钝化、形成p-n结的关键作用，对于HJT电池的转换效率起到决定性作用，因此，制备性能优异的非晶硅薄膜是获得高效HJT电池的关键技术；现有技术中的HJT电池非晶硅薄膜主要使用PECVD设备制作，由于异质结电池性能对硅片表面洁净度、摩擦等要求极高，因而PECVD载板对异质结电池的有至关重要的影响；传统PECVD载板为平板式结构，在平板式载板四周边框内部采用凹槽式或卡点式限位，硅片和载板接触面积较大，易摩擦损伤硅片表面，质量不稳定，影本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种适用于异质结电池非晶硅沉积的PECVD载板结构，其特征在于：包括有异质结PECVD载板基体，异质结PECVD载板基板上并排设置、平行分布有若干能够载放硅片的凹槽，每个凹槽两侧壁与异质结PECVD载板基体上表面互相垂直，每个凹槽底部沿着自两侧边缘向中间的方向逐渐向下倾斜，使得每个凹槽底部的截面轮廓线为规则的向下凹陷的几何形状。/n

【技术特征摘要】
1.一种适用于异质结电池非晶硅沉积的PECVD载板结构，其特征在于：包括有异质结PECVD载板基体，异质结PECVD载板基板上并排设置、平行分布有若干能够载放硅片的凹槽，每个凹槽两侧壁与异质结PECVD载板基体上表面互相垂直，每个凹槽底部沿着自两侧边缘向中间的方向逐渐向下倾斜，使得每个凹槽底部的截面轮廓线为规则的向下凹陷的几何形状。


2.根据权利要求1所述适用于异质结电池非晶硅沉积的PECVD载板结构，其特征在于：所述每个凹槽底部的截面轮廓线包括两侧互相对称的两段倾斜直线段，和连接于两段倾斜直线段之间的一段劣弧形圆弧线，截面轮廓线的两段倾斜直线段使得凹槽底部两侧构成斜面，两段倾斜直线段之间最大距离大于硅片宽度，最小距离小于硅片宽度。


3.根据权利要求1所述适用于异质结电池非晶硅沉积的PECVD载板结构，其特征在于：所述每个凹槽底部的截面轮廓线包括两侧互相对称的两段倾斜直线段，和连接于两段倾斜直线段之间的一段水平直线段，使得每个凹槽底部的截面形状为倒置梯形，两段倾斜直线段之间最大距离大于硅片宽度，最小距离小于硅片宽度。


4.根据权利要求2或3所述适用于异质结电池非晶硅沉积的PECVD载板结构，其特征在于：所述每个凹槽两侧壁自异质结PECVD载板基体上表面向内、向下倾斜，直接构成每个凹槽底部截面轮廓线两侧互相对称的两段倾斜直线段；异质结PECVD载板基板上表面位于每个凹槽两侧边缘的位置对称设置有限位卡块。


5.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：白焱辉，王继磊，黄金，张娟，李高非，贾慧君，王嘉超，
申请(专利权)人：晋能光伏技术有限责任公司，
类型：发明
国别省市：山西;14