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本发明适用于异质结电池非晶硅沉积的PECVD载板结构，在异质结PECVD载板基体上并排设置、平行分布若干凹槽，每个凹槽通过斜面或者弧形面部位载放硅片，凹槽底部不与硅片接触，硅片与载板接触面积小，减少由于摩擦造成的硅片性能损失，提高异质结电池...
该专利属于晋能光伏技术有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过晋能光伏技术有限责任公司授权不得商用。

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