一种可降解银纳米线/全立构复合聚乳酸透明导电薄膜及其制备方法技术

技术编号:24859102 阅读:110 留言:0更新日期:2020-07-10 19:11
本发明专利技术公开了一种可降解银纳米线/全立构复合聚乳酸透明导电薄膜及其制备方法,属光电材料领域。制备方法大致如下:(1)涂布银纳米线薄膜;(2)配制左旋聚乳酸与右旋聚乳酸共混溶液,转移银纳米线薄膜;(3)配制氧化锌前驱体溶液,喷涂氧化锌纳米颗粒;(4)将上述制得的透明导电薄膜放入高温烘箱退火30min,迅速冷却,再烘干。该方法是当前通过溶液转移、再高温退火制得银纳米线/全立构复合聚乳酸的唯一方法,且简单便捷、绿色环保、适合工业化大面积生产。制得的银纳米线/全立构复合聚乳酸透明导电薄膜具有良好的光电性能、机械力学性能、耐热性能和水解稳定性、生物相容性和生物降解性。

【技术实现步骤摘要】
一种可降解银纳米线/全立构复合聚乳酸透明导电薄膜及其制备方法
本专利技术属于光电材料领域,特别涉及一种可降解全立构复合型聚乳酸/银纳米线透明导电薄膜及其制备方法
技术介绍
透明导电薄膜是一种兼具透过率和导电性的电极材料,是光电器件的重要组成部分,广泛应用于太阳能电池、传感器、晶体管、探测器及发光二极管等领域。随着光电器件朝着柔性化、可折叠化、可穿戴化的方向发展,柔性透明导电薄膜的需求急剧上升。氧化银锡(ITO)由于具有优良的透光性和导电性,仍是当今使用最多的电极材料,约占市场份额的90%(K.Ghaffarzadeh,R.Das,TransparentConductiveFilms(TCF),Forecasts,Markets,Technologies(IDTechEx),pp.2014-2024.)。然而,地球上铟资源匮乏、ITO制造成本高、具有脆性不适合柔性器件等缺点限制其在下一代光电产品中的应用。溶液相的银纳米线(AgNWs)因其具有与ITO相当的光电性能,还具有极佳的柔韧性、制备导电薄膜方式多样化、适合卷对卷工业化大面积生产等优本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可降解银纳米线/全立构复合聚乳酸透明导电薄膜制备方法,其特征是包括以下步骤:/n(1)涂布银纳米线薄膜:/n取一定量的AgNWs溶液涂布在清洁后的基片上,放置于100-140oC的热台退火5-15min,再放入去离子水(室温)中浸泡5-20min,最后再放置于150-180℃的热台退火5-15min;/n(2)配制左旋聚乳酸和右旋聚乳酸(PLLA:PDLA)共混溶液:/n称取质量比为1:1的左旋聚乳酸和右旋聚乳酸于烧杯中,加入一定量的溶剂,在室温下剧烈搅拌直至完全溶解;/n(3)转移银纳米线薄膜:/n将步骤(1)所得的银纳米线薄膜平放置于平面皿中(有银纳米线的一面朝上),取一定量的PL...

【技术特征摘要】
1.一种可降解银纳米线/全立构复合聚乳酸透明导电薄膜制备方法,其特征是包括以下步骤:
(1)涂布银纳米线薄膜:
取一定量的AgNWs溶液涂布在清洁后的基片上,放置于100-140oC的热台退火5-15min,再放入去离子水(室温)中浸泡5-20min,最后再放置于150-180℃的热台退火5-15min;
(2)配制左旋聚乳酸和右旋聚乳酸(PLLA:PDLA)共混溶液:
称取质量比为1:1的左旋聚乳酸和右旋聚乳酸于烧杯中,加入一定量的溶剂,在室温下剧烈搅拌直至完全溶解;
(3)转移银纳米线薄膜:
将步骤(1)所得的银纳米线薄膜平放置于平面皿中(有银纳米线的一面朝上),取一定量的PLLA:PDLA共混溶液均匀滴加在薄膜表面。然后,放置于空气中10-20h,再放入40-60oC的真空烘箱干燥4-8h后从基片上揭下来即得AgNW/PLLA:PDLA复合导电薄膜;
(4)配制氧化锌前驱体溶液:
称取氧化锌粉末0.1-2.0g于烧杯中,加入20-500ml氨水、10-200μl冰乙酸、5-100ml甲醇及5-50ml去离子水,加热搅拌至完全溶解;
(5)喷雾热解法喷涂氧化锌纳米颗粒:
将步骤(3)制得的AgNW/PLLA:PDLA复合导电薄膜(有银纳米线网络的一面朝上)用胶带贴在铝板上,设置好喷涂的参数,进行喷涂;
(6)高温退火法将PLLA:PDLA薄膜转化为SC-PLA薄膜:
将步骤(5)制得的ZnO/AgNW/PLLA:PDLA复合导电薄膜放置在高温烘箱中退火处理30min,取出后迅速浸入去离子水(室温)中5-15min,取出后再放入40-60℃的烘箱直至完全干燥。


2.根据权利要求1所述的一种可降解银纳米线/全立构复合聚乳酸透明导电薄膜制备方法,其特征是:上述步骤(1)中基片为玻璃或者硅片;AgNWs长度为10-20μm,直径为25-35nm,浓度为0.5-1.5mg/ml,分散溶剂为乙醇或异丙醇,所取的AgNWs溶液的量...

【专利技术属性】
技术研发人员:柏栋予王军军李璐蒋正媞卢骏
申请(专利权)人:重庆文理学院
类型:发明
国别省市:重庆;50

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