一种配置中心辅助阳极的电弧离子镀膜装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术属于材料表面改性领域，涉及一种配置中心辅助阳极的电弧离子镀膜装置。在电弧离子镀设备上部中心的法兰位置处接一根或两根以上辅助阳极棒，辅助阳极棒通过绝缘块与法兰绝缘，辅助阳极棒由紫铜制作，采用空心水冷，辅助阳极棒接辅助阳极电源正极，辅助阳极电源负极接真空室外壁。在镀膜过程中，真空室内产生的电子在辅助阳极电场力的作用下发生迁徙，在迁徙过程中将气体分子电离，极大提高真空室内的等离子体密度，可有效提高镀膜沉积效率和薄膜致密度。本实用新型专利技术不仅适用于工业广泛应用的电弧离子镀设备，而且对于离化率较高的各种离子镀及高功率脉冲磁控溅射等技术同样适用，可有效提高其等离子体密度。

【技术实现步骤摘要】
一种配置中心辅助阳极的电弧离子镀膜装置
：本技术属于材料表面改性领域，涉及一种配置中心辅助阳极的电弧离子镀膜装置。
技术介绍
：电弧离子镀技术由于其具有离化率高、沉积效率快、绕镀性好等优点，已在工、模具表面强化等领域发挥重要作用。但对于普通的工业生产型电弧离子镀设备而言，对于工件表面的镀膜沉积速率大多在1～3微米/小时范围内，这对于普通的钻头、铣刀等工具可满足要求，但对于磨损严重且承载较大的工件而言，如汽车用活塞环等，一般需要沉积20微米厚的CrN涂层，这就使得需要的镀膜时间延长到6小时以上，使得镀膜效率明显降低。为了提高沉积效率，人们往往采用磁场来增加等离子体密度的方法。中国专利公开号CN103540900A(一种磁控电弧离子镀复合沉积工艺及沉积装置)提出在电弧离子镀装置中设置两套磁场发生装置，一套置于靶材后面，称为弧斑约束磁场发生装置，可加速弧斑运动速度；另一套磁场发生装置置于真空室外的等离子体传输通道外侧，可对等离子体进行聚焦，从而最终提高沉积效率，但是该方法需要专用的磁场发生装置及电源。中国专利公开号CN203174194U(一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种配置中心辅助阳极的电弧离子镀膜装置，其特征在于，在电弧离子镀设备的中心位置设置辅助阳极棒，辅助阳极棒通过绝缘块与法兰绝缘，绝缘块与法兰之间、辅助阳极棒与绝缘块之间分别通过密封胶圈进行密封，辅助阳极棒采用空心水冷结构，辅助阳极棒接辅助阳极电源正极，辅助阳极电源负极接真空室外壁；工件转架的一端设置工件转架台，基体偏压电源的负极与工件转架台连接；在真空室的侧壁上，设置与工件转架上的工件相对应的弧源靶材。/n

【技术特征摘要】
1.一种配置中心辅助阳极的电弧离子镀膜装置，其特征在于，在电弧离子镀设备的中心位置设置辅助阳极棒，辅助阳极棒通过绝缘块与法兰绝缘，绝缘块与法兰之间、辅助阳极棒与绝缘块之间分别通过密封胶圈进行密封，辅助阳极棒采用空心水冷结构，辅助阳极棒接辅助阳极电源正极，辅助阳极电源负极接真空室外壁；工件转架的一端设置工件转架台，基体偏压电源的负极与工件转架台连接；在真空室的侧壁上，设置与工件转架上的工件相对应的弧源靶材。


2.按照权利要求1所述的配置中心辅助阳极的电弧离子镀膜装置，其特征在于，辅助阳极棒设置于立式电弧离子镀设备上部的中心位置，辅助阳极棒通过立式电弧离子镀设备的上部中心法兰处进行固定。


3.按照权利要求1所述的配置中心辅助阳极的电弧离子镀膜装置，其特征在于，辅助阳极棒设置于卧式电弧离子镀设备的中心位置，辅助阳极棒通过卧式电弧离子镀设备的左端或右端中心法兰处进行固定。


4.按照权利要求1所述的配置中心辅助阳极的电弧离子镀膜装置，其特征在于，辅助阳极棒的具体位置是固定于立式...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵彦辉，刘忠海，王海，于宝海，王英智，刘洋，
申请(专利权)人：中国科学院金属研究所，沈阳乐贝真空技术有限公司，
类型：新型
国别省市：辽宁;21