【技术实现步骤摘要】
一种高深宽比光刻胶图形处理方法
本专利技术涉及一种图形处理方法，尤其涉及一种高深度比光刻胶图形处理方法，属于图形光刻
技术介绍
在大规模集成电路的微纳米制造工艺中，在光刻图形显影后，需要用去离子水冲洗光刻胶图形，随着半导体节点进入7nm节点，光刻图形的比表面积和深宽比急剧增加，去离子水表面张力引发的光刻胶图形结构坍塌与黏连成为了不可忽视的因素。研究人员提出了多种方法防止图形的坍塌与黏连，包括采用低表面张力的溶剂、冷冻干燥法和超临界干燥法等，这些方法的共同点就是在不对光刻胶图形形状造成破坏的情况下减少或者消除光刻胶大分子表面附着的去离子水表面张力的影响。它们都有其一定的局限性，包括成本高、周期长、对温度和压强要求较高、副产物难以处理等。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的不足，本专利技术提供一种高深度比光刻胶图形处理方法，能防止图形的坍塌和黏连，另外，在去胶时可以轻易去除，不会引入新的污染。为达到上述目的，本专利技术所采用的技术方案是：一种高深度比光刻胶图形处理方法，基于等离...
【技术保护点】
1.一种高深度比光刻胶图形处理方法，其特征在于：基于等离子体辅助原子层淀积，抑制高深宽比光刻胶图形坍塌和黏连。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种高深度比光刻胶图形处理方法，其特征在于：基于等离子体辅助原子层淀积，抑制高深宽比光刻胶图形坍塌和黏连。
2.根据权利要求1所述的高深度比光刻胶图形处理方法，其特征在于：将显影后的光刻胶图形样品放入原子层淀积设备反应腔，把等离子体辅助离化后的金属或类金属化合物前驱体通入反应腔，在设定反应温度条件下与光刻胶图形大分子表面附着的水分子反应生成金属/类金属-氧化学键，最后吹扫去除多余反应物和副产物，增强光刻胶图形的机械强度，抑制图形的坍塌和变形。
3.根据权利要求2所述的高深度比光刻胶图形处理方法，其特征在于：把显影液中取出的光刻胶图形放入去离子水中晃动水洗，洗好取出后用高纯N2吹干；把光刻胶图形样品放入PEALD设备反应腔，设定反应温度在40～120℃之间，把化合物反应前驱体等离子体化后通入反应腔1～600秒之间，等离子体化反应前驱体通入反应腔的时间要保证其能完成对光刻胶图形表面的完全浸润，并与H2O进行充分反应，使用惰性气体或不与反应前驱体发生化学反应的气体吹扫1～600秒之间，去除多余的反应物和副产物。
4.根据权利要求2所述的高深度比光刻胶图形处理方法，其特征在于：所述光刻胶图形为正胶或负胶，引入的金属/类金属-氧化学键附着在光刻胶分子之上。
5.根据权利要求2所述的高深度比光刻胶图形处理方法，其特征在于：所述的等离子体辅助离化是指，利用等离子体辅助原子层淀积镀膜设备，功率需满足使化合物前驱体等离子化的要求。
6.根据权利要求2所述的高深度比光刻胶图形处理方法，其特征在于：所述的化合物前驱体包括Si、Zr、Hf、Ti、Mg、Al、Fe、Zn、Ni、Ta、W的一种或多种反应前驱体。
技术研发人员：张远，方振国，卢红亮，胡继明，徐洁，
申请(专利权)人：淮北师范大学，
类型：发明
国别省市：安徽;34
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