【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及处理诸如半导体工件的工件系统和方法，特别涉及热处理系统中控制工件温度的系统和方法。两种常规的热处理炉设计成将半导体晶片加热到所需的温度，以促进注入的掺杂剂扩散到预定的深度，或执行其他常规的处理方法，例如，给晶片加氧化物层，或向晶片上淀积化学气相层。由于晶片的加热要求很重要，所以要严密监视。常规的垂直型热处理炉，例如，管形炉，设计成可以在炉内按垂直位置支承处理管。加热炉通常还采用晶片烧舟组件，晶片烧舟组件安装成适当的平移机构，用于在处理管中移进和移出晶片烧舟。与晶片烧舟相邻平行设置晶片操作组件，以将半导体晶片从晶片盒输送到晶片烧舟组件。然后，晶片被升高到石英或硅加热管内。然后，加热管慢慢的升温到预定的温度，并在该温度下保温预定的时间周期。然后，加热管慢慢冷却，从加热管移出晶片，完成热处理。这种处理方法的缺点是，晶片的处理时间和温度受到制约。在Fuse等人的美国专利No.5217501和Kakizaki等人的美国专利No.5387265中公开了这些类型和其他类型的常规垂直加热炉。用常规热处理系统的另一问题是，由于系统本身的制约，使进行处理的晶片的加...
【技术保护点】
一种用于在热处理炉中按预定温度曲线处理工件的方法，包括步骤：测量热处理炉中的工件的温度，根据预定温度曲线和测量的工件温度，在炉子内移动工件，以大致按预定温度曲线热处理工件。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：A沙吉，B马休斯，JP赫布，J达尼斯，
申请(专利权)人：艾克塞利斯技术公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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