支撑件和用于制造晶片的装置制造方法及图纸

本公开的各实施例涉及支撑件和用于制造晶片的装置。各种实施例提供了用于制造诸如SiC晶片的晶片的装置。装置包括具有多个用于支撑基板的臂的支撑件。臂允许支撑件和基板之间的物理接触最小化。结果，当基板熔化时，臂和所融化的材料之间的表面张力减小，并且所融化的材料将不太可能粘附到支撑件上。

【技术实现步骤摘要】
支撑件和用于制造晶片的装置
本公开涉及支撑件和用于制造晶片的装置。
技术介绍
半导体器件通常在硅晶片中制造。然而，至少部分地由于SiC的化学物理性质，碳化硅(SiC)晶片已经变得越来越流行。例如，SiC通常具有比硅更高的带隙。结果，即使相对薄的厚度，SiC也比硅具有更高的击穿电压。因此，SiC对于具有高电压的应用，例如电力应用是期望的。SiC可能以多种不同的晶体结构或多型形式出现。最常见的多型是立方多型(3C多型)，六边形多型(4H和6H多型)和菱形多型(15R多型)。3CSiC晶片与其他晶片多型相比具有独特的性能。例如，与4HSiC晶片相比，3CSiC晶片通常具有较低的陷阱密度和/或较高的沟道电子迁移率。
技术实现思路
本公开至少解决了熔化的硅有时有时会粘附或粘着在支撑件本身上的问题。根据本公开的第一方面，提供了一种用于制造晶片的装置，包括：腔室；在腔室中的容器；在腔室中和容器上的支撑件，支撑件包括：框、框中的开口、和多个臂，多个臂中的每个臂具有固定端和与固定端相对的自由端，固定端被附接到框，自由端延伸进入开口本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于制造晶片的装置，其特征在于，包括：/n腔室；/n在所述腔室中的容器；/n在所述腔室中和所述容器上的支撑件，所述支撑件包括：框、所述框中的开口、和多个臂，所述多个臂中的每个臂具有固定端和与所述固定端相对的自由端，所述固定端被附接到所述框，所述自由端延伸进入所述开口并且被悬挂在所述容器上。/n

【技术特征摘要】
20181106 US 16/182,0501.一种用于制造晶片的装置，其特征在于，包括：
腔室；
在所述腔室中的容器；
在所述腔室中和所述容器上的支撑件，所述支撑件包括：框、所述框中的开口、和多个臂，所述多个臂中的每个臂具有固定端和与所述固定端相对的自由端，所述固定端被附接到所述框，所述自由端延伸进入所述开口并且被悬挂在所述容器上。


2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述多个臂中的每个臂从所述框并且朝向所述开口的中心延伸。


3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述多个臂中的每个臂包括主体部分和凸起部分，所述主体部分具有附接到所述框的第一端和附接到所述凸起部分的第二端。


4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述凸起部分包括上表面和多个成角度的侧表面。


5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述框和所述开口具有圆形形状。


6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括：
加热器，被配置为加热所述腔室；
输入管道，被配置为将气体引入到所述腔室中；和
输出管道，被配置为从所述腔室移除...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·安扎隆，N·法拉泽托，
申请(专利权)人：意法半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：意大利;IT