【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置
本专利技术涉及一种半导体装置。
技术介绍
以往，已知具有多个半导体芯片，并在多个半导体芯片中的各个半导体芯片流通电流的半导体装置(例如，参照专利文献1)。专利文献1：日本特表2016-9496号公报
技术实现思路
技术问题在半导体装置中，期望消除在多个半导体芯片中的各个半导体芯片流通的电流的不均衡。技术方案在本专利技术的第一方式中，提供一种半导体装置。半导体装置可以具备具有并联连接的多个第一电路部的第一电路块。半导体装置可以具备具有并联连接的多个第二电路部的第二电路块。半导体装置可以具备将第一电路块与第二电路块电连接的块间连接部。块间连接部可以具有电阻调整部，所述电阻调整部使从第一电路块到第二电路块中最靠近第一电路块配置的第二电路部为止的电流路径的电阻值增大。多个第一电路部可以沿第一方向排列而配置。多个第二电路部可以沿第一方向排列而配置。第一电路块和第二电路块可以沿第一方向排列而配置。电阻调整部可以使从第二电路块到第一电路块中最靠近第二电路块配置...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：/n第一电路块，具有并联连接的多个第一电路部；/n第二电路块，具有并联连接的多个第二电路部；以及/n块间连接部，将所述第一电路块与所述第二电路块电连接，/n所述块间连接部具有电阻调整部，所述电阻调整部使从所述第一电路块到所述第二电路块中最靠近所述第一电路块配置的第二电路部为止的电流路径的电阻值增大。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180601 JP 2018-1065151.一种半导体装置，其特征在于，具备：
第一电路块，具有并联连接的多个第一电路部；
第二电路块，具有并联连接的多个第二电路部；以及
块间连接部，将所述第一电路块与所述第二电路块电连接，
所述块间连接部具有电阻调整部，所述电阻调整部使从所述第一电路块到所述第二电路块中最靠近所述第一电路块配置的第二电路部为止的电流路径的电阻值增大。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述多个第一电路部沿第一方向排列而配置，
所述多个第二电路部沿所述第一方向排列而配置，
所述第一电路块和所述第二电路块沿所述第一方向排列而配置。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述电阻调整部使从所述第二电路块到所述第一电路块中最靠近所述第二电路块配置的第一电路部为止的电流路径的电阻值增大。
4.根据权利要求2或3所述的半导体装置，其特征在于，
所述块间连接部具有板状部分，
所述电阻调整部是设置于所述板状部分的狭缝。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，
所述块间连接部具有：
第一连接端部，针对每个第一电路部而设置，并以从所述板状部分的端边突出的方式与所述第一电路部连接；以及
第二连接端部，针对每个第二电路部而设置，并以从所述板状部分的所述端边突出的方式与所述第二电路部连接，
所述电阻调整部具有：
端边狭缝，在所述板状部分的所述端边，设置在最靠所述第二连接端部侧配置的所述第一连接端部与最靠所述第一连接端部侧配置的所述第二连接端部之间，并从所述端边延伸到所述板状部分的内部；
第一内部狭缝，在所述板状部分以与所述端边狭缝连接的方式设置，并沿着所述端边向所述第一连接端部侧延伸；以及
第二内部狭缝，在所述板状部分以与所述端边狭缝连接的方式设置，并沿着所述端边向所述第二连接端部侧延伸。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，
所...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。