半导体模块、电力转换装置及移动体制造方法及图纸

半导体模块(100)具有：第1端子部(1)以及第2端子部(2)，它们与外部连接；以及第1电流路径(CP1)以及第2电流路径(CP2)，它们并联地将第1端子部(1)与第2端子部(2)之间连接。第1电流路径(CP1)包含：第1半导体装置(3A)；第1配线部(4A)，其将第1端子部(1)与第1半导体装置(3A)连接；以及第2配线部(5A)，其将第1半导体装置(3A)与第2端子部(2)之间连接。第2电流路径(CP2)包含：第2半导体装置(3B)；第3配线部(4B)，其将第1端子部(1)与第2半导体装置(3B)连接；以及第4配线部(5B)，其将第2半导体装置(3B)与第2端子部(2)之间连接。第1半导体装置(3A)的通电能力低于第2半导体装置(3B)的通电能力，第1配线部(4A)的阻抗与第2配线部(5A)的阻抗之和低于第3配线部(4B)的阻抗与第4配线部(5B)的阻抗之和。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体模块、电力转换装置及移动体
本专利技术涉及半导体模块、电力转换装置及移动体，特别涉及具有相互并联连接的半导体装置的半导体模块、具有该半导体模块的电力转换装置、和具有该电力转换装置的移动体。
技术介绍
电驱动的移动体具有对输入进来的电力进行转换而输出的电力转换装置。这样的电力转换装置具有主转换电路，该主转换电路具有半导体装置。近年来，为了使移动体大功率化，要求主转换电路的电流容量的大型化。作为使主转换电路的电流容量大型化的一个方法，有在主转换电路中在与直流电源连接的两个端子间并联连接多个半导体装置的方法。在这样的主转换电路中，如果相互并联连接的多个半导体装置中的任意一个达到寿命，则不能正常地起作用。即，多个半导体装置中的最短的寿命成为主转换电路的寿命。在日本特开平7-7958号公报(专利文献1)中公开了一种电力转换装置，其具有：多个半导体装置，它们相互并联连接；以及并联连接部，其将各半导体装置与直流电源之间连接。并联连接部被设置成以同一配线长度将各半导体装置与直流电源之间连接，以使各半导体装置与直流电源之间的电流路径的阻抗均本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体模块，其具有：/n第1端子部以及第2端子部，它们与外部连接；以及/n第1电流路径以及第2电流路径，它们并联地将所述第1端子部与所述第2端子部之间连接，/n所述第1电流路径包含：第1半导体装置；第1配线部，其将所述第1端子部与所述第1半导体装置连接；以及第2配线部，其将所述第1半导体装置与所述第2端子部之间连接，/n所述第2电流路径包含：第2半导体装置；第3配线部，其将所述第1端子部与所述第2半导体装置连接；以及第4配线部，其将所述第2半导体装置与所述第2端子部之间连接，/n所述第1半导体装置的通电能力低于所述第2半导体装置的通电能力，所述第1配线部的阻抗与所述第2配线部的阻抗之和...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体模块，其具有：
第1端子部以及第2端子部，它们与外部连接；以及
第1电流路径以及第2电流路径，它们并联地将所述第1端子部与所述第2端子部之间连接，
所述第1电流路径包含：第1半导体装置；第1配线部，其将所述第1端子部与所述第1半导体装置连接；以及第2配线部，其将所述第1半导体装置与所述第2端子部之间连接，
所述第2电流路径包含：第2半导体装置；第3配线部，其将所述第1端子部与所述第2半导体装置连接；以及第4配线部，其将所述第2半导体装置与所述第2端子部之间连接，
所述第1半导体装置的通电能力低于所述第2半导体装置的通电能力，所述第1配线部的阻抗与所述第2配线部的阻抗之和低于所述第3配线部的阻抗与所述第4配线部的阻抗之和。


2.根据权利要求1所述的半导体模块，其中，
在平面视图中，
所述第1配线部以最短距离将所述第1端子部与所述第1半导体装置之间连接，
所述第2配线部以最短距离将所述第2端子部与所述第1半导体装置之间连接，
所述第3配线部以最短距离将所述第1端子部与所述第2半导体装置之间连接，
所述第4配线部以最短距离将所述第2端子部与所述第2半导体装置之间连接，
所述第1端子部和所述第1半导体装置之间的所述最短距离与所述第2端子部和所述第1半导体装置之间的所述最短距离之和，短于所述第1端子部和所述第2半导体装置之间的所述最短距离与所述第2端子部和所述第2半导体装置之间的所述最短距离之和。


3.根据权利要求1或2所述的半导体模块，其中，
所述第1配线部以及所述第2配线部的最小厚度厚于所述第3配线部以及所述第4配线部的最小厚度。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体模块，其中，
所...

【专利技术属性】
技术研发人员：酒井纯也，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP