一种高线性度宽摆幅CMOS电压跟随器制造技术

本发明专利技术公开了一种高线性度宽摆幅CMOS电压跟随器，当输入电压低至0V时，所有MOS管都能够充分工作在饱和区，因而能够保证电压跟随器能够正常工作；随着输入电压增高，PMOS管P9漏端电压会迫近电源电压VDD，此时PMOS管P9进入线性区，导致PMOS管P9的栅极电压急剧下降，但是只要没有下降到迫使NMOS管N3进入线性区，电压跟随器仍能正常工作。因此PMOS管P9栅极电压可以低至小于2Vdsat，PMOS管P9的栅极电压允许摆幅得到较大的扩展。

【技术实现步骤摘要】
一种高线性度宽摆幅CMOS电压跟随器
本专利技术属于集成电路设计
，尤其是涉及一种高线性度宽摆幅CMOS电压跟随器。
技术介绍
源极跟随器是CMOS电压跟随器的基本实现途径。一种传统的超级源极跟随器的电路如图1所示，其输入端为MOS管栅极(高输入阻抗)，输出电阻等于由于P2管引入的负反馈，输入管P1的等效跨导被放大了，因而能够提供更低的输出电阻。这种超级源极跟随器的戴维南等效模型如图2所示，可知其电压增益等于对于电压跟随器来说，我们希望输出电阻Rout越小越好，使得电压增益Av接近1。先进CMOS工艺下的电源电压已越来越低，电压裕度对于模拟电路来说十分紧张，对于电压跟随器这种需要大的电压输出摆幅的模拟电路来说，情况更加严峻，保证每个MOS管都始终充分工作在饱和区已越来越困难。如图1所示，当输入电压增大时，P2管的漏端电压(即输出电压)迫近电源电压，P2管容易进入线性区，导致gm2下降；同时，P2管的栅极电压急剧下降，电流源IB进入线性区，导致roB减小，叠加效应之下，输出电阻Rout增大。根据电压增益公式可知Av减小，电压本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高线性度宽摆幅CMOS电压跟随器，其特征在于，包括PMOS管P1、PMOS管P2、PMOS管P3、PMOS管P4、PMOS管P5、PMOS管P6、PMOS管P7、PMOS管P8、PMOS管P9、PMOS管P10、NMOS管N1、NMOS管N2、NMOS管N3、NMOS管N4、NMOS管N5、参考电流源Iref、电阻R1、电阻R2、电容C1、偏置电压Vb和电压源VDD；/n其中所述参考电流源Iref的一端分别连接到电阻R1的一端、PMOS管P5的栅极、PMOS管P6的栅极、PMOS管P7的栅极和PMOS管P8的栅极；所述电阻R1的另一端分别连接到PMOS管P1的栅极、PMOS管P2的栅极...

【技术特征摘要】
1.一种高线性度宽摆幅CMOS电压跟随器，其特征在于，包括PMOS管P1、PMOS管P2、PMOS管P3、PMOS管P4、PMOS管P5、PMOS管P6、PMOS管P7、PMOS管P8、PMOS管P9、PMOS管P10、NMOS管N1、NMOS管N2、NMOS管N3、NMOS管N4、NMOS管N5、参考电流源Iref、电阻R1、电阻R2、电容C1、偏置电压Vb和电压源VDD；
其中所述参考电流源Iref的一端分别连接到电阻R1的一端、PMOS管P5的栅极、PMOS管P6的栅极、PMOS管P7的栅极和PMOS管P8的栅极；所述电阻R1的另一端分别连接到PMOS管P1的栅极、PMOS管P2的栅极、PMOS管P3的栅极、PMOS管P4的栅极和PMOS管P5的漏极；所述电压源VDD分别连接到PMOS管P1的源极、PMOS管P2的源极、PMOS管P3的源极、PMOS管P4的源极和PMOS管P9的源极；所述PMOS管P1的漏极连接到PMOS管P5的源极；所述PMOS管P2的漏极连接到PMOS管P6的源极；所述PMOS管P3的漏极连接到PMOS管P7的源极；所述PMOS管P4的漏极连接到PMOS管P8的源极；所述PMOS管P6的漏极分别连接到NMOS管N4的漏...

【专利技术属性】
技术研发人员：白春风，刘天宇，郭泽涛，乔东海，
申请(专利权)人：苏州大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32