量子点发光二极管及其制备方法技术

本发明专利技术属于显示技术领域，具体涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。该量子点发光二极管包括底电极、顶电极以及设置在所述底电极和所述顶电极之间的量子点发光层，所述量子点发光二极管为底发射型量子点发光二极管，所述底电极靠近所述量子点发光层的表面设置有纳米柱微结构；所述纳米柱微结构中的纳米柱的侧边包覆有用于形成环形微腔的第一材料层，相邻两纳米柱侧边包覆的所述第一材料层之间设有第二材料，所述第一材料层的折射率大于所述纳米柱的折射率，且所述第一材料层的折射率大于第二材料的折射率。该纳米柱微结构在光输出方向对输出光进行一定程度的振荡放大、限制引导，降低波导模式，从而提高器件出光效率。

【技术实现步骤摘要】
量子点发光二极管及其制备方法
本专利技术属于显示
，具体涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。
技术介绍
近年来，QLED(QuantumDotLightEmittingDiode，量子点发光二极管)和OLED(OrganicLightEmittingDiode，有机发光二极管)由于其高亮度、低功耗、广色域等优点获得了越来越多的关注，逐渐成为显示领域的两大主流技术，并形成分庭抗礼之势。而QLED因其低启亮电压、窄发光峰、发光波长可调等优势，展示出了巨大的应用潜力。而在QLED器件性能方面，器件的出光效率较低一直是研究者们关注的重点之一。目前常用的提高器件出光效率的方法有基于微腔效应控制器件厚度、利用布拉格反射镜、光子晶体等，但此类方法通常工序复杂，控制难度高，不利于实施。因此，现有技术有待改进。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的上述不足，提供一种量子点发光二极管及其制备方法，旨在解决现有QLED器件的出光效率低的技术问题。为实现上述专利技术目的，本专利技术采用的技术方案如下：...

【技术保护点】
1.一种量子点发光二极管，包括底电极、顶电极以及设置在所述底电极和所述顶电极之间的量子点发光层，所述量子点发光二极管为底发射型量子点发光二极管，其特征在于，所述底电极靠近所述量子点发光层的表面设置有纳米柱微结构；/n所述纳米柱微结构中的纳米柱的侧边包覆有用于形成环形微腔的第一材料层，相邻两纳米柱侧边包覆的所述第一材料层之间设有第二材料，所述第一材料层的折射率大于所述纳米柱的折射率，且所述第一材料层的折射率大于第二材料的折射率。/n

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光二极管，包括底电极、顶电极以及设置在所述底电极和所述顶电极之间的量子点发光层，所述量子点发光二极管为底发射型量子点发光二极管，其特征在于，所述底电极靠近所述量子点发光层的表面设置有纳米柱微结构；
所述纳米柱微结构中的纳米柱的侧边包覆有用于形成环形微腔的第一材料层，相邻两纳米柱侧边包覆的所述第一材料层之间设有第二材料，所述第一材料层的折射率大于所述纳米柱的折射率，且所述第一材料层的折射率大于第二材料的折射率。


2.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述纳米柱微结构表面设置有回填层，所述回填层的材料为所述第二材料填充在相邻两纳米柱侧边包覆的所述第一材料层之间，且所述第一材料层的折射率大于所述回填层的折射率。


3.如权利要求2所示的量子点发光二极管，其特征在于，所述底电极为阳极，所述顶电极为阴极，所述回填层与所述量子点发光层之间设置有空穴功能层；和/或，所述顶电极与所述量子点发光层之间设置有电子功能层；或者，
所述底电极为阴极，所述顶电极为阳极，所述回填层与所述量子点发光层之间设置有电子功能层；和/或，所述顶电极与所述量子点发光层之间设置有空穴功能层。


4.如权利要求1所示的量子点发光二极管，其特征在于，所述底电极为阳极，所述顶电极为阴极，所述纳米柱微结构表面设置有空穴功能层，所述空穴功能层的材料为所述第二材料填充在相邻两纳米柱侧边包覆的所述第一材料层之间，且所述第一材料层的折射率大于所述空穴功能层的折射率；和/或，
所述顶电极与所述量子点发光层之间设置有电子功能层。


5.如权利要求4所示的量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴功能层为空穴注入层。


6.如权利要求1所示的量子点发光二极管，其特征在于，所述底电极为阴极，所述顶电...

【专利技术属性】
技术研发人员：雷卉，曹蔚然，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44