【技术实现步骤摘要】
封装薄膜及其制备方法和发光显示装置
本专利技术属于显示
,具体涉及一种封装薄膜及其制备方法和发光显示装置。
技术介绍
相对于有机发光染料和无机荧光粉而言,半导体量子点材料作为发光层的量子点发光二极管(QLED)以其优异的光学和器件稳定性等良好的特点使得量子点发光二极管在光电、光伏和生物标记领域具有广泛的应用空间,尤其是在发光二极管方面的应用,量子点发光二极管将会引领显示屏和固态照明行业新一代产品的开发。尽管通过对量子点材料的改进使得QLED的性能(包括器件效率和寿命)得到了大幅度的提高,但是其出光效率与产业化生产的要求还相差较远。传统的QLED器件包括Al+ITO衬底/PEDOT:PSS/poly-TPD/量子点发光层/ZnO/Mg-Ag合金+封装盖板玻璃层,传统的光电器件封装技术是在水、氧含量低于1ppm的手套箱中完成的。将制作好的器件由手套箱内的线形机械手传入手套箱内。后盖板由调整好程序的自动涂胶机完成UV胶的涂敷,将制作好的光电器件基板与涂好UV胶的后盖板对准贴合,经过UV曝光以后就形成了一个与大气环境隔 ...
【技术保护点】
1.一种封装薄膜,其特征在于,包括依次层叠的N层无机薄膜,所述N层无机薄膜中,从第1层无机薄膜到第N层无机薄膜的折射率依次增大,且所述封装薄膜用于封装光电器件时,所述第1层无机薄膜与所述发光器件的顶电极相邻;其中,N为等于或大于2的整数。/n
【技术特征摘要】
1.一种封装薄膜,其特征在于,包括依次层叠的N层无机薄膜,所述N层无机薄膜中,从第1层无机薄膜到第N层无机薄膜的折射率依次增大,且所述封装薄膜用于封装光电器件时,所述第1层无机薄膜与所述发光器件的顶电极相邻;其中,N为等于或大于2的整数。
2.如权利要求1所述的封装薄膜,其特征在于,所述封装薄膜包括依次层叠的2-10层无机薄膜;和/或
所述第1层无机薄膜与所述光电器件的顶电极的折射率之差的绝对值≤0.3;和/或,
所述第N层无机薄膜与第N-1层无机薄膜的折射率之差的范围为0.05-1.0。
3.如权利要求1所述的封装薄膜,其特征在于,所述第1层无机薄膜的材料选自氟化镁纳米材料;和/或,
所述封装薄膜中的第2层无机薄膜到第N层无机薄膜的材料分别独立选自氧化钛纳米材料、氧化锆纳米材料、氧化锌纳米材料和氧化硅纳米材料中的至少一种。
4.如权利要求1-3任一项所述的封装薄膜,其特征在于,所述封装薄膜包括依次层叠的3层无机薄膜;其中,第1层无机薄膜的材料为氟化镁纳米棒,第2层无机薄膜的材料为空心纳米粒子,第3层无机薄膜的材料为实心纳米粒子。
5.如权利要求4所述的封装薄膜,其特征在于,所述空心纳米粒子和所述实心纳米粒子的化学成分相同。
6.如权利要求1-3任一项所述的封装薄膜,其特征在于,所述第N层无机薄膜被修饰剂进行表面疏水修饰处理;和/或,
所述封装薄膜中的每层无...
【专利技术属性】
技术研发人员:朱佩,向超宇,罗植天,张滔,李乐,
申请(专利权)人:TCL集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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