封装薄膜及其制备方法和发光显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术属于显示技术领域，具体涉及一种封装薄膜及其制备方法和发光显示装置。所述封装薄膜，包括依次层叠的N层无机薄膜，所述N层无机薄膜中，从第1层无机薄膜到第N层无机薄膜的折射率依次增大，且所述封装薄膜用于封装光电器件时，所述第1层无机薄膜与所述发光器件的顶电极相邻；其中，N为等于或大于2的整数。该封装薄膜用于封装光电器件时，可以在有效防止空气中的水氧进入器件内部的前提下，同时减少器件中发出的光在封装薄膜中的全反射，可以提高器件的发光效率和使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
封装薄膜及其制备方法和发光显示装置
本专利技术属于显示
，具体涉及一种封装薄膜及其制备方法和发光显示装置。
技术介绍
相对于有机发光染料和无机荧光粉而言，半导体量子点材料作为发光层的量子点发光二极管(QLED)以其优异的光学和器件稳定性等良好的特点使得量子点发光二极管在光电、光伏和生物标记领域具有广泛的应用空间，尤其是在发光二极管方面的应用，量子点发光二极管将会引领显示屏和固态照明行业新一代产品的开发。尽管通过对量子点材料的改进使得QLED的性能(包括器件效率和寿命)得到了大幅度的提高，但是其出光效率与产业化生产的要求还相差较远。传统的QLED器件包括Al+ITO衬底/PEDOT：PSS/poly-TPD/量子点发光层/ZnO/Mg-Ag合金+封装盖板玻璃层，传统的光电器件封装技术是在水、氧含量低于1ppm的手套箱中完成的。将制作好的器件由手套箱内的线形机械手传入手套箱内。后盖板由调整好程序的自动涂胶机完成UV胶的涂敷，将制作好的光电器件基板与涂好UV胶的后盖板对准贴合，经过UV曝光以后就形成了一个与大气环境隔开的壁障，该壁障能有效防止空气中的水、氧进入光电器件内部，避免了与之发生反应。该封装方法能够成功耦合出QLED外部的比例却不高，从而影响了器件的出光效率。当前，商用的光电器件的封装技术正从传统的盖板式封装向新型薄膜一体化封装发展。薄膜封装的出现使柔性显示的梦想得以实现，不过现阶段封装寿命和稳定性有待更进一步提高，成本优势也不大，与传统封装相比优势不是十分明显。在典型的平面结构顶发光形式QLED器件内，要达到高照明效率的QLED器件，必须要提升光输出耦合效率，想方设法将局限的光藕合出来。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的上述不足，提供一种封装薄膜及其制备方法和发光显示装置，旨在解决现有光电器件的封装效果不理想，从而影响器件的出光效率和使用寿命的技术问题。为实现上述专利技术目的，本专利技术采用的技术方案如下：本专利技术一方面提供一种封装薄膜，包括依次层叠的N层无机薄膜，所述N层无机薄膜中，从第1层无机薄膜到第N层无机薄膜的折射率依次增大，且所述封装薄膜用于封装光电器件时，所述第1层无机薄膜与所述发光器件的顶电极相邻；其中，N为等于或大于2的整数。本专利技术提供的封装薄膜是一种新的封装盖板无机玻璃，用于封装光电器件，所述封装薄膜中具有梯度折射率的多层无机透明薄膜，即封装薄膜中层叠的N层无机薄膜中，从第1层无机薄膜到第N层无机薄膜的折射率依次增大，这样，当该封装薄膜用于封装光电器件时，可以在有效防止空气中的水氧进入器件内部的前提下，同时减少器件中发出的光在封装薄膜中的全反射，从而增加光的导出，最终可以提高器件的发光效率，同时，该封装薄膜相对于传统的盖板封装玻璃具备轻、薄、高效的特点，而且克服了玻璃易碎的缺陷，最终提高了器件的使用寿命。本专利技术另一方面提供一种封装薄膜的制备方法，包括如下步骤：提供基板；在所述基板上制备封装薄膜；其中，所述封装薄膜包括依次层叠的N层无机薄膜，所述N层无机薄膜中，从第1层无机薄膜到第N层无机薄膜的折射率依次增大，且所述第1层无机薄膜与所述基板相邻，N为等于或大于2的整数。本专利技术提供的封装薄膜的制备方法工，工艺简单易行，通过在基板上先后依次制备层叠的N层无机薄膜，从而得到封装薄膜；该制备方法得到的封装薄膜用于封装光电器件时，可以在有效防止空气中的水氧进入器件内部的前提下，同时减少器件中发出的光在封装薄膜中的全反射，可以提高器件的发光效率和使用寿命。最后，本专利技术还提供一种发光显示装置，包括光电器件和设置在所述光电器件上的封装层，所述封装层为本专利技术所述的封装薄膜或本专利技术所述的制备方法得到的封装薄膜。本专利技术提供的发光显示装置用本专利技术特有的封装薄膜作为封装层进行封装，因此，该发光装置不仅可以有效防止空气中的水氧进入器件内部，同时减少器件中发出的光在封装薄膜中的全反射，因此具有很好的发光效率和使用寿命。附图说明图1为本专利技术的封装薄膜的光线出光示意图；图2为本专利技术一实施例的发光显示装置示意图；图3为本专利技术另一实施例的发光显示装置示意图。具体实施方式为了使本专利技术要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。一方面，本专利技术实施例提供了一种封装薄膜，包括依次层叠的N层无机薄膜，所述N层无机薄膜中，从第1层无机薄膜到第N层无机薄膜的折射率依次增大，且所述封装薄膜用于封装光电器件时，所述第1层无机薄膜与所述发光器件的顶电极相邻；其中，N为等于或大于2的整数。本专利技术实施例提供的封装薄膜是一种新的封装盖板无机玻璃，用于封装光电器件，所述封装薄膜中具有梯度折射率的多层无机透明薄膜，即封装薄膜中层叠的N层无机薄膜中，从第1层无机薄膜到第N层无机薄膜的折射率依次增大，这样，当该封装薄膜用于封装光电器件时，可以在有效防止空气中的水氧进入器件内部的前提下，同时减少器件中发出的光在封装薄膜中的全反射，从而增加光的导出，最终可以提高器件的发光效率，同时，该封装薄膜相对于传统的盖板封装玻璃具备轻、薄、高效的特点，而且克服了玻璃易碎的缺陷，最终提高了器件的使用寿命。具体地，所述光电器件为顶发射发光器件。进一步地，在本专利技术实施例提供的所述封装薄膜中，包括依次层叠的2-10层无机薄膜。进一步地，在本专利技术实施例提供的所述封装薄膜封装光电器件时，其中的第1层无机薄膜与被封装的发光器件的顶电极相邻，且第1层无机薄膜使用的材料可以是与顶电极(顶电极一般为AgMg合金，折射率n＝1)的折射率类似的材料；优选地，所述第1层无机薄膜与所述光电器件的顶电极的折射率之差≤0.3，一方面使得顶电极和阴极之间折射率差异较小，光从器件射入至第1层无机薄膜时，入射角变化较小，另一方面使得顶电极至第1层无机薄膜到第N层无机薄膜的折射率依次增大，使光更容易导出。本专利技术实施例提供的封装薄膜中的N层无机薄膜中，各层的无机薄膜所使用的材料为无机纳米材料，具体可以是实心纳米粒子或空心纳米粒子(如纳米球)、实心纳米棒或空心纳米棒，只要无机材料组成的N层无机薄膜中，从第1层无机薄膜到第N层无机薄膜的折射率依次增大即可。进一步地，所述第1层无机薄膜的材料选自氟化镁纳米材料；而所述封装薄膜中的第2层无机薄膜到第N层无机薄膜(即除了第1层无机薄膜之外，剩余的无机薄膜)的材料分别独立选自氧化钛(TiO2，n＝2.3)纳米材料、氧化锆(ZrO2，n＝2.0)纳米材料、氧化锌(ZnO，n＝2.0)纳米材料和氧化硅(SiO2，n＝1.4)纳米材料中的至少一种，因此，根据第1层无机薄膜、第2层到第N层无机薄膜不同的材料选择，可以使得所述第N层无机薄膜与第N-1层无机薄膜的折射率之差的范围为0.1-1.0，可以理解地是，第N层无机薄膜与第N-1层无机薄膜的折射率之差的范围为0.1-1.本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种封装薄膜，其特征在于，包括依次层叠的N层无机薄膜，所述N层无机薄膜中，从第1层无机薄膜到第N层无机薄膜的折射率依次增大，且所述封装薄膜用于封装光电器件时，所述第1层无机薄膜与所述发光器件的顶电极相邻；其中，N为等于或大于2的整数。/n

【技术特征摘要】
1.一种封装薄膜，其特征在于，包括依次层叠的N层无机薄膜，所述N层无机薄膜中，从第1层无机薄膜到第N层无机薄膜的折射率依次增大，且所述封装薄膜用于封装光电器件时，所述第1层无机薄膜与所述发光器件的顶电极相邻；其中，N为等于或大于2的整数。


2.如权利要求1所述的封装薄膜，其特征在于，所述封装薄膜包括依次层叠的2-10层无机薄膜；和/或
所述第1层无机薄膜与所述光电器件的顶电极的折射率之差的绝对值≤0.3；和/或，
所述第N层无机薄膜与第N-1层无机薄膜的折射率之差的范围为0.05-1.0。


3.如权利要求1所述的封装薄膜，其特征在于，所述第1层无机薄膜的材料选自氟化镁纳米材料；和/或，
所述封装薄膜中的第2层无机薄膜到第N层无机薄膜的材料分别独立选自氧化钛纳米材料、氧化锆纳米材料、氧化锌纳米材料和氧化硅纳米材料中的至少一种。


4.如权利要求1-3任一项所述的封装薄膜，其特征在于，所述封装薄膜包括依次层叠的3层无机薄膜；其中，第1层无机薄膜的材料为氟化镁纳米棒，第2层无机薄膜的材料为空心纳米粒子，第3层无机薄膜的材料为实心纳米粒子。


5.如权利要求4所述的封装薄膜，其特征在于，所述空心纳米粒子和所述实心纳米粒子的化学成分相同。


6.如权利要求1-3任一项所述的封装薄膜，其特征在于，所述第N层无机薄膜被修饰剂进行表面疏水修饰处理；和/或，
所述封装薄膜中的每层无...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱佩，向超宇，罗植天，张滔，李乐，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44