一种缺陷态石墨烯/半导体异质结光电探测器制造技术

本发明专利技术公开了一种缺陷态石墨烯/半导体异质结光电探测器，所述光电探测器具有两层结构，一层为半导体层，另一层为缺陷态石墨烯层，所述缺陷态石墨烯层与半导体层贴合；缺陷态石墨烯层厚度为10‑100nm，所述缺陷态石墨烯层中含有缺陷态sp

【技术实现步骤摘要】
一种缺陷态石墨烯/半导体异质结光电探测器
本专利技术属于光电探测器
，尤其涉及一种缺陷态石墨烯/半导体异质结光电探测器。
技术介绍
随着技术的发展，光电探测范围从可见光拓宽到紫外、红外、X射线，甚至太赫兹波段，在国民经济乃至国防军事中都起着至关重要的作用。但纵观光电探测器的发展进程，寻求高响应，室温宽波段光电探测器，依旧是重要的研究方向。缺陷态石墨烯/半导体异质结光电探测器是其中之一，它是应用石墨烯(4.5eV)和半导体功函的不同而构建异质结，当光照射到异质结，缺陷态石墨烯吸收光，光子能量发生跃迁，产生光生载流子，光生载流子在外加偏压的作用下，传输到异质结界面，实现光电转换。但是传统的石墨烯/半导体异质结光电探测器是应用单层石墨烯或者少层机械剥离石墨烯作为金属材料，其存在以下几方面的问题，其一，石墨烯厚度低，吸光率太低；其二，少层石墨烯面积太小，不适合大量制备。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有技术的不足，提供了一种缺陷态石墨烯/半导体异质结光电探测器。通过设计了纳米量级石墨烯膜，增加光吸收，克服传了统本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种缺陷态石墨烯/半导体异质结光电探测器，其特征在于，所述光电探测器具有两层结构，一层为半导体层，另一层为缺陷态石墨烯层，所述缺陷态石墨烯层与半导体层贴合；缺陷态石墨烯层厚度为10-100nm，所述缺陷态石墨烯层中含有缺陷态sp

【技术特征摘要】
1.一种缺陷态石墨烯/半导体异质结光电探测器，其特征在于，所述光电探测器具有两层结构，一层为半导体层，另一层为缺陷态石墨烯层，所述缺陷态石墨烯层与半导体层贴合；缺陷态石墨烯层厚度为10-100nm，所述缺陷态石墨烯层中含有缺陷态sp3/sp2碳含量比为1％-40％。所述缺陷态石墨烯层通过以下方法制备得到：
(1)在AAO基底上抽滤得到纳米厚度氧化石墨烯膜，所述氧化石墨烯膜负载在AAO基底上；
(2)将负载有氧化石墨烯膜的AAO基底，在60-120℃下进行化学还原，还原时间为6-12h，得到负载还原氧化石墨烯膜的AAO基底；
(3)将负载还原氧化石墨烯膜的AAO基底通过樟脑在120-200℃下剥离，并在60℃下除去...

【专利技术属性】
技术研发人员：高超，曹小雪，徐杨，彭蠡，
申请(专利权)人：杭州高烯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33