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本发明公开了一种缺陷态石墨烯/半导体异质结光电探测器，所述光电探测器具有两层结构，一层为半导体层，另一层为缺陷态石墨烯层，所述缺陷态石墨烯层与半导体层贴合；缺陷态石墨烯层厚度为10‑100nm，所述缺陷态石墨烯层中含有缺陷态sp...
该专利属于杭州高烯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州高烯科技有限公司授权不得商用。

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