【技术实现步骤摘要】
具有碳基导电区的各向异性导电膜和相关的半导体组合件、系统和方法优先权要求本申请案主张2018年12月31日以“具有碳基导电区的各向异性导电膜和相关的半导体组合件、系统和方法(AnisotropicConductiveFilmwithCarbon-BasedConductiveRegionsandRelatedSemiconductorAssemblies,Systems,andMethods)”申请的美国专利申请案第16/236,687号的申请日的权益。
在各种实施例中，本公开大体上涉及用于半导体装置组件之间的机械和电性连接的导电粘着剂。更确切地说，本文中所公开的实施例涉及具有碳基导电区的各向异性导电膜、用于制造其的方法以及相关的半导体组合件和系统。
技术介绍
在半导体装置和系统的制造中，大量半导体装置可制造于晶片或半导性材料的其它块状衬底上，如硅晶片上。每个半导体装置包括半导体材料的芯片，又称为“裸片(die)”，在所述芯片上制造包括均互连以形成有用装置的各种电子组件(如晶体管、电感器、电阻器和电容...
【技术保护点】
1.一种各向异性导电膜，其包括：/n离散区的图案，所述离散区相互横向地间隔至少一个预定间距，每个离散区包括导电碳基材料；以及/n介电材料，其至少在所述离散区之间。/n
【技术特征摘要】
20181231 US 16/236,6871.一种各向异性导电膜，其包括：
离散区的图案，所述离散区相互横向地间隔至少一个预定间距，每个离散区包括导电碳基材料；以及
介电材料，其至少在所述离散区之间。
2.根据权利要求1所述的各向异性导电膜，其中所述导电碳基材料包括石墨烯。
3.根据权利要求1所述的各向异性导电膜，其中所述离散区进一步包括所述导电碳基材料的一或多个表面上的晶种材料。
4.根据权利要求3所述的各向异性导电膜，其中所述晶种材料包括镍或铜中的至少一种。
5.根据权利要求3所述的各向异性导电膜，其中所述晶种材料安置于所述导电碳基材料的侧壁上。
6.根据权利要求5所述的各向异性导电膜，其中所述晶种材料进一步安置于所述导电碳基材料的至少一个末端表面上。
7.根据权利要求1所述的各向异性导电膜，其中所述离散区由所述导电碳基材料组成。
8.根据权利要求1所述的各向异性导电膜，其中所述离散区中的至少一些各自界定所述导电碳基材料内的空隙空间。
9.根据权利要求1所述的各向异性导电膜，其中所述离散区不含铝、银和锡。
10.根据权利要求1所述的各向异性导电膜，其中所述离散区中的每一个延伸穿过所述各向异性导电膜的大部分高度。
11.根据权利要求1所述的各向异性导电膜，其中所述导电碳基材料呈现约10-6Ω·m或更小的电阻率。
12.根据权利要求1所述的各向异性导电膜，其进一步包括在所述离散区的末端上方延伸的粘着介电材料。
13.根据权利要求12所述的各向异性导电膜，其中至少在所述离散区之间的所述介电材料包括另一粘着介电材料。
14.根据权利要求13所述的各向异性导电膜，其中所述粘着介电材料和所述另一粘着介电材料具有相同组成物。
15.一种半导体装置组合件，其包括：
半导体裸片，其包括导电元件的图案；
另一半导体裸片，其包括叠置在所述半导体裸片上的导电元件的相同图案，其中所述图案对准；以及
各向异性导电膜，其在所述半导体裸片与所述另一半导体裸片之间，所述各向异性导电膜包括：
导电材料的相互离散区的阵列，其在至少一种介电材料的膜中，所述相互离散区由至少一个预定间距分离，所述导电材料主要包括碳基材料。
16.根据权利要求15所述的半导体装置组合件，其中所述阵列的所述离散区中的至少一个在所述半导体裸片的导电元件与所述另一半导体裸片的所对准导电元件正中间延伸。
17.根据权利要求15所述的半导体装置组合件，其中所述导电材料包括至少50at.％石墨烯。
18.根据权利要求17所述的半导体装置组合件，其中所述导电材料由石墨烯组成。
19.根据权利要求15所述的半导体装置组合件，其中所述碳基材料通过晶种材料横向地与所述至少一种介电材料的粘着材料间隔开。
20.根据权利要求15所述的半导体装置组合件，其中所述碳基材料界定空隙空间。
21.根据权利要求20所述的半导体装置组合...
【专利技术属性】
技术研发人员：仲野英一，M·E·塔特尔，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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