用以去除电极氧化膜及蚀刻电极的处理方法技术

本发明专利技术涉及一种利用等离子体及气体的用以去除电极氧化膜及蚀刻电极的处理方法，更具体而言，涉及一种包括从形成有通道的电极去除形成在电极上的氧化膜的步骤、及对去除氧化膜的所述电极执行蚀刻制程的步骤的用以去除电极氧化膜及蚀刻电极的处理方法。

【技术实现步骤摘要】
用以去除电极氧化膜及蚀刻电极的处理方法
本专利技术涉及一种利用等离子体及气体去除形成在电极上的氧化膜，通过蚀刻制程对电极受损的部分进行处理的方法。
技术介绍
通过在基板表面上形成复杂地图案化而成的物质层的制程来制造集成电路。为了在基板上形成经图案化的物质，需要去除物质的控制制程。作为这种制程，有利用化学反应(溶液)的湿式蚀刻(wetetching)方法与利用化学反应(气体)的干式蚀刻(dryetching)方法等。另一方面，湿式蚀刻包括将光阻图案转印到具备在下部的层、将层薄膜化或使已存在于表面的特征的横向尺寸变薄，因此用于各种目的。然而，湿式蚀刻存在如下等较大的问题：微小图案的纵横比增加而无法均匀地蚀刻表面，且图案塌陷。并且，在微小图案中，因湿式蚀刻制程的极限与低选择比而干式蚀刻备受关注。干式蚀刻有气相蚀刻与利用反应性气体的等离子体状态进行蚀刻的等离子体蚀刻，这种干式蚀刻中的等离子体蚀刻可仅对所期望的部分进行蚀刻，故而具有准确性良好且可进行微细图案化的优点。然而，在进行等离子体蚀刻制程时存在如下问题：等离子体能量本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用以去除电极氧化膜及蚀刻电极的处理方法，包括：/n从形成有通道的电极去除形成在所述电极上的氧化膜；以及/n对去除所述氧化膜的所述电极进行蚀刻制程。/n

【技术特征摘要】
20181226 KR 10-2018-01690641.一种用以去除电极氧化膜及蚀刻电极的处理方法，包括：
从形成有通道的电极去除形成在所述电极上的氧化膜；以及
对去除所述氧化膜的所述电极进行蚀刻制程。


2.根据权利要求1所述的用以去除电极氧化膜及蚀刻电极的处理方法，其中所述电极为选自由钨、钛、多晶硅及铝所组成的族群中的一种以上。


3.根据权利要求1所述的用以去除电极氧化膜及蚀刻电极的处理方法，其中利用氢气/氩气执行所述氧化膜的去除。


4.根据权利要求3所述的用以去除电极氧化膜及蚀刻电极的处理方法，其中在所述氢气/氩气中，氢气相对于氩气的流量比为0.01至0.1。


5.根据权利要求1所述的用以去除电极氧化膜及蚀刻电极的处理方法，其中利用通过射频功率产生的等离子体及气体执行所述氧化膜的去除。

【专利技术属性】
技术研发人员：权捧秀，金洗璨，吉惠晙，
申请(专利权)人：TES股份有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR