可调NAND写入性能制造技术

本申请涉及可调NAND写入性能。本文描述了用于可调存储器设备写性能的设备和技术。可以在存储器设备处从存储器设备的控制器接收加速写入请求。所述存储器设备可以识别用于外部写入的目标块作为多级单元块打开。然后，所述存储器设备可以使用单级单元编码将所述加速写入请求的数据写入所述目标块。

【技术实现步骤摘要】
可调NAND写入性能
本公开的主题涉及用于可调存储器设备写入性能的设备和技术。
技术介绍
存储器设备通常被提供作为计算机或其它电子设备中的内部半导体集成电路。有许多不同类型的存储器，包括易失性和非易失性存储器。易失性存储器需要电源来维护其数据，并且包括随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)或同步动态随机存取存储器(SDRAM)等。非易失性存储器在未通电时可以保留存储的数据，并且包括快闪存储器、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、静态随机存取存储器(SRAM)、可擦除可编程只读存储器(EPROM)、电阻可变存储器，诸如相变随机存取存储器(PCRAM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)或磁阻随机存取存储器(MRAM)等。快闪存储器被用作广泛电子应用的非易失性存储器。快闪存储器设备通常包括一或多组单晶体管、浮栅或电荷俘获存储器单元，其实现了高存储密度、高可靠性和低功耗。快闪存储器阵列架构的两种常见类型包括NAND和NOR架构，以逻辑形式命名，其中每种架构的基本存储器单元配置本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于可调NAND写入性能的存储器设备，所述存储器设备包括：/n接口，用于从所述存储器设备的控制器接收加速写入请求；和/n处理电路系统，用于：/n识别用于外部写入的目标块作为多级单元块被打开；和/n使用单级单元编码将所述加速写入请求的数据写入所述目标块。/n

【技术特征摘要】
20181228 US 16/236,0401.一种用于可调NAND写入性能的存储器设备，所述存储器设备包括：
接口，用于从所述存储器设备的控制器接收加速写入请求；和
处理电路系统，用于：
识别用于外部写入的目标块作为多级单元块被打开；和
使用单级单元编码将所述加速写入请求的数据写入所述目标块。


2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中只有所述目标块打开用于外部写入。


3.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述单级单元编码具有基于所述目标块的多级单元编码类型的电荷分布的电荷分布。


4.根据权利要求3所述的存储器设备，其中所述多级单元编码的类型是三级单元TLC编码或更高。


5.根据权利要求3所述的存储器设备，其中所述单级单元编码具有由所述多级单元编码类型的未修改读取电压修整区分的较高页和较低页的电荷分布。


6.根据权利要求5所述的存储器设备，其中所述未修改读取电压是较低页读取电压或额外页读取电压中的至少一个。


7.根据权利要求5所述的存储器设备，其中所述存储器设备被配置为不出于读取电压的目的而跟踪写入所述目标块的元素是采用所述单级单元编码还是所述多级单元编码。


8.根据权利要求3所述的存储器设备，其中所述单级单元编码具有由单级单元类型单元编码的读取电压修整区分的较高页和较低页的电荷分布，所述单级单元类型单元编码的读取电压修整不同于所述多级单元编码类型的任何读取电压修整。


9.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，所述处理电路系统被配置为在将用于所述加速写入请求的所述数据写入到所述目标块的用所述单级单元编码进行编码的第二元素之前，填充所述目标块的用所述多级单元编码进行编码的第一元素。


10.根据权利要求9所述的存储器设备，其中，所述第一元素和所述第二元素是所述目标块中的页。


11.一种用于可调NAND写入性能的方法，所述方法包括：
在存储器设备处从所述存储器设备的控制器接收加速写入请求...

【专利技术属性】
技术研发人员：G·卡列洛，M·L·萨利，S·法尔杜蒂，U·鲁索，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US