一种三维存储器的编程方法及编程系统技术方案

本申请公开了一种三维存储器的编程方法及编程系统，该方法对待编程存储结构的第一预设字线提供第一导通波形，对预设存储结构的第三预设字线和第四预设字线分别提供第二导通波形和第三导通波形，在第一阶段，由于第二导通波形的第五预设值大于第一导通波形的第二预设值，此时三维存储器沟道中的残余电子被预设存储结构吸引，到达预设存储结构的沟道中；为了避免残余电子返回待编程存储结构，第三导通波形在第五阶段时，导通电压从第七预设值降低为第八预设值，配合第二预设字线中通过的电压在预设存储结构中形成一个电压势垒，从而避免了残余电子对待编程存储结构的编程过程产生串扰，实现了避免残余电子对编程抑制操作产生不良影响的目的。

A programming method and system of 3D memory

【技术实现步骤摘要】
一种三维存储器的编程方法及编程系统
本申请涉及存储器
，更具体地说，涉及一种三维存储器的编程方法及编程系统。
技术介绍
存储器(Memory)是现代信息技术中用于保存信息的记忆设备。随着各类电子设备对集成度和数据存储密度的需求的不断提高，普通的二维存储器很难做到进一步提高其集成度和数据存储密度，因此，三维(3D)存储器应运而生。对于三维NAND存储器的编程过程而言，其一般的编程顺序为从离底部选择管最近的字线开始编程，自下而上至离顶部选择管最近的字线结束，这个编程顺序可以称为典型编程顺序(NormalProgramSequence)或正向编程顺序。但是最近的仿真结果显示，采用自上而下的反向编程顺序(ReverseProgramSequence)有利于改善三维NAND存储器的存储单元之间的耦合特性(Cell-to-CellInterference)，参考图1，图1为以正向编程顺序编程和以反向编程顺序编程后存储单元之间耦合造成的阈值电压漂移的仿真结果图。图1中，NormalProgramSequence表示正向编程顺序，ReverseP本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种三维存储器的编程方法，其特征在于，用于对三维存储器中的存储结构进行编程，所述三维存储器的编程顺序为自距离衬底最远的字线开始编程，逐次向距离衬底最近的字线编程，当待编程结构为距离衬底最远的存储结构时，使用正常的导通波形进行编程，在完成距离衬底最远的存储结构的编程后，对接下来的待编程存储结构进行编程时，使用所述三维存储器的编程方法进行编程，所述三维存储器包括堆叠设置的多个所述存储结构，所述存储结构包括多层存储单元和多条字线，所述字线与所述存储单元一一对应，所述三维存储器的编程方法包括：/n对待编程存储结构的第一预设字线提供第一导通波形，所述第一预设字线为所述待编程存储结构中除第二预设字线外...

【技术特征摘要】
1.一种三维存储器的编程方法，其特征在于，用于对三维存储器中的存储结构进行编程，所述三维存储器的编程顺序为自距离衬底最远的字线开始编程，逐次向距离衬底最近的字线编程，当待编程结构为距离衬底最远的存储结构时，使用正常的导通波形进行编程，在完成距离衬底最远的存储结构的编程后，对接下来的待编程存储结构进行编程时，使用所述三维存储器的编程方法进行编程，所述三维存储器包括堆叠设置的多个所述存储结构，所述存储结构包括多层存储单元和多条字线，所述字线与所述存储单元一一对应，所述三维存储器的编程方法包括：
对待编程存储结构的第一预设字线提供第一导通波形，所述第一预设字线为所述待编程存储结构中除第二预设字线外的未选中字线，所述第二预设字线为所述待编程存储结构中与预设存储结构相邻的至少一层存储单元对应的未选中字线；所述预设存储结构为与所述待编程存储结构相邻，且位于所述待编程存储结构远离共用源线一侧的存储结构；
对所述预设存储结构的第三预设字线提供第二导通波形，所述第三预设字线为所述预设存储结构中除第四预设字线外的未选中字线，所述第四预设字线为所述预设存储结构中与所述待编程存储结构相邻的至少一层存储单元对应的未选中字线；
对所述第四预设字线提供第三导通波形；
所述第一导通波形包括：第一阶段和第二阶段；
在所述第一阶段，所述第一导通波形的导通电压以第一预设斜率从第一预设值增长为第二预设值；
在所述第二阶段，所述第一导通波形的导通电压以第二预设斜率从第二预设值增长为第三预设值；
所述第二导通波形包括：与所述第一阶段对应的第三阶段；
在所述第三阶段，所述第二导通波形的导通电压以第三预设斜率从第四预设值增长为第五预设值，所述第五预设值大于所述第二预设值；
所述第三导通波形包括：与所述第一阶段对应的第四阶段和在所述第四阶段之后的第五阶段；
在所述第四阶段，所述第三导通波形的导通电压以第四预设斜率从第六预设值增长为第七预设值；
在所述第五阶段，所述第三导通波形的导通电压以第五预设斜率从所述第七预设值降低为第八预设值，所述第八预设值小于所述第三预设值。


2.根据权利要求1所述的三维存储器的编程方法，其特征在于，所述第一导通波形还包括：位于所述第一阶段和第二阶段之间的第一保持阶段；
在所述第一保持阶段，所述第一导通波形的导通电压保持为第二预设值。


3.根据权利要求2所述的三维存储器的编程方法，其特征在于，所述第三导通波形还包括：位于所述第四阶段和第五阶段之间的第二保持阶段，以及位于所述第五阶段之后的第三保持阶段；
在所述第二保持阶段，所述第三导通波形的导通电压保持为所述第七预设值；所述第二保持阶段和所述第四阶段的持续时间与所述第三保持阶段的持续时间对应；
在所述第三保持阶段，所述第三导通波形的导通电压保持为所述第八预设值。


4.根据权利要求1所述的三维存储器的编程方法，其特征在于，所述第一预设值、第四预设值和第六预设值的取值相同；
所述第七预设值、第三预设值和第五预设值的取值相同或不同。


5.一种三维存...

【专利技术属性】
技术研发人员：靳磊，王治煜，候伟，贾信磊，李春龙，霍宗亮，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11