【技术实现步骤摘要】
读取存储器的存储器单元
本公开大体上涉及存储器，且具体来说，在一或多个实施例中，本公开涉及用于读取存储器装置的存储器单元的设备及方法。
技术介绍
存储器装置通常提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路装置。存在许多不同类型的存储器，包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)及闪存存储器。闪存存储器装置已发展成用于各种电子应用的受欢迎的非易失性存储器来源。闪存存储器装置通常使用允许高存储器密度、高可靠性及低功耗的单晶体管存储器单元。通过对电荷存储结构(例如，浮动栅极或电荷阱)的编程(通常称为编写)或其它物理现象(例如，相变或极化)引起的存储器单元的阈值电压变化确定每一单元的数据值。闪存存储器的常见用途包含个人计算机、平板计算机、数码相机、数字媒体播放器、蜂窝电话、固态驱动器及可拆卸存储器模块，并且所述用途不断增长。全位线(ABL)感测可通过同时感测连接到页面缓冲器的所有位线来增强闪存阵列性能。然而，ABL感测可能受位线与位线相...
【技术保护点】
1.一种用于读取存储器单元阵列的方法，所述方法包括：/n使电流能够流过所述存储器单元阵列的偶数数据线；/n阻止电流流过所述存储器单元阵列的奇数数据线；及/n感测存储于耦合到所述偶数数据线的存储器单元中的数据。/n
【技术特征摘要】
20181220 US 16/226,7131.一种用于读取存储器单元阵列的方法，所述方法包括：
使电流能够流过所述存储器单元阵列的偶数数据线；
阻止电流流过所述存储器单元阵列的奇数数据线；及
感测存储于耦合到所述偶数数据线的存储器单元中的数据。
2.根据权利要求1所述的方法，其中阻止所述电流流过所述奇数数据线包括将所述奇数数据线浮置。
3.根据权利要求1所述的方法，其中使所述电流能够流过所述偶数数据线包括将所述偶数数据线连接到共同源极，并且
其中阻止所述电流流过所述奇数数据线包括将所述奇数数据线从所述共同源极断开。
4.根据权利要求1所述的方法，其中使所述电流能够流过所述偶数数据线包括停用第一选择存取线，并且
其中阻止所述电流流过所述奇数数据线包括激活第二选择存取线。
5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
使电流能够流过所述存储器单元阵列的所述奇数数据线；
阻止电流流过所述存储器单元阵列的所述偶数数据线；及
感测存储于耦合到所述奇数数据线的存储器单元中的数据。
6.根据权利要求5所述的方法，其中阻止所述电流流过所述偶数数据线包括将所述偶数数据线浮置。
7.根据权利要求5所述的方法，其中使所述电流能够流过所述奇数数据线包括将所述奇数数据线连接到共同源极，并且
其中阻止所述电流流过所述偶数数据线包括将所述偶数数据线从所述共同源极断开。
8.根据权利要求5所述的方法，其中使所述电流能够流过所述奇数数据线包括停用第二选择存取线，并且
其中阻止所述电流流过所述偶数数据线包括激活第一选择存取线。
9.一种存储器，其包括：
多个数据线，其包含偶数数据线及奇数数据线；
多个存储器单元串，其包含偶数存储器单元串及奇数存储器单元串；
多个第一选择晶体管，每个第一选择晶体管具有耦合到偶数存储器单元串的源极-漏极路径；
多个第二选择晶体管，每个第二选择晶体管具有耦合到奇数存储器单元串的源极-漏极路径；及
控制逻辑，用于激活所述第一选择晶体管及停用所述第二选择晶体管以读取耦合到所述偶数数据线的存储器单元，及激活所述第二选择晶体管及停用所述第一选择晶体管以读取耦合到所述奇数数据线的存储器单元。
10.根据权利要求9所述的存储器，进一步包括：
共同源极，
其中每个第一选择晶体管的所述源极-漏极路径耦合在偶数存储器单元串与所述共同源极之间，并且
其中每个第二选择晶体管的所述源极-漏极路径耦合在奇数存储器单元串与所述共同源极之间。
11.根据权利要求9所述的存储器，进一步包括：
多个第三选择晶体管，每个第三选择晶体管具有耦合在数据线与存储器单元串之间的源极-漏极路径。
12.根据权利要求9所述的存储器，进一步包括：
多个存取线，每个存取线耦合到每个存储器单元串的存储器单元。
13.根据权利要求9所述的存储器，其中所述存储器单元包括非易失性存储器单元。
14.一种用于读取存储器单元阵列的方法，所述方法包括：
将共同源极连接到所述存储器单元阵列的偶数数据线；
将所述共同源极从所述存储器单元阵列的奇数数据线断开；及
感测存储于耦合到所述偶数数据线的存储器单元中的数据，其中所述共同源极连接到所述偶数数据线及从所述奇数数据线断开。
15.根据权利要求14所述的方法，其进一步包括：
将所述共同源极连接到所述奇数数据线；
将所述共同源极从所述偶数数据线断开；及
感测存储于耦合到所述奇数数据线的存储器单元中的数据，其中所述共同源极连接到所述奇数数据线及从所述偶数数据线断开。
16.根据权利要求14所述的方法，其中将所述共同源极连接到所述偶数数据线包括激活多个第一选择晶体管，每个第一选择晶体管具有耦合在偶数数据线与所述共同源极之间的源极-漏极路径。
17.根据权利要求16所述的方法，其中将所述共同源极从所述奇数数据线断开包括停用多个第二选择晶体管，每个第二选择晶体管具有耦合在奇数数据线与所述共同源极之间的源极-漏极路径。
18....
【专利技术属性】
技术研发人员：V·莫斯基亚诺，A·德亚历山德罗，托马索·瓦利，乔瓦尼·桑廷，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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