【技术实现步骤摘要】
通过堆叠多个可靠性规范进行扫描优化
本申请涉及通过堆叠多个可靠性规范进行扫描优化。
技术介绍
存储器装置通常提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器，包含易失性和非易失性存储器。易失性存储器需要功率以维持其数据，且易失性存储器的实例包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)和同步动态随机存取存储器(SDRAM)等等。非易失性存储器可在未被供电时保持所存储数据，且非易失性存储器的实例包含快闪存储器、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、静态RAM(SRAM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电阻可变存储器，例如相变随机存取存储器(PCRAM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)、磁阻式随机存取存储器(MRAM)和三维(3D)XPointTM存储器等等。快闪存储器用作用于广泛范围的电子应用的非易失性存储器。快闪存储器装置通常包含允许高存储器密度、高可靠性和低功耗的单晶体管浮动栅极或电荷阱存储器单元的一或多个群组。两个常见类型的快闪存储器阵列架构包含...
【技术保护点】
1.一种系统，其包括：/n固件，其具有所存储指令，所述指令能够由处理装置执行以执行以下操作：/n记录关于存储器装置的多个块中的块的信息，所述信息与用于所述存储器装置的可靠性规范组合相关联，所述组合包含不同于用于所述存储器装置的数据保持规范的可靠性规范；及/n基于超出所述可靠性规范组合的阈值条件而触发所述块的刷新。/n
【技术特征摘要】
20181226 US 16/232,1851.一种系统，其包括：
固件，其具有所存储指令，所述指令能够由处理装置执行以执行以下操作：
记录关于存储器装置的多个块中的块的信息，所述信息与用于所述存储器装置的可靠性规范组合相关联，所述组合包含不同于用于所述存储器装置的数据保持规范的可靠性规范；及
基于超出所述可靠性规范组合的阈值条件而触发所述块的刷新。
2.根据权利要求1所述的系统，其中所述块的所述刷新的所述触发包含对所述块的扫描失败的确定。
3.根据权利要求1所述的系统，其中不同于所述数据保持规范的所述可靠性规范是交叉温度增量规范。
4.根据权利要求3所述的系统，其中所记录的所述信息是关于所述块的扫描失败以及由于所确定交叉温度增量超出阈值交叉温度增量而不触发刷新的信息。
5.根据权利要求4所述的系统，其中所记录的所述信息包含在开放所述块之后的时间量、在最后一次刷新之后的扫描次数，或在开放所述块之后的所述时间量和在最后一次刷新之后的所述扫描次数两者。
6.根据权利要求3所述的系统，其中用以触发所述交叉温度增量规范的所述刷新的所述阈值条件包含当所述块扫描失败且所确定交叉温度增量超出阈值交叉温度增量时的阈值通电时间。
7.根据权利要求3所述的系统，其中用以触发所述交叉温度增量规范的所述刷新的所述阈值条件包含当所述块扫描失败且所确定交叉温度增量超出阈值交叉温度增量时，在最后一次刷新之后的阈值扫描次数。
8.根据权利要求1所述的系统，其中所述可靠性规范组合包含所述数据保持规范，且不同于所述数据保持规范的所述可靠性规范是用于所述存储器装置的多个可靠性规范中不同于所述数据保持规范的一个规范。
9.根据权利要求8所述的系统，其中用于所述存储器装置的所述多个可靠性规范包含交叉温度增量规范、程序擦除循环次数规范和读取循环次数规范。
10.根据权利要求1所述的系统，其中所述操作是应用于所述多个块中的每一块的操作。
11.一种系统，其包括：
处理装置；
存储器装置，其具有组织成多个块的存储器单元阵列；
所述处理装置耦合到所述存储器装置以对所述存储器装置执行操作以：
记录关于所述多个块中的块的信息，所述信息与用于所述存储器装置的可靠性规范组合相关联，所述组合包含不同于用于所述存储器装置的数据保持规范的可靠性规范；及
基于超出所述可靠性规范组合的阈值条件而触发所述块的刷新。
12.根据权利要求11所述的系统，其包括：
温度传感器，其用以测量与将数据写入到所述存储器装置和从所述存储器装置读取所述数据相关联的温度。
13.根据权利要求12所述的系统，其中所述温度传感器包含在所述存储器装置内部的温度传感器。
14.根据权利要求12所述的系统，其中所述温度传感器包含所述处理装置的温度传感器。
15.根据权利要求11所述的系统，其包括：
具有组织成额外多个块的存储器单元阵列的额外存储器装置，...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·瓦什，H·R·桑吉迪，K·K·姆奇尔拉，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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