通过刷新预测的经提高刷新传输效率制造技术

本文中描述用于存储装置中通过刷新预测的经提高刷新传输效率的装置和技术。可以在缓冲区中存储来自用户数据写入的用户数据。存储在所述缓冲区中的所述用户数据的大小可以小于经受所述写入的存储装置的写入宽度。此大小差产生缓冲区可用空间。可以预测刷新触发。响应于所述刷新触发的预测，可以封送额外数据。所述额外数据的大小小于或等于所述缓冲区可用空间。可以在所述缓冲区可用空间中存储所述额外数据。响应于所述刷新触发，可以将所述缓冲区的内容写入到所述存储装置。

Improve refresh transmission efficiency by refreshing predicted

【技术实现步骤摘要】
通过刷新预测的经提高刷新传输效率
本专利技术涉及存储器装置，具体地说，涉及通过刷新预测的经提高刷新传输效率。
技术介绍
存储器装置通常提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器，包含易失性和非易失性存储器。易失性存储器需要电力来维持其数据，且包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)或同步动态随机存取存储器(SDRAM)等等。非易失性存储器可在不被供电时保持所存储的数据，且包含快闪存储器、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、静态RAM(SRAM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电阻可变存储器，例如相变随机存取存储器(PCRAM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)、磁阻式随机存取存储器(MRAM)等等。快闪存储器用作用于广泛范围的电子应用的非易失性存储器。快闪存储器装置通常包含允许高存储器密度、高可靠性和低功耗的单晶体管浮动栅极或电荷阱存储器单元的一或多个群组。两个常见类型的快闪存储器阵列架构包含NAND和NOR架构，以每一者的基本存储器本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于通过刷新预测的经提高刷新传输效率的方法，所述方法包括：/n在缓冲区中存储来自用户数据写入的用户数据，存储在所述缓冲区中的所述用户数据的大小小于经受所述写入的存储装置的写入宽度，从而产生缓冲区可用空间；/n预测刷新触发；/n响应于所述刷新触发的预测，封送额外数据，所述额外数据具有小于或等于所述缓冲区可用空间的大小；/n将所述额外数据存储到所述缓冲区可用空间，所述存储包含针对所述额外数据将标签维持到所述缓冲区中；以及/n响应于所述刷新触发，将所述缓冲区的内容写入到所述存储装置。/n

【技术特征摘要】
20181203 US 16/208,1651.一种用于通过刷新预测的经提高刷新传输效率的方法，所述方法包括：
在缓冲区中存储来自用户数据写入的用户数据，存储在所述缓冲区中的所述用户数据的大小小于经受所述写入的存储装置的写入宽度，从而产生缓冲区可用空间；
预测刷新触发；
响应于所述刷新触发的预测，封送额外数据，所述额外数据具有小于或等于所述缓冲区可用空间的大小；
将所述额外数据存储到所述缓冲区可用空间，所述存储包含针对所述额外数据将标签维持到所述缓冲区中；以及
响应于所述刷新触发，将所述缓冲区的内容写入到所述存储装置。


2.根据权利要求1所述的方法，包括：
在将所述缓冲区的所述内容写入到所述存储装置之前，接收额外用户数据；以及
在所述缓冲区中使用所述标签将所述额外数据的一部分替换为所述额外用户数据，所述缓冲区的所述内容包含所述用户数据、所述额外用户数据和所述额外数据的其余部分。


3.根据权利要求1所述的方法，其中所述标签是指向所述缓冲区的指针。


4.根据权利要求1所述的方法，其中所述存储装置是NAND快闪装置。


5.根据权利要求4所述的方法，其中所述写入宽度是页。


6.根据权利要求4所述的方法，其中所述写入宽度是块。


7.根据权利要求4所述的方法，其中所述写入宽度是超级块。


8.根据权利要求1所述的方法，其中所述额外数据是所述存储装置的维护数据。


9.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·A·帕尔默，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US