【技术实现步骤摘要】
使用电荷转移装置的感测技术交叉引用本专利申请案主张2018年12月26日提出申请的拉德(Raad)等人的标题为“使用电荷转移装置的感测技术”的第16/232,280号美国专利申请案的优先权，所述美国专利申请案转让给受让人且全文以引用方式明确并入本文中。
涉及使用电荷转移装置的感测技术。
技术介绍
以下内容大体来说涉及包含至少一个存储器装置的系统且更具体来说涉及使用电荷转移装置的感测技术。存储器装置广泛地用在各种电子装置(例如，计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等)中来存储信息。通过将存储器装置的不同状态编程来存储信息。举例来说，二进制装置最通常存储两种状态中的一种，通常标示为逻辑1或逻辑0。在其它装置中，可存储多于两种状态。为获取所存储的信息，装置的组件可读取或感测存储器装置中所存储的至少一种状态。为存储信息，装置的组件可对存储器装置中的状态进行写入或编程。存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动...
【技术保护点】
1.一种方法，其包括：/n使用第一晶体管至少部分地基于数字线上的第一电压小于所述第一晶体管的栅极上的第二电压来在所述数字线与和第一感测组件及第二感测组件耦合的节点之间转移电荷；/n通过所述第一感测组件在第一时间至少部分地基于在所述数字线与所述节点之间转移所述电荷来感测所述节点上的信号；/n通过所述第二感测组件在与所述第一时间不同的第二时间至少部分地基于在所述数字线与所述节点之间转移所述电荷来感测所述节点上的所述信号；及/n至少部分地基于通过所述第一感测组件感测所述信号及通过所述第二感测组件感测所述信号来确定多电平存储器单元的逻辑状态。/n
【技术特征摘要】
20181226 US 16/232,2801.一种方法，其包括：
使用第一晶体管至少部分地基于数字线上的第一电压小于所述第一晶体管的栅极上的第二电压来在所述数字线与和第一感测组件及第二感测组件耦合的节点之间转移电荷；
通过所述第一感测组件在第一时间至少部分地基于在所述数字线与所述节点之间转移所述电荷来感测所述节点上的信号；
通过所述第二感测组件在与所述第一时间不同的第二时间至少部分地基于在所述数字线与所述节点之间转移所述电荷来感测所述节点上的所述信号；及
至少部分地基于通过所述第一感测组件感测所述信号及通过所述第二感测组件感测所述信号来确定多电平存储器单元的逻辑状态。
2.根据权利要求1所述的方法，其中：
在所述第一感测组件处感测所述信号包括在所述第一时间对所述节点上的所述信号与固定参考值进行比较；且
在所述第二感测组件处感测所述信号包括在所述第二时间对所述节点上的所述信号与所述固定参考值进行比较。
3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
使用利用所述第一晶体管与所述数字线耦合的第三感测组件在与所述第二时间不同的第三时间至少部分地基于在所述数字线与所述节点之间转移所述电荷来感测所述节点上的所述信号，其中确定所述多电平存储器单元的所述逻辑状态是至少部分地基于使用所述第三感测组件来感测所述信号。
4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
于在所述第一时间感测所述节点上的所述信号之后撤销激活与所述节点及所述第一感测组件耦合的第二晶体管，其中撤销激活所述第二晶体管会在读取操作的至少一部分期间将所述第一感测组件与所述第二感测组件隔离。
5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
于在所述数字线与所述节点之间转移所述电荷之前将所述第一晶体管的所述栅极加偏压到所述第二电压；
至少部分地基于对所述第一晶体管的所述栅极加偏压来将所述多电平存储器单元放电到所述数字线上；及
至少部分地基于将所述多电平存储器单元放电到所述数字线上来将所述数字线加偏压到所述第一电压。
6.根据权利要求5所述的方法，其中将所述第一晶体管的所述栅极加偏压到所述第二电压包括：
将与所述第一感测组件、所述第二感测组件及所述第一晶体管耦合的所述节点充电到第三电压；及
在所述第一晶体管与所述数字线耦合时将所述节点放电到所述第一晶体管的所述栅极上。
7.根据权利要求5所述的方法，其进一步包括：
在将所述第一晶体管的所述栅极加偏压到所述第二电压之后将所述数字线与所述第一晶体管隔离。
8.根据权利要求7所述的方法，其进一步包括：
在将所述多电平存储器单元放电到所述数字线上之后耦合所述数字线与所述第一晶体管。
9.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
在所述第一晶体管的第二节点与所述数字线隔离时将第三电压从电压源施加到所述第一晶体管的所述第二节点；及
至少部分地基于施加所述第三电压来将所述第一晶体管的所述栅极加偏压到所述第二电压。
10.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括：
在对所述第一晶体管的所述栅极加偏压的同时将所述多电平存储器单元放电到所述数字线；
至少部分地基于将所述多电平存储器单元放电到所述数字线上来将所述数字线加偏压到所述第一电压；及
在将所述多电平存储器单元放电到所述数字线之后耦合所述数字线与所述第一晶体管。
11.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一晶体管经配置以在读取操作期间在所述数字线与所述第一感测组件及所述第二感测组件的所述节点之间转移所述电荷。
12.一种方法，其包括：
在读取操作期间使用第一晶体管在数字线与第一感测组件及第二感测组件的节点之间转移电荷，其中至少部分地基于所述数字线上的第一电压小于所述第一晶体管的栅极上的第二电压来转移所述电荷；
通过所述第一感测组件在某一时间使用第一参考值至少部分地基于在所述数字线与所述节点之间转移所述电荷来感测所述节点上的信号；
通过所述第二感测组件在所述某一时间使用第二参考值至少部分地基于在所述数字线与所述节点之间转移所述电荷来感测所述节点上的所述信号；及
至少部分地基于通过所述第一感测组件感测所述信号及通过所述第二感测组件感测所述信号来确定与所述数字线耦合的多电平存储器单元的逻辑状态。
13.根据权利要求12所述的方法，其进一步包括：
通过使用所述第一晶体管与所述数字线耦合的第三感测组件在所述某一时间使用第三参考值至少部分地基于在所述数字线与所述节点之间转移所述电荷来感测所述节点上的所述信号，其中确定所述多电平存储器单元的所述逻辑状态是至少部分地基于在所述第三感测组件处感测所述信号。
14.根据权利要求13所述的方法，其中所述多电平存储器单元经配置以存储第一逻辑状态、第二逻辑状态、第三逻辑状态或第四逻辑状态。
15.根据权利要求12所述的方法，其进一步包括：
于在所述数字线与所述节点之间转移所述电荷之前将所述第一晶体管的所述栅极加偏压到所述第二电压；及
至少部分地基于将所述第二电压施加到所述第一晶体管的所述栅极来将所述多电平存储器单元放电到所述数字线上，其中所述数字线是至少部分地基于将所述多电平存储器单元放电到所述数字线上而被加偏压到所述第一电压。
16.根据权利要求15所述的方法，其进一步包括：
在将所述第一晶体管的所述栅极加偏压到所述第二电压之后将所述数字线与所述第一晶体管隔离；及
在将所述多电平存储器单元放电到所述数字线上之后耦合所述数字线与所述第一晶体管。
17.根据权利要求12所述的方法，其进一步包括：
确定所述第一晶体管的所述栅极上的所述第二电压；及
至少部分地基于确定所述栅极上的所述第二电压来将第三电压从电压源施加到所述第一晶体管的第二节点。
18.根据权利要求17所述的方法，其进一步包括：
在对所述第一晶体管的所述栅极加偏压的同时将所述多电平存储器单元放电到所述数字线，其中所述数字线是至少部分地基...
【专利技术属性】
技术研发人员：G·B·雷德，J·F·施雷克，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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